[Текст] : Учеб. для вузов по направлению подгот. бакалавров и магистров "Материаловедение и технология новых материалов" и направлению подгот. дипломир. специалистов "Материаловедение, технологии материалов и покрытий" / С.С.
Горелик, М.Я. Дашевский. - 2-е изд., перераб. и доп. - Москва : МИСИС, 2003. - 480 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 472-475. - Предм. указ.: с. 475-480. -
ISBN 5-87623-018-7 : 745.00 р.
ББК З843я73
Аннотация: Рассмотрены свойства различных полупроводниковых и диэлектрических материалов и частично металлов, используемых в твердотельной электронике. Показано влияние природы химических связей, химического и фазового состава, атомной структуры и структурных несовершенств на свойства этих материалов. Проанализированы различные способы управления этими свойствами, способы легирования полупроводниковых и диэлектрических фаз, процессы распада пересыщенных твердых растворов и предраспадные явления, процессы геттерирования и другие. Рассмотрены фазовые и структурные превращения и их механизмы при кристаллизации, получении монокристаллов, поликристаллических и аморфных полупроводников и диэлектриков, пленок и многослойных гомо- и гетероэпитаксиальных композиций с заданными свойствами. Предназначен для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Материаловедение и технология новых материалов" и направлению подготовки дипломированных специалистов "Материаловедение, технологии материалов и покрытий".
Держатели документа: ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа: Дашевский, Михаил Яковлевич
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)