Сводный каталог книг

/ А. Н. Ковалев ; Мос. гос. ин-т стали и сплавов. - М. : Издат. Дом МИСИС, 2011. - 363 с. ; 21 см. - Библиогр.: с. 353-363. - 200 экз. - ISBN 978-5-87623-489-6 : 531.00 р., 531.00 р.

ГРНТИ	47.09.48	47.13.07	47.33
УДК	621.315.592^V3

ББК З852.3 + З 852.3

Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространённых приборов полупроводниковой электронники- биполярных и полевых транзисторов- в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления , называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологического университета)
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

/ Б. Робертсон ; пер. с англ. Е. М. Лейкина. - М. : Мир, 1985. - 272 с. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ. - Пер. изд. : Modern physics for applied science / C. Robertson. - 15000 экз. - 1.60 р., 1.60 р., 1 р. р.
    Содержание:
Специальная теория относительности
Электрон с точки зрения практических применений
Истоки современной физики
Квантовая теория атома
Квантовая теория молекулы
Прикладная атомная и молекулярная физика; лазеры
Твердое состояние вещества
Прикладная физика твердого тела
Ядро
Практическое использование ядерной энергии
Сечения взаимодействия
Резерфордовское рассеяние

ГРНТИ	29
УДК	530.1	621.315.592

ББК В3

Аннотация: Написанная канадским физиком книга для студентов нефизических специальностей дает наглядное представление о физических основах явлений, используемых для создания многих современных технических устройств, в том числе в электронике (прежде всего твердотельной), лазерной оптике, ядерной энергетике и т.д. В книге много иллюстраций, каждая глава снабжена задачами. По своему замыслу и назначению близка к хорошо известной советскому читетелю книге Р. Спроула "Современная физика" (М. Мир, 1974). Для инженерно-технических работников, преподавателей общей физики и студентов втузов (как учебное пособие или справочник).

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Лейкин, Е. М. \пер.\; Robertson, C.
Экземпляры всего: 4
ИФ-КФ (2), ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (2), ИВМ-Фонд (1), ИХХТ-АБ (1)

[Текст] : сб. науч. тр. / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников ; Отв. ред. Неизвестный И.Г. - Новосибирск : Институт физики полупроводников СО РАН, 1996. - 326 с. : ил. - Текст рус., англ. - Указ. авт.: с. 307-310. - ISBN 5-7623-1179-1 : 10.00 р.

УДК

621.315.592

539.1

Аннотация: Сборник состоит из рефератов теоретических и экспериментальных работ, выполненных сотрудниками Института физики полупроводников в 1994-95г.г., опубликованных и отосланных в печать в зарубежные и российские журналы. Рефераты отражают результаты исследований в области микроэлектроники, микрофотоэлектроники, физики поверхности, радиационной физики полупроводников, лазерной физики, акустоэлектроники, технологических основ получения полупроводниковых структур, в том числе структур с пониженной размерностью, и исследованию их свойств. Небольшая глава посвящена методам математической обработки массивов информации в распределенных вычислительных системах. Сборник представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников и диэлектриков, физики твердого тела, микроэлектроники, квантовой электроники, акустоэлектроники и может быть полезен для студентов старших курсов университетов, специализирующихся в перечисленных выше научных направлениях.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / В.И. Полежаев, А.В.Бунэ, Н.А. Верезуб и др. - Москва : Наука, 1987. - 272 с. : ил + табл. - Библиогр.: с.256-268. - 3.30 р.

УДК

532.516.5:518.5

621.315.592

551.465

ББК З312.4в641

Аннотация: В монографии систематизированы полученные в последние годы результаты изучения процессов конвекции, тепло- и массообмена на основе двумерных нестационарных уравнений Навье-Стокса в приближении Буссинеска. Рассмотрены методы численного решения уравнений Навье-Стокса и ускорения расчётов с помощью конвейерной обработки, методы графической и статистической обработки результатов расчётов. Изложены математические модели и результаты исследований конвекции, тепло- и массообмена для технических, технологических приложений, в геофизической гидродинамике. Приведены сведения о специальном математическом обеспечении, разработанном для решения данного класса задач. Книга предназначена для специалистов в области механики жидкости и газа, вычислительной гидродинамики, теплофизики, геофизической гидродинамики, а также для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специальностей.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / В. Денис, И. Левитас [и др.] ; Под ред. Ю. Пожелы. - Вильнюс : Мокслас, 1980. - 175 с. : ил. + табл. - (Электроны в полупроводниках ; 2). - Библиогр.: с. 168-169 . - В надзаг.: Ин-т физики полупроводников АН ЛитССР. - 1.90 р.

УДК	621.315.592

Аннотация: Второй выпуск серии посвящен полупроводниковым преобразователям сильного СВЧ электрического поля, магнитного поля и гидростатического давления. Описываются физические явления, лежащие в основе работы преобразователей, приводятся разработанные авторами оригинальные принципы конструирования преобразователей и примеры их использования в различных СВЧ устройствах и технике электро- и магнитоизмерений.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Левитас, И.; Стаёрайтис, К.; Шимулите, Е.; Юцене, В.; Матулёнис, А.; Паужа, А.; Пожела, Ю.; Скучас, Ю.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

/ М. Катлер ; Перевод с английского кандидата физико-математических наук М. В. Садовского и Ю. Ф. Рыжкова под редакцией доктора физико-математических наук А. А. Андреева и кандидата физико-математических наук В. А. Алексеева. - Москва : Мир, 1980. - 256 с. : ил ; 22. - Перевод с английского. - Библиогр.: с. 247-254. - Пер. изд. : Liquid Semiconductors / Cutler Melvin. - New York, 1977. - 4100 экз. - (в пер.) : 2.60 р., 2.60 р.

ГРНТИ	29.17.27	29.19.31
УДК	537.311.33	621.315.592

ББК В331

Аннотация: В монографии рассматриваются теоретические вопросы электронной структуры жидких полупроводников. Рассматривается интерпретация экспериментальных данных на основе теории молекулярных связей. (Квазихимическое приближение). Показана связь состава полупроводника с его электронным строением и свойствами.

Держатели документа:
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Садовский, М.В. (доктор физико-математических наук) \пер.\; Рыжков, Ю.Ф. \пер.\; Андреев, А.А. (доктор физико-математических наук) \ред.пер.\; Алексеев, В.А. (кандидат физико-математических наук) \ред.пер.\; Телесин, Н. \науч. ред.\; Melvin, Cutler
Экземпляры всего: 2
ЦНБ-ХР (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-ХР (1), ИХХТ-АБ (1)

[Текст] / Siberian Brand of Russian Akademy of Sciences, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, Institute of Semiconductor Physics SB RAS, , Russian Foundation for Basic Research ; Siberian Brand of Russian Akademy of Sciences, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, Institute of Semiconductor Physics SB RAS, , Russian Foundation for Basic Research. - Новосибирск : [s. n.], 2009. - 60 p. : ил. - Библиогр. в конце некот. ст. - ISBN 978-5-901688-16-8 : 29.00 р.
Перевод заглавия: Fourth Joint Russia - China Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices;15-16 June 2009, Novosibirsk, Russia; Program and Abstracts Book
   Перевод заглавия: Fourth Joint Russia - China Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices;15-16 June 2009, Novosibirsk, Russia; Program and Abstracts Book

ГРНТИ	47.33.29
УДК	621.315.592

ББК З 85

Аннотация: В сборнике представлены тезисы докладов четвертого семинара по проблемам создания и исследования новых процессов получения и применения современных полупроводниковых материалов, организуемого Институтом неорганической химии СО РАН и Институтом полупроводников КАН. В докладах рассматривается современное состояние и направления развития основного материала современной электроники- полупроводникового кремния.

Держатели документа:
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
КосиноваМ.Л.; Siberian Brand of Russian Akademy of SciencesNikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS; Institute of Semiconductor Physics SB RAS; Institute of Semiconductor CAS; Russian Foundation for Basic Research
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)