| ГРНТИ |
Рубрики:
Тонкие пленки--Получение
Тонкие пленки--Получение
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Фукс, Михаил Яковлевич; Косевич, Вадим Маркович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)
Сводный каталог книг
w10=
Найдено документов в текущей БД: 4
В37
П 14
П 14
Механизм образования и субструктура конденсированных пленок
/ Л. С. Палатник, М. Я. Фукс, В. М. Косевич. - М. : Наука, 1972. - 320 с. - Библиогр. - Предм. указ. - Указ. материалов плёнок. - 4500 экз. - 1.95 р.
ББК В371.26
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Фукс, Михаил Яковлевич; Косевич, Вадим Маркович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Фукс, Михаил Яковлевич; Косевич, Вадим Маркович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)
В37
Д 79
В37 / Д 79-ИВМ-Фонд
Д 79
В37 / Д 79-ИВМ-Фонд
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
/ В. Г. Дубровский. - М. : Физматлит, 2009. - 350 с. - Библиогр.: 350 назв. . - 300 экз. - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 280.00 р., 280.00 р.
ББК В371.26 + В379.2 + В375
Полный текст на сайте РФФИ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
| ГРНТИ |
Полный текст на сайте РФФИ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
В37
С 89
С 89
Химические методы получения тонких прозрачных пленок
/ Н. В. Суйковская. - Л. : Химия, Ленингр. отд-ние, 1971. - 199 с. - Загл. на корешке : Химические методы получения пленок. - Библиогр.: с. 178-187 (388 назв.). - 3900 экз. - 1.39 р.
ББК В371.26в673 + В379.212.6в673
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Тонкие пленки--Получение
Тонкие пленки--Получение
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
В37
П 14
В37 / П 14-ИХХТ-АБ
В375.14 / П 14-ЦНБ-ХР
П 14
В37 / П 14-ИХХТ-АБ
В375.14 / П 14-ЦНБ-ХР
Эпитаксиальные пленки
/ Л. С. Палатник, И. И. Папиров. - М. : Наука, 1971. - 480 с. : граф., табл., фот. - Библиогр.: с. 450-480. - 4300 экз. - 2.19 р., 2.19 р.
ББК В371.26 + В375.14
Аннотация: Книга посвящена ориентированной кристаллизации (эпитаксии) на анизотропных поверхностях. Главное внимание уделено монокристальным пленкам, получаемым при химическом росте и конденсации веществ из паровой фазы в вакууме. Рассмотрены теории конденсации и ориентированной кристаллизации, структура тонких пленок и ориентационные соотношения, механизмы роста конденсатов, а также практические приложения монокристальных пленок. Особое внимание обращено на тонкие пленки полупроводников, в частности рассмотрена роль автоэпитаксии полупроводниковых элементов и соединений в микроминиатюризации электронных устройств. Описаны такие важные приложения эпитаксии, как высокоразрешающая микроскопия с помощью муаровых картин, избирательное декорирование кристаллических дефектов и др.
содержание книги
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Доп.точки доступа:
Папиров, Игорь Исаакович
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)
| ГРНТИ |
Рубрики:
Тонкие пленки--Получение
Тонкие пленки--Получение
Аннотация: Книга посвящена ориентированной кристаллизации (эпитаксии) на анизотропных поверхностях. Главное внимание уделено монокристальным пленкам, получаемым при химическом росте и конденсации веществ из паровой фазы в вакууме. Рассмотрены теории конденсации и ориентированной кристаллизации, структура тонких пленок и ориентационные соотношения, механизмы роста конденсатов, а также практические приложения монокристальных пленок. Особое внимание обращено на тонкие пленки полупроводников, в частности рассмотрена роль автоэпитаксии полупроводниковых элементов и соединений в микроминиатюризации электронных устройств. Описаны такие важные приложения эпитаксии, как высокоразрешающая микроскопия с помощью муаровых картин, избирательное декорирование кристаллических дефектов и др.
содержание книги
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Доп.точки доступа:
Папиров, Игорь Исаакович
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)