Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 2
   В37
   З-17

    Диффузия в металлах. Процессы обмена мест
/ В. Зайт ; пер. со 2-го перераб. и расшир. нем. изд. Г. С. Куликова и Р. Ш. Малковича, под ред. Б. И. Болтакса. - М. : Изд-во иностр. лит., 1958. - 381 с. : граф., табл., фот. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Diffusion in Metallen. Platswechselreaktionen / Wolfgang Zeith. - 1.76 р.
    Содержание:
Определение коэффициента диффузии. Уравнения Фика
Методы исследования диффузии
Результаты экспериментальных исследований диффузии
Общие закономерности и теория
Зависимость коэффициента диффузии от концентрации
Определение коэффициентов диффузии в случае изменения объема
Соотношение между коэффициентами самодиффузии и гетеродиффузии в бинарных твердых растворах
Диффузионные процессы в многофазных системах
Анизотропия диффузии в кристаллах
Диффузия по поверхности и диффузия по границам зерен
Диффузия растекания
Влияние третьей компоненты на диффузию
Теория выделения фаз
Различные процессы, связанные с обменом мест в кристаллах
Спекание
использование поцессов диффузии в технике
Явления переноса в сплавах
Диффузия в жидких сплавах
Диффузия газов в металлах
Расчетные таблицы
ГРНТИ
ББК В375.6я73 + К204.32я73


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Куликов, Г. С. \пер.\; Малкович, Р. Ш. \пер.\; Болтакс, Б. И. \ред. пер.\; Zeith, Wolfgang
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В 379
   М 194

    Математика диффузии в полупроводниках
[Текст] : монография / Р.Ш. Малкович. - Санкт-Петербург : Наука, 1999. - 389 с. : ил. - ISBN 5-02-024859-2 : 8.50 р.
УДК

Аннотация: Представлен математический анализ как общих феноменологических закономерностей атомной диффузии в твердых телах, так и специфических особенностей атомной диффузии в полупроводниках, определяемых взаимодействием ионизированных примесей и точечных дефектов с электронно-дырочной подсистемой. Книга предназначена для научных работников в области физики твердого тела и физической химии, а также для практиков в области материаловедения и технологии полупроводниковых приборов.

Полный текст на сайте РФФИ

Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)