Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочная технология%интегральная схема%ионное распыление%осаждение пленок%вакуумно-технические%плазменные процессы
Аннотация: Показана роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Анализируются основные факторы, определяющие процесс ионного распыления. Рассматривается осаждение пленок магнетронным, термоионным,ионнокластерным и электронно=циклотронным методами, а также стимулирование плазмой осаждение пленок из газовой фазы при пониженном давлении. Показаны пути обеспечения вакуумно-технических параметров в установках для осаждения тонких пленок. Рассмотрены перспективы применения плазменных процессов в производстве интегральных схем. Для научных и инженерно-технических работников, использующих в своей практической работе осаждение пленок с помощью низкотемпературной плазмы. Может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)