Сводный каталог книг

: справочник / О. Н. Партала. - Киев : Радiоаматор ; М. : КУбК-а, 1998. - 720 с. : ил., табл. - На обл. авт. не указан. - ISBN 966-95143-2-3. - ISBN 5-85554-163-0 : 32.00 р.32.00 р.

ГРНТИ	47.09
УДК	621.382%ББК 32.844-04я2+32.843я2

ББК З840я22


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-ЧЗ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-ЧЗ (1)

/ В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р., 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния

ГРНТИ	61.31.47	45.09.35	29.19.31	47.09.29	53.41.31
УДК	621.382^V3

ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2 + Л253.2

Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)

[Текст] : сборник / Отв. ред. Л.В. Великов. - Москва : Наука, 1992. - 100 с. : ил. - (Труды ФТИАН Рос. акад. наук, ISSN 0868-7129 ; т.4). - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-02-006868-3 : 2.50 р.

УДК

621.382

ББК З-844

Аннотация: Сборник посвящен физическим основам новых технологических процессов структурирования полупроводниковых, металлических и сверхпроводящих слоев для сверхбольших интегральных схем: ионно-плазменных и лазерно-стимулированных процессов травления и нанесения с локальностью до долей микрона. Значительное внимание уделяется процессам субмикронной литографии: лазерной (эксимерной) и электронной. Описаны примеры реализации в виде отдельных элементов с субмикронными размерами. Рассматривается проблема моделирования упомянутых выше процессов и приборов, реализованных с их помощью. Для специалистов в области микроэлектроники.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : Учеб.пособиедля студ.вузов по спец."Промышленная электроника" / О.Г. Вендик, Ю.Н.%Горин; Мин.высш.и сред.спец.образов.СССР. - Москва : Высшая школа, 1984. - 240 с. : ил + табл. - Библиогр: с.237-238. - 0.40 р.

УДК	621.382%ББК 32.85

Аннотация: В книге изложены основы физических процессов, протекающих при воздействии на вещество пучков электронов, ионов или квантов света; рассмотрены особенности формирования названных пучков в технологических установках.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Горин, Ю.Н.; Попов, В.Ф.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : уч.пособие / И.А. Парфианович, Ю.С.%Мухачев; Отв.ред. Э.Э.Пензина. - Иркутск : ИГУ им. А.А. Жданова, 1979. - 91 с. : ил. - Библиогр: с.92-93 В надзаг.: Мин-во высш. и ср.спец. образ. РСФСР, ИрГУ им.А.А.Жданова. - 0.50 р.

УДК

621.382

Аннотация: В учебном пособии рассмотрены особенности электронных процессов в широкозонных полупроводниках. Основное внимание обращено на вопросы, которые отсутствуют в традиционных курсах физики полупроводников: термо- и фотостимулированная проводимость и деполяризация, электронный эффект. Пособие предназначено для студентов и аспирантов соответствующих специальностей. Оно также может быть полезно научным работникам, работающим в области физики твердого тела.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Мухачев, Ю.С.; Татаринов, В.С.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : монография / А.Н. Игнатов. - Москва : Связь, 1979. - 192 с. : ил. - Библиогр.: с. 187-190. - 0.70 р.

УДК	621.382%ББК 32.848.2

Аннотация: В книге рассмотрены вопросы теории и применения полевых транзисторов, работающих в режиме управляемого сопротивления, управляемой крутизмы, усиления, ключа, в режиме с прямыми токами затвора и комбинированном режиме. Приведены результаты исследования свойств более десяти типов отечественных полевых транзисторов. Рассмотрены особенности инженерного синтеза устройств связи, выполненных с использованием полевых транзисторов. Приведены практические схемы устройств связи на дискретных полевых транзисторах и на интегральных схемах. Книга рассчитана на инженерно-технических работников, специализирующихся в области техники связи.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : сб.тр. / Отв.ред. В.П.Деркач. - Киев : [б. и.], 1981. - 88 с. : ил. - Библиогр. в конце тр. В надзаг.: АН УССР, Научный совет по проблеме "Кибернетика", Ин-т кибернетики. - 0.25 р.

УДК

621.382

Аннотация: Излагаются результаты исследования физических и конструктивно-технологических вопросов построения интегральных элементов вычислительной техники. Рассматриваются особенности работы и практического использования криоэлектронных устройств на основе эффекта Джосефсона, ЗУ на вакуумно-осажденных тонких магнитных пленках, некоторых видов устройств оптической и электронной обработки информации. Сборник предназначен для специалистов в области микроэлектроники, приборостроения и вычислительной техники.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : Монография / Под ред. Дж. Поута, К.ТУ, Дж. Мейера ; Пер. с англ., под ред. В.Ф. Киселева и В.В. Поспелова. - Москва : Мир, 1982. - 576 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Thin Films - Interdiffusion and Reactions/ J.M. Poate, K.N. Tu, J.M. Mayer. - 5.80 р.

УДК

621.382

ББК Г582,0 + В375,6-6 + В377,15-6 + З844.1.0

Аннотация: Коллективная монография (США и Нидерланды), посвященная явлениям переноса вещества в тонких пленках и процессам физико-химического взаимодействия металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок. Рассмотрен широкий круг вопросов: проблемы твердотельной микроэлектроники, металлофизика и металлохимия границ раздела, методы получения и исследования тонких пленок, явления на границах зерен, реакции и взаимопроникновения в слоистых структурах, электрические характеристики границ раздела, имплантационная металлургия. Для научных работников (физиков, химиков) и инженеров, занимающихся физикой полупроводников, микроэлектроникой, созданием полупроводниковых приборов, катализом, коррозией.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Поут, Дж.; Ту, К.; Мейер, Дж.; Розенберг, Р.; Салливан, М.; Говард, Дж.; Филлипс, Дж.; Мак-Калдин, Дж.; Мак-Гилл, Т.; Лау, С.; Гупта, Д.; Кэмпбелл, Д.; Хо, П.; Д,Эрл, Ф.; Бэглин, Дж.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : в 2 томах: перевод с немецкого / У. Титце, К. Шенк. - москва : ДМК Пресс. - 2008. - 827 с. : ил. - (Схемотехника). - Библиогр.: с. 827. - ISBN 978-5-94120-200-3 (в пер.). - ISBN 3-540-42849-6 : 515.00 р.

УДК	621.382^V3

ББК З851.2

Аннотация: "Полупроводниковая схемотехника" - перевод 12-го издания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофера Шенка (в 1982 году издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания из этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т.д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких / высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Шенк, Кристоф
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

[Текст] : в 2 томах; перевод с немецкого / У. Титце, К. Шенк. - москва : ДМК Пресс : Додэка-XXI. - 2008. - 942 с. : ил. - (Схемотехника). - Предм. указ.: с.934-941 . - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Halbleiter-schaltungstechnik / U. Tietze, Ch. Schenk. - Berlin Heidelberg. - ISBN 978-5-94120-200-3 (в пер.) : 515.00 р.

УДК

621.382

ББК З852

Аннотация: "Полупроводниковая схемотехника" - перевод 12-го издания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофера Шенка (в 1982 году издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания из этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т.д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых систем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Шенк, Кристофер; Tietze, U. Schenk, Ch.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)

: учебник для инженерно-физических и физико-технических специальностей вузов. - М. : Атомиздат, 1980. - 392 с. : ил. - Библиогр.: с. 386. - Алф.-Предм. указ.: с. 387-388. - 1.10 р.

ГРНТИ	47.01.33
УДК	621.382

ББК З 85я73


Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)

/ Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. - М. : Радио и связь, 1990. - 255 с. : ил. - Библиогр.: с. 253. - ISBN 5-256-00725-4 (в пер.) : 1.30 р.

ГРНТИ	47
УДК	621.382

ББК З 852



Доп.точки доступа:
Костюнина, Галина Петровна
Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)

[Текст] : научное издание / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. - М. : Советское радио, 1980. - 296 с. : ил. - Библиогр.: с. 290-292. - Предм. указ.: с. 293-294. - 1.00 р.

ГРНТИ	47
УДК	621.382

ББК З 85



Доп.точки доступа:
Стафеев, Виталий Иванович
Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)

[Текст] : учебное пособие для физических специальностей вузов / К. С. Ржевкин. - Москва : Издательство Московского университета, 1986. - 257 с. : ил. - Библиогр.: 13 назв. - 0.75 р.

ГРНТИ	29.35
УДК	621.382

ББК З852я73 + В379.2я73


Экземпляры всего: 1
ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИХХТ-АБ (1)

[Текст] : производственно-практическое издание / Н. Н. Васерин, Н. К. Дадерко, Г. А. Прокофьев; Е. С. Липин ; Под ред. Е. С. Липина. - М. : Энергоатомиздат, 1991. - 199 с. : орн. - Библиогр.: с. 195 - 196. - ISBN 5-283-01524-6 : 2.00 р.

УДК

621.382

681.2

ББК З965-048.42



Доп.точки доступа:
Дадерко, Николай Кононович; Прокофьев, Геннадий Александрович; Липин, Е. С. \ред.\ , ИБФ-ООН
Свободных экз. нет