Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
   В37
   С 48

    Сложные полупроводники
/ В. Е. Тэзлэван, В. В. ЦурканТэзлэван, К. Г. Никифоров ; Акад. наук МССР, Ин-т приклад. физики. - Кишинев : Штиинца, 1988. - 163 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-376-453-8 : 1.60 р.
ГРНТИ
ББК В379.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тэзлэван, В. Е.; ЦурканТэзлэван, В. В.; Никифоров, К. Г.; Академия наук Молдавской ССР; Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   Ж
   Т 66
Л253 / Т 66-ИХХТ-АБ

    Пористый кремний: технология, свойства, применение
/ В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р., 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния
ГРНТИ
УДК
ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2 + Л253.2

Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)