Содержание:
Фок, М. В. Свойства люминесценции как проявление отклонения системы от термодинамического равновесия / М. В. Фок
Витухновский, А. Г. Анизотропия диффузии синглетных экситонов в монокристаллах стильбена / А. Г. Витухновский
Бочков, Ю. В. Люминесценция и фотоэлектрические характеристики диодов на основе сульфида цинка / Ю. В. Бочков
Георгобиани, А. Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS p-типа / А. Н. Георгобиани
Лепнев, А. С. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения / А. С. Лепнев
Голубева, Н. П. О центрах люминесценции самоактивированного ZnS и ZnS-O, Cu / Н. П. Голубева
Кирсанов, Б. П. Расчет переноса энергии с учетом диффузии методом ВКБ / Б. П. Кирсанов
ГРНТИ |
Рубрики:
Электролюминесценция--Сборники
Полупроводники--Свойства оптические--Электролюминесценция--Сборники
Электролюминесценция--Сборники
Полупроводники--Свойства оптические--Электролюминесценция--Сборники
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Галанин, Михаил Дмитриевич \ред.\; Басов, Николай Геннадьевич \ред.\; Академия наук СССР; Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)