: учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. - М. : Физматкнига, 2011. - 448 с. ; 24 см. - Библиогр.: с. 447. - 1000 экз. -
ISBN 978-5-89155-203-6 : 1238.32 р., 496.00 р.
ББК З854.2я73 + З 854.22я73
Аннотация: В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии "Твердотельная
фотоэлектроника. Фотодиоды" детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространенных твердотельных фотоэлектронных изделиях - полупроводниковых фотодиодах,в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSb, CdHgTe, SiC, АЮаМ,квантово-размерных сверхрешеток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетового до инфракрасного. Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Лазерная техника и лазерные технологии", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и наноэлектроника", "Конструирование и технология электронных средств", "Наноинженерия", "Прикладная математика и физика", "Техническая физика", "Информационные системы и технологии" и "Приборостроение". Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям "Физика полупроводников", "Физическая электроника","Твердотельная электроника...", "Квантовая электроника", "Технология... приборов электронной техники", "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", "Приборы и методы преобразования изображений и звука". Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем.
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Таубкин, Игорь Исаакович; Тришенков, Михаил Алексеевич
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
