: basic properties and device physics for memory applications / ed. M. Okuyama, Y. Ishibashi. - Berlin ; New York : Springer, 2005. - VI ; 244 p. : il. - (Topics in applied physics, ISSN 0303-4216. 98). - Bibliogr. at the end of the art. - Ind. : p. 241-244. -
ISBN 3-540-24163-9 : 5286.99 р.
Перевод заглавия: Сегнетоэлектрические
тонкие пленки Перевод заглавия: Сегнетоэлектрические
тонкие пленкиББК В379.3 + В371.26 + З843.412
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Okuyama, Masanori \ed.\; Ishibashi, Yoshihiro \ed.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)