Сводный каталог книг

: Учебное пособие / Кравченко А.Ф. ; Рос. акад. наук. Сиб. отд., Ин-т физики полупроводников, Мин-во образов. и науки РФ, Федер.агентство по образованию, НГУ, НГТУ. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2005. - 359 с. : ил. - Библиогр.: с. 358-359. - ISBN 5-7692-0717-5 : 10.00 р., 5.00 р.

ГРНТИ	12.01	81.01.07
УДК	001(075.8)

ББК Ч21я73 + Ж.я73 + Ч-21я73-1 + Ю25я73-1


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИВМ-Фонд (1)

/ А. Ф. Кравченко, В. Н. Овсюк. - Новосибирск : Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. - 447 с. : ил. - Библиогр.:с.433-447. - ISBN 5-7615-0498-7 : Б. ц.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.23


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овсюк, Виктор Николаевич
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (3)
Свободны: ИФ-КФ (2)

: учеб. пособие для вузов / А. Ф. Кравченко ; отв. ред. И. Г. Неизвестный. - Новосибирск : Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. - 444 с. : ил. - Предм. указ.: с. 439-442. - ISBN 5-7615-0489-8 : Б. ц.

ГРНТИ

47.03

ББК З852я73


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Неизвестный, И. Г. \ред.\
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ А. Ф. Городецкий, А. Ф. Кравченко, Е. М. Самойлов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1966. - 350 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 3700 экз. - 1.98 р.
    Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте

ГРНТИ

29.19.31

ББК З852 + В379.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Л. Н. Александров ; ред. А. Ф. Кравченко ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1978. - 272 с. - Библиогр.: 483 назв. - 2300 экз. - 50.00 р.

ГРНТИ

29.19.31

47.09.29

ББК В379.226


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович \ред.\; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР; Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)