| УДК |
Аннотация: Рассмотрены конструктивно-технологические особенности, схемотехника и вопросы проектирования полупроводниковых ИС памяти на биполярных транзисторных структурах. Изложены основные принципы проектирования и выбора режимов работы интегральных накопителей и схем управления ими. Рассмотрены перспективы дальнейшего увеличения мкости и повышения быстродействия биполярных ИС памяти. Книга рассчитана на инженеров, студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа:
Орликовский, А.А.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)