/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Л. С. Смирнов. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 256 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 2200 экз. - 2.00 р.
Содержание: Процессы образования первичных радиационных дефектов в полупроводниках Миграция точечных дефектов и аннигиляция компонентов пар Френкеля Условия облучения и процессы дефектообразования Реакции в полупроводниках с участием подвижных радиационных дефектов Радиационные дефекты при облучении полупроводников тяжелыми частицами Низкотемпературные, активированные облучением изменения структуры и состава полупроводников Ионное внедрение в полупроводниковые соединения ББК В379.212.6
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Смирнов, Леонид Степанович \отв. ред.\; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР; Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)