| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Эндерлайн, Рольф; Звягин, И. П. \ред.\; Bechstedt, Friedhelm; Enderlein, Rolf
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Сводный каталог книг
w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
В37
Б 55
В37 / Б 55-ИХХТ-АБ
Б 55
В37 / Б 55-ИХХТ-АБ
Поверхности и границы раздела полупроводников
: пер. с англ. / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн ; ред. И. П. Звягин. - М. : Мир, 1990. - 488 с. - Библиогр.: с. 463. - Предм. указ.: с. 476. - Пер. изд. : Semiconductor surfaces and interfaces / Friedhelm Bechstedt, Rolf Enderlein. - Berlin, 1988. - ISBN 5-03-001469-1 : 5.20 р., 5.20 р.
ББК В379.2 + Г523
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Эндерлайн, Рольф; Звягин, И. П. \ред.\; Bechstedt, Friedhelm; Enderlein, Rolf
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Эндерлайн, Рольф; Звягин, И. П. \ред.\; Bechstedt, Friedhelm; Enderlein, Rolf
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИХХТ-АБ (1)
В37
П 78
В379.2 / П 78-ЦНБ-ХР
П 78
В379.2 / П 78-ЦНБ-ХР
Проблемы физики поверхности полупроводников
/ О. В. Снитко, А. В. Саченко [и др.] ; под общ. ред. О. В. Снитко ; Акад. наук Укр. ССР, Ин-т полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1981. - 331 с. : ил. - Библиогр.: с. 304-328. - 1850 экз. - 3.40 р., 3.40 р.
Содержание:
Электронные явления на поверхности полупроводников
Теоря поверхностных неравновесных электронных процессов в полупроводниках
Физические свойства реальной поверхности германия и кремния, легированной примесями металлов
Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе
Электрофизические свойства МДП-структур, имплантированных ионами бора
Роль поверхности в формировании фотоэлектрической памяти в арсениде галлия
Приповерхностное перезаселение долин в электронном кремнии
Поверхностные поляритоны в карбиде кремния
Кристаллическое строение и колебание атомов на атомарно-чистой поверхности полупроводников
Дислокации границы раздела и остаточные деформации в эпитаксиальных пленках
Электрохимические явления на границе раздела полупроводник-расплав
ББК В379.212.5
Аннотация: Монография посвящена изложению физических процессов формирования неравновесных электронных и оптических явлений на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводников, изучению микромеханизмов, ответственных за их формирование, и установлению природы наблюдаемых эффектов. Обсуждаются вопросы, относящиеся к смежной области: физико-химии поверхности полупроводников и границ радела.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Доп.точки доступа:
Снитко, О. В.; Саченко, А. В.; Примаченко, В. Е.; Антощук, В. В.; Снитко, О. В. \ред.\; Академия наук Украинской ССР; Институт полупроводников АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)
Содержание:
Электронные явления на поверхности полупроводников
Теоря поверхностных неравновесных электронных процессов в полупроводниках
Физические свойства реальной поверхности германия и кремния, легированной примесями металлов
Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе
Электрофизические свойства МДП-структур, имплантированных ионами бора
Роль поверхности в формировании фотоэлектрической памяти в арсениде галлия
Приповерхностное перезаселение долин в электронном кремнии
Поверхностные поляритоны в карбиде кремния
Кристаллическое строение и колебание атомов на атомарно-чистой поверхности полупроводников
Дислокации границы раздела и остаточные деформации в эпитаксиальных пленках
Электрохимические явления на границе раздела полупроводник-расплав
| ГРНТИ |
Рубрики:
Полупроводники--Поверхность
Кл.слова (ненормированные):
физико-химия полупроводников -- микроэлектроника
Полупроводники--Поверхность
Кл.слова (ненормированные):
физико-химия полупроводников -- микроэлектроника
Аннотация: Монография посвящена изложению физических процессов формирования неравновесных электронных и оптических явлений на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводников, изучению микромеханизмов, ответственных за их формирование, и установлению природы наблюдаемых эффектов. Обсуждаются вопросы, относящиеся к смежной области: физико-химии поверхности полупроводников и границ радела.
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Доп.точки доступа:
Снитко, О. В.; Саченко, А. В.; Примаченко, В. Е.; Антощук, В. В.; Снитко, О. В. \ред.\; Академия наук Украинской ССР; Институт полупроводников АН Украинской ССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-ХР (1)