Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 4
   З 85
   Г 78

    Электрические схемы
: 1300 примеров / Р. Граф ; пер. В. А. Логинов. - Москва : Мир , 1989. - Перевод с английского. - Библиогр.: с. 629-655. - Указатель иностр. терминов и предм.: с. 658-686. - Пер. изд. : The encyclopedia of electronic circuits / F. Graf R. - ISBN 5-03-000735-0 : 4.60 р.
ГРНТИ
ББК З 85

Аннотация: Книга представляет собой сборник практических электронных схем разнообразного назначения - от электронных игр, электромузыкальных инструментов и устройств для отпугивания насекомых до автомобильной электроники, аналого-цифровых преобразователей и схем волоконно-оптической связи.

Держатели документа:
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Логинов, В.А. \пер.\; R., F. Graf
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ЦНБ-ХР (1)
   З 85
   У 93

    Электроника: от транзистора до устройства
/ В. Н. Ушаков, О. В. Долженко. - М. : Радио и связь, 1983. - 320 с. : ил. - Библиогр.: с. 320. - 1.20 р.
ББК 3 85

Аннотация: Рассматриваются элементарные основы теории сигналов, основы физики и характеристики полупроводниковых приборов. Излагаются принципы работы и построения основных электронных устройств (усилителей, генераторов и т. д.) и простейшие методы их анализа. Приводятся примеры расчета устройств.


Доп.точки доступа:
Долженко, Олег Владимирович
Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)
   З 85
   Б 83

    Полупроводник и ферромагнетик монооксид европия в спинтронике
[Текст] / А. С. Борухович, А. В. Трошин. - Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар : Лань, 2017. - 285 с. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 267-279. - ISBN 978-5-8114-2479-5 : 965.80 р.
ГРНТИ
ББК З 85

Аннотация: В монографии обобщены и систематизированы имеющиеся достижения в исследованиях классического магнитного полупроводника — монооксида европия. В хронологическом порядке излагаются все пройденные этапы изучения его выдающихся электронных и магнитных характеристик, особенности их проявления во внешних полях в зависимости от нестехиометрии, степени легирования, как в монокристаллическом, так и в компактном, и тонкопленочном состояниях. Особое внимание уделено возможности нетрадиционного для магнитного полупроводника использования этого монооксида или его твердых растворов (композитов) в деле создания структур спиновой электроники. Как сверхпроводящей, в том числе, и высокотемпературной, так и способной работать в нормальных условиях. Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой устройств полупроводниковой спиновой электроники и информатики, технологов и физиков-теоретиков, и магнитологов, занимающихся расчетами, разработкой и созданием устройств спиновой памяти для квантового компьютера. Рекомендуется студентам старших курсов и аспирантам физических специальностей университетов для углубления своих физических знаний и веры в науку.

Файл:  Оглавление - 0


Доп.точки доступа:
Трошин, Алексей Валерьевич
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)
   З 85
   Г 95

    Физика и техника пленочных электролюминисцентных излучателей переменного тока
[Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов. - Изд. 2-е, испр. и доп. - Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар : Лань, 2017. - 429, [1] с. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 407-429. - ISBN 978-5-8114-2799-4 : 1435.50 р.
ГРНТИ
ББК З 85

Аннотация: В книге рассмотрены основные свойства, а также физические основы работы пленочных электролюминесцентных излучателей переменного тока, использующих предпробойную электролюминесценцию с внутрицентровым механизмом свечения. Представлены модифицированные конструкции излучателей. Определены требования к параметрам слоев излучателей и оптимальные режимы возбуждения, зависимости основных характеристических параметров центров свечения от режима возбуждения. Рассмотрены кинетика электролюминесценции в условиях образования и изменения объемных зарядов в слое люминофора, а также природа и параметры глубоких центров, ответственных за образование объемных зарядов. Определены параметры и характеристики процессов туннелирования электронов, ударной ионизации глубоких центров, ударного возбуждения центров свечения, рекомбинационных и релаксационных процессов, а также распределения плотности заполненных поверхностных состояний по энергии. Основная часть материалов, приведенных в монографии, является результатом оригинальных исследований авторов. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и исследованием оптоэлектронных приборов, а также для преподавателей, аспирантов и студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГС: "Физика и астрономия", "Электроника, радиотехника и системы связм", "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии", и другим инженерно-техническим направлениям. 2-е издание, исправленное и дополненное.

Файл:  Оглавление - 0


Доп.точки доступа:
Сабитов, Олег Юрьевич
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)