| УДК |
Аннотация: Излагаются теория и методы расчета процессов переноса тепла и массы вещества в системах с фазовыми переходами. В первой части рассмотрены математические основы моделирования задач кристаллизации. Приведена постановка задачи Стефана, введены понятия классического и обобщенного решения, систематизированы и описаны аналитические и численные методы моделирования. Во второй части содержатся краткие сведения о некоторых технологиях выращивания эпитаксиальных слоев и монокристаллов из раствора-расплава, сделан обзор существующих способов управления процессами и сформулированы проблемы, возникающие при промышленном производстве полупроводников. На примере нескольких технологий проиллюстрировано применение теории моделирования к конкретным процессам. Приведены разработанные авторами математические модели для расчета законов изменения управляющих воздействий на эти технологии, проанализированы результаты вычислительных экспериментов, послуживших основой создания новых методик управления технологическими процессами. Для инженеров, научных сотрудников, занимающихся вопросами разработки и решения задач теории поля, аспирантов и студентов вузов соответствующих специальностей.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Кириллова, Л.Г.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)