Содержание:
Георгобиани, А. Н. Исследование фундаментальных переходов в широкозонных полупроводниках методами модуляционной спектроскопии / А. Н. Георгобиани, Ю. В. Озерв, И. М. Тигиняну
Георгобиани, А. Н. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках / А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев
Георгобиани, А. Н. Модуляционная рефрактометрия полупроводниковых структур и диэлектрических волноводов / А. Н. Георгобиани, С. А. Дарзнек, П. А. Тодуа
ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Галанин, Михаил Дмитриевич \ред.\; Басов, Николай Геннадьевич \ред.\; Академия наук СССР; Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)