[Текст] : радиационные процессы и радиационная стойкость / К.К. Шварц, Ю.А. Экманис. - Рига : Зинатне, 1989. - 187 с. : ил., табл. - (Физика твердого состояния). - Библиогр.: с. 164-182. - Предм. указ.: с. 183-185 . - ISBN 5-7966-0134-2. - 1.70 р.
ББК В37
Аннотация: В радиационных процессах, протекающих в диэлектрических материалах при больших поглощенных дозах излучения, решающую роль играют агрегация точечных дефектов и радиолиз. В щелочно-галоидных кристаллах при определенных дозах основными радиационными дефектами являются агрегатные и макродефекты - металлические коллоиды и агрегаты анионных продуктов радиолиза. В оксидных материалах при облучении быстрыми нейтронами также происходит агрегация точечных дефектов, приводящая к изменению плотности вещества. В этих соединениях образование металлических коллоидов менее выражено, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Радиационные дефекты в оксидных материалах образуются по ударному механизму, что определяет их более высокую радиационную стойкость по сравнению со щелочно-галлоидными кристаллами, в которых реализуется электронный механизм генерации дефектов. В монографии освещена также проблема радиационной стойкости диэлектрических материалов, использующихся в ядерной и термоядерной энергетике, в твердотельной электронике. Коротко рассмотрены вопросы лучевой стойкости лазерных материалов. Анализируется экологический аспект захоронения радиоактивных отходов в пластах каменной соли.
Держатели документа: ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа: Экманис, Ю.А.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)
