Сводный каталог книг

/ Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; ред. А. Л. Асеев. - 2-е изд., стер. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2007. - 367 с. : ил. - Библиогр. в конце параграфов. - Авт. указаны в огл. - 300 экз. - ISBN 978-5-7692-0963-5 : 168.00 р., 240.00 р.

47.03.05	47.13
621.38-022.53^V3

ББК З856 + З 856-06


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Асеев, Александр Леонидович \ред.\; Российская академия наукСибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

/ А. А. Афонский, В. П. Дьяконов ; под ред. В. П. Дьяконова. - М. : ДМК Пресс, 2011. - 687 с. ; 21 см. - Библиогр.: с. 679-687. - 300 экз. - ISBN 978-5-94074-626-3 : 899.00 р., 899.00 р.
    Содержание:
Средства и объекты нанотехнологий
Измерения на постоянном токе
Измерения на переменном токе
Измерительные генераторы сигналов
Современные электронные осциллографы
Искусство осциллографии
Анализаторы сигналов, спектра и цепей
Последовательные и логические анализаторы, осциллографы смешанных сигналов
Исследование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Измерение параметров оптико-электронных приборов

ГРНТИ	47.61	47.03.05	47.01	47.01
УДК	621.38-022.53^V3

ББК З842-5 + З 844.1 + З 842 + З 841.1 + З 856-06 + З 973.26-108.2

Аннотация: Первая в России книга по самым современным электронным электро- и радиоизмерениям и измерительным приборам, применяемым в научных исследованиях, тестировании и испытании устройств и систем микроэлектроники и нанотехнологий. Впервые подробно описаны средства измерений, применяемые в условиях крупносерийного микроэлектронного производства, и приборы ведущих в их разработке и производстве фирм: Keithley, Tektronix, Agilent Technologies, LeCroy, R&S и др. Особое внимание уделено анализу и генерации тестовых сигналов, измерению их параметров в области малых и сверхмалых времен, измерению сверхмалых токов и напряжений, анализу импеданса и иммитанса цепей, измерениям статических и динамических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и др. Является самым крупным обзором современных зарубежных и отечественных измерительных приборов на рынке России и мира. Для инженеров, научных работников, аспирантов, преподавателей и студентов вузов и университетов технического и классического типов.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Дьяконов, Владимир Павлович
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)

/ Л. В. Кожитов [и др.] ; Юго-западный гос. ун-т. - 2-е изд., перераб. и испр. - Курск : ЮЗГУ, 2012. - 861 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - Авт. указаны на обороте тит. л. - 2000 экз. - ISBN 978-5-7681-0760-4 : 889.52 р., 889.52 р.
    Содержание:
Выращивание монокристаллов полупроводников из расплава. Модели, технология и оборудование
Основы технологических расчетов и оборудование для процессов выращивания эпитаксиальных слоев полупроводников
Технология и математические модели плазменных, ионных и диффузионных процессов для электроники
Современные материалы на основе углерода для нанотехнологий

ГРНТИ	29.19.22	47.09.48	47.13.07	81.09.30	81.13.30	47.13	47.13	47.13	47.33.37
УДК	621.38-022.53^V3

ББК З843.308 + З 843.308 + З 843.308

Аннотация: Приведены теоретические основы и математические модели процессов выращивания монокристаллов полупроводников из расплава. Рассмотрены основы эпитаксиального роста плёнок полупроводников и оборудование для их производства, а также процессы плазмохимических технологий и высокоэнергетичных воздействий получения материалов для электроники. Изложены основные методы получения современных нанокомпозитных материалов на основе углерода, проанализированы основные модели процессов, определены перспективы развития технологий. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области получения и исследования материалов микро- н наноэлектроники, а также может быть использована для подготовки специалистов по таким направлениям, как 210100 «Электроника и наноэлектроника», 152200 «Наноинженерия», 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Кожитов, Лев Васильевич; Емельянов, Сергей Геннадьевич; Косушкин, Виктор Григорьевич; Стрельченко, С. С.; Пархоменко, Ю. Н.; Козлов, В. В.; Кожитов, С. Л.; Юго-западный государственный университет
Экземпляры всего: 4
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)

[Текст] : методы и применение / Р. Андерхальт [и др.] ; под ред. У.Жу, Ж.Л. Уанг ; ред. пер. Т.П. Каминская ; пер. с англ. С.А. Иванова, К.И. Домкина. - Москва : Бином. Лаборатория знаний, 2013. - 582 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Scanning Microscopy for Nanotechnology : Techniques and Applications. - ISBN 978-5-9963-1110-1. - ISBN 978-5-9963-11 10-1 : 1320.00 р., 1320.00 р.

ГРНТИ	47
УДК	621.3	621.38-022.53

ББК З85 + Ж36-1с341.2,0 + Ж607с341.2,0

Аннотация: Монография посвящена рассмотрению методов растровой электронной микроскопии (РЭМ) применительно к нанотехнологиям и включает не только исследование характеристик различных наноматериалов, наноструктур и нанобъектов, но и технологию их изготовления in situ. В книге под редакцией известных ученых собраны статьи и обзоры видных специалистов в областях, относящихся к нанотехнологиям. Рассмотрены различные типы РЭМ, включая просвечивающие микроскопы с высоким разрешением, рентгеновский микроанализ, новейшие методы получения изображения посредством обратно рассеянных электронов, а также методы электронной криомикроскопии для исследования биообъектов. Использование РЭМ включает изучение наночастиц, нанопроволок, нанотрубок, трехмерных наноструктур, квантовых точек, магнитных наноматериалов, фотонных кристаллов и биологических наноструктур. Книга предназначена не только для широкого круга практических специалистов в сфере нанотехнологий, но может быть использована также студентами вузов и разработчиками новых типов растровых электронных микроскопов.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Андерхальт, Роберт; Анзалоне, Поль; Апкариан, П. Р.; Борисевич, А.; Карунту, Даниела; Жу, Уэйли \ред.\; Уанг, Жон Лин \ред.\; Иванов, С.А. \пер.\; Домкин, К.И. \пер.\; Каминская, Т.П. \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1), ИБФ-ООН
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : [монография] / В. А. Гриценко, Е. И. Тысченко, В. П. Попов, Т. В. Перевалов ; отв.ред. А. Л. Асеев. - Новосибирск : Издательство Сибирского отделения Российской академии наук, 2010. - 257,[1] с. : ил. + 25 см. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-7692-1081-5 (в пер.) : 5.00 р.

ГРНТИ	47.09
УДК	621.38-022.53

ББК З844.19-037,0 + В379.3,0

Аннотация: Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строения пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектричесих пленках, электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров, магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.

Держатели документа:
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Тысченко, Е.И.; Попов, В.П.; Перевалов, Т.В.; Асеев, А.Л. (академик) \отв.ред.\; . Российская академия наук. Сибирское отделение; Институт физиики полупрводников им. А,В, Ржанова
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)

: методы и применение / [Р. Андерхальт, П. Анзалоне, П. Р. Апкариан и др.] ; под ред. У. Жу, Ж. Л. Уанга ; перевод с англ. С. А. Иванова, К. И. Домкина ; под ред. Т. П. Каминской. - Москва : Бином. Лаборатория знаний, 2012. - 582 с., [8] л. ил. : ил. ; 24 см. - Предм. указ.: с. 574-582. - Библиогр. в конце гл. - Пер. изд. : Scanning microscopy for nanotechnology. - 700 экз. - ISBN 978-5-9963-1110-1 (в пер.) : 1320 р.
Авт. указаны на 5-й с.

ГРНТИ	81.09	81.13
УДК	621.38-022.53^V3

ББК Ж364-1в733 + Ж607в733

Аннотация: Монография посвящена рассмотрению методов растровой электронной спектроскопии (РЭМ) применительно к нанотехнологиям и включает не только исследование характеристик различных наноматериалов, наноструктур и нанообъектов, но и технологию их изготовления in sity. Рассмотрены различные типы РЭМ, включая просвечивающие микроскопы с высоким разрешением, рентгеновский микроанализ, новейшие методы получения изображения посредством обратно рассеянных электронов, а также методы электронной микроскопии для исследования биообъектов.


Доп.точки доступа:
Андерхальт, Роберт; Анзалоне, Поль; Апкариан, П. Р.; Жу, Уэйли \ред.\; Каминская, Т. П. \ред.\; Уанг, Жон Лин \ред.\; Иванов, С. А. \пер.\; Домкин, К. И. \пер.\
Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)