Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
   З 973.2
   В887

    Устройства сверхбыстродействующей памяти на туннельных диодах
[Текст] : монография / В.А. Вуль, Б.Г. Трайто. - Ленинград : Энергия, 1969. - 160 с. : ил. - Библиогр.: с. 150-154. - 0.60 р.
ББК З 973.2

Кл.слова (ненормированные):
ЦИФРОВАЯ ТЕХНИКА -- НАНОСЕКУНДНЫЕ СХЕМЫ

Аннотация: Книга посвящена вопросам проектирования и исследования устройств сверхбыстродействующей памяти, время выборки из которых составляет единицы-десятки наносекунд. Такие устройства находят широкое применение в цифровых вычислительных и управляющих машинах с высокой производительностью, в некоторых устройствах ядерной физики и автоматики. Книга рассчитана на научных работников, аспирантов, инженеров и студентов старших курсов, специализирующихся в области цифровой техники и наносекундных схем.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Трайто, Б.Г.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)
   З 97
   В887

    Логические и запоминающие схемы наносекундного диапазона
[Текст] : монография / В.А. Вуль, Т.Г. Трайто. - Ленинград : Энергия, 1970. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 293-300. - 1.25 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Аннотация: Монография посвящается вопросам аналитического и экспериментального исследования, разработки и применения логических и запоминающих схем, в которых длительность переходных процессов не превышает единиц и десятков наносекунд. В качестве активных элементов описываемых схем используются высокочастотные транзисторы, туннельные, накапливающие, импульсные и СВЧ-переключательные диоды. Рассматриваются как общие особенности наносекундных схем (предельные размеры элементов, виды и способы уменьшения помех), так и расчеты новых типов логических и запоминающих цепей (с избирательностью сброса, трехдиодных, радиоимпульсных и т.д.). Книга предназначается для широкого круга специалистов по вычислительной технике и радиоэлектронике, а также для аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44

Доп.точки доступа:
Трайто, Т.Г.; Яковлев, В.В.
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)