Сводный каталог книг

/ Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина и др. ; [пер.] под ред. В. Л. Гуревича. - М. : Мир, 1985. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 289-297. - Предм. указ.: с. 298-300. - Пер. изд. : Point defects in semiconductors / J. Bourgoin, M. Lannoo. - 2.70 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ланно, Мишель; Гальперин, Ю. М. \пер.\; Гуревич, В. Л. \ред.\; Bourgoin, J. ; Lannoo, Michel
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)

/ Л. Н. Александров, М. И. Зотов ; отв. ред. Л. С. Смирнов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1979. - 159 с. : ил. - Библиогр.: с. 149-158 (188 назв.). - 2500 экз. - 1.00 р.

ГРНТИ

29.19.11

29.19.31

ББК В375.6


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Зотов, Михаил Иванович; Смирнов, Л. С. \ред.\; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССРИнститут физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)

/ Б. И. Болтакс ; Акад. наук СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1972. - 384 с. - Библиогр. в конце глав. - 5000 экз. - 1.99 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)

/ В. Л. Винецкий, Г. А. Холодарь ; Акад. наук Укр. ССР, Ин-т физики. - Киев : Наукова думка, 1979. - 335 с. : рис. - Библиогр. : с. 323 - 332 (240 назв.). - 3.70 р.

ГРНТИ

29.19.31

29.19.21

ББК В379.312.7


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Холодарь, Галина Антоновна; Академия наук СССРИнститут физики АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Ю. Т. Левицкий ; отв. ред. Н. С. Костюков ; Акад. наук СССР, Дальневосточ. отд-ние, Амур. комплекс. науч.-исслед. ин-т. - М. : Наука, 1988. - 199 с. : ил. - Библиогр.: с.185-198 ( 345 назв.). - ISBN 5-02-005964-1 : 2.80 р., 2.80 р.
    Содержание:
Включения в кристаллах
Двойникование в металлах, полупроводниках и полуметаллах
Дендриты
Зависимость свойств и применение материалов от дефектов кристаллического строения
Практическое значение дефектов кристаллической структуры
Классификация дефектов
Металлы с ГЦК-решеткой
Методы изучения макроскопических дефектов и их поведения
Полуметаллы и их свойства
Полупроводники IV группы
Процессы образования дефектов

ГРНТИ	29.19.11	53.49.07	53.49.07
УДК	548.4:621.382

ББК В371.231 + К202 + К204.011


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Костюков, Н. С. \ред.\; Академия наук СССРДальневосточное отделение АН СССР; Амурский комплексный научно-исследовательский институт
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)

/ Г. Матаре ; пер. с англ. Г. М. Гуро ; под ред. С. А. Медведева. - М. : Мир, 1974. - 463 с. : рис., табл. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Defect electronics in śemiconductors / Herbert F. Matare. - 2.19 р.

ГРНТИ

29.19.11

29.19.31

ББК В379.1 + В372.212.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гуро, Г. М. \пер.\; Медведев, С. А. \ред. пер.\; Matare, Herbert F.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)