Сводный каталог книг

: учеб. пособие / М. В. Кузелев [и др.] ; под ред. А. А. Рухадзе. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. - 543 с. - (Электроника : физическая электроника / Под общ.ред. И.Б. Федорова). - Предм. указ.: с. 533-543. - 1000 экз. - ISBN 5-7038-2004-9 : 165.00 р.

ГРНТИ

29.35.23

47.29.37

ББК В333я73 + З851.125я73


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Рухадзе, Анри Амвросьевич; Стрелков, Павел Сергеевич; Рухадзе, А. А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: учеб. пособие для студентов вузов по специальности "Радиотехника" / В.М. Максимов. - М. : Сайнс-пресс, 2002. - 72 с. : ил. - (Конспекты лекций по радиотехническим дисциплинам ; вып. 3). - Библиогр.: с.72 . - 3000 экз. - Б. ц.

ГРНТИ

29.35.45

ББК З840.4 + З851.125


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: учеб. пособие / А. Г. Васильев, Ю. В. Колоковский, Ю. А. Концевой. - М. : Техносфера, 2011. - 254 с. - Библиогр.: с. 252-253. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94836-290-8 : 475.00 р., 475.00 р.

ГРНТИ	29.19.31	47.03.05	29.35.47	47.03.10	47.33
УДК	621.382.3.029.6

ББК З852.3я73 + З851.125я73 + В379.2я73 + З 851.125я73

Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Колоковский, Юрий Владимирович; Концевой, Юлий Абрамович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

/ Дж. Л. Альтман ; пер. с англ. под ред. И. В. Лебедева. - М. : Мир, 1968. - 487 с. - Библиогр.: с. 482-484 (49 назв.). - Пер. изд. : Microwave circuits / Jerome L. Altman. - 1.87 р.
    Содержание:
Основные соотношения теории цепей СВЧ
Матрица рассеяния
Симметричные устройства
Проходные устройства
Резонаторы
СВЧ-фильтры
Периодические системы
Практические применения систем

ГРНТИ

29.35.45

ББК З840.4


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лебедев, И. В. \ред.\; Altman, Jerome L.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: пер. с англ. / Ш. Е. Цимринг. - Н. Новгород : Ин-т приклад. физики РАН, 2012. - 575 с. - Библиогр.: с. 544-567 - Предм. указ.: с. 568-575. - Пер. изд. : Electron beams and microwave vacuum electronics / S. E. Tsimring. - 2007. - 250 экз. - ISBN 978-5-8048-0076-6 : 370.00 р.

ГРНТИ

29.35.45

29.35.39

ББК З851


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Tsimring, S. E.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)