/ Л. В. Кожитов [и др.] ; Юго-западный гос. ун-т. - 2-е изд., перераб. и испр. - Курск : ЮЗГУ, 2012. - 861 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - Авт. указаны на обороте тит. л. - 2000 экз. -
ISBN 978-5-7681-0760-4 : 889.52 р., 889.52 р.
Содержание: Выращивание монокристаллов полупроводников из расплава. Модели, технология и оборудование Основы технологических расчетов и оборудование для процессов выращивания эпитаксиальных слоев полупроводников Технология и математические модели плазменных, ионных и диффузионных процессов для электроники Современные материалы на основе углерода для нанотехнологий ББК З843.308 + З 843.308 + З 843.308
Аннотация: Приведены теоретические основы и математические модели процессов выращивания монокристаллов полупроводников из расплава. Рассмотрены основы эпитаксиального роста плёнок полупроводников и оборудование для их производства, а также процессы плазмохимических технологий и высокоэнергетичных воздействий получения материалов для электроники. Изложены основные методы получения современных нанокомпозитных материалов на основе углерода, проанализированы основные модели процессов, определены перспективы развития технологий. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области получения и исследования материалов микро- н наноэлектроники, а также может быть использована для подготовки специалистов по таким направлениям, как 210100 «Электроника и наноэлектроника», 152200 «Наноинженерия», 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника».
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Доп.точки доступа: Кожитов, Лев Васильевич; Емельянов, Сергей Геннадьевич; Косушкин, Виктор Григорьевич; Стрельченко, С. С.; Пархоменко, Ю. Н.;
Козлов, В. В.; Кожитов, С. Л.; Юго-западный государственный университет
Экземпляры всего: 4
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ИВМ-Фонд (1), ЦНБ-АБ (1)
