/ Ш. М. Мавлонов ; отв. ред. Р. А. Кариева ; Физ.-техн. ин-т им. С. У. Умарова Акад. наук Тадж. ССР. - Душанбе : Дониш, 1990. - 157 с. : ил. - Библиогр.: с. 138-154. - 530 экз. -
ISBN 5-8366-0095-3 : 1.90 р.
Содержание: Физико-химические основы сегрегационных явлений при направленной кристаллизации Методы синтеза и роста кристаллов и методика их исследования О характере фазового равновесия в системе теллур-примесь О характере фазового равновесия в системах антимонид кадмия-примесь Технология получения легированного монокристалла Sb2Te3 и характер его фазового равновесия Характер фазового равновесия в полупроводниках типа AIIIBV (ZnAs, GaSb, ZnP) Обсуждение экспериментальных данных по сегрегации примесей в полупроводниках ББК В379.231 + З843.3
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Академия наук Таджикской ССР; Физико-технический институт им. С.У. Умарова АН Таджикской ССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)