/ Ф. А. Кузнецов [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии им. А.В. Николаева, Иркут. ин-т орган. химии им. А.Е. Фаворского, Ин-т физики полупроводн. им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. : ил. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Авт. указ. на с.172. - Библиогр.: с. 156-171. - 330 экз. -
ISBN 978-5-7692-1272-7. -
ISBN 978-5-7692-0669-6. -
ISBN 978-5-7692-1272-7 : 5.00 р., 5 р., 1400.00 р.
Содержание: Синтез и характеризация летучих комплексов металлов Ru, Ir, Cu, Ni с органическими лигандами Новые реагенты для получения пленок карбонитрида кремния Термодинамическое моделирование процессов осаждения из газовой фазы. Построение CVD-диаграмм Осаждение металлических пленок Ru, Ir, Cu, Ni методом МО CVD Разработка процессов получения двух- и трехкомпонентных оксидных пленок из β-дикетонатных комплексов металлов От кремнийорганических соединений-предшественников к многофункциональным покрытиям из карбонитрида кремния CVD-синтез пленок и покрытий на основе фаз системы D-C-N Исследование химического состава пленок Si(B)C[[d]]x[[/d]]N[[d]]y[[/d]] методами РФЭС- и Оже-спектроскопии ББК В379.212.6 + З843.3 + З 856-06 + З 856-06
Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийор-ганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе НЮ2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Кузнецов, Ф. А.; Воронков, Михаил Григорьевич; Борисов, В. О.; Игуменов, И. К.; Смирнова, Т. П. \отв. ред.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-АБ (1)
