= Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices / В. А. Гриценко [и др.] ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводн. им. А.В. Ржанова СО РАН, Ин-т неорган. химии им А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геол. и минерал. им. В.С. Соболева. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2011. - 156 с. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 30). - Библиогр. в конце глав. - 400 экз. -
ISBN 978-5-7692-1183-6 : 5.00 р.
Содержание: Синтез и строение high-k-диэлектриков на основе оксида гафния Электронная структура вакансии кислорода в high-k-диэлектриках Люминесценция high-k-диэлектриков Электронная структура оксида, оксинитрида и нитрида кремния Механизмы переноса заряда в диэлектрических пленках Оптимизация диэлектрической проницаемости блокирующего диэлектрика в энергонезависимой памяти, основанной на нитриде кремния ББК В379.3 + З843.4
Дополнительные материалы по теме Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Гриценко, Владимир Алексеевич; Елисеев, А. П.; Иванов, М. В.; Игуменов, И. К.; Каичев, В. В.; Карпушин, А. А.; Морозова, Н. Б.; Насыров, К. А.; Некрашевич, С. С.; Новиков, Ю. Н.; Перевалов, Т. В.; Пустоваров, П. А.; Расторгуев, А. А.; Смирнова, Т. П.; Снытников, В. Н.; Сорокин, А. Н.; Стояновский, В. О.; Шапошников, А. В.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН; Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН; Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
