Авт. указаны в огл.
Содержание:
Технология выращивания слоев кадмий - ртуть - теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Исследование структуры слоев кадмий - ртуть - теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Электрофизические свойства слоев кадмий - ртуть - теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Квантовые эффекты в гетероэпитаксиальных структурах кадмий - ртуть - теллур
Фотоприемные устройства на основе ГЭС КРТ МЛЭ
Оптико-электронные устройства на основе ФПУ ГЭС КРТ МЛЭ (тепловизионные системы на основе многоэлементных приемников излучения)
ГРНТИ |
Рубрики:
Фотоэлектроника полупроводниковая--Тонкие пленки
Пленки магнитные--Получение--Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
Фотоэлектроника полупроводниковая--Тонкие пленки
Пленки магнитные--Получение--Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Асеев, Александр Леонидович \отв. ред.\; Российская академия наукСибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)