/ Л. С.
Палатник, И. И. Папиров. - М. : Наука, 1971. - 480 с. : граф., табл., фот. - Библиогр.: с. 450-480. - 4300 экз. - 2.19 р., 2.19 р.
ББК В371.26 + В375.14
Аннотация: Книга посвящена ориентированной кристаллизации (эпитаксии) на анизотропных поверхностях. Главное внимание уделено монокристальным пленкам, получаемым при химическом росте и конденсации веществ из паровой фазы в вакууме. Рассмотрены теории конденсации и ориентированной кристаллизации, структура тонких пленок и ориентационные соотношения, механизмы роста конденсатов, а также практические приложения монокристальных пленок. Особое внимание обращено на тонкие пленки полупроводников, в частности рассмотрена роль автоэпитаксии полупроводниковых элементов и соединений в микроминиатюризации электронных устройств. Описаны такие важные приложения эпитаксии, как высокоразрешающая микроскопия с помощью муаровых картин, избирательное декорирование кристаллических дефектов и др.
содержание книги Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Доп.точки доступа: Папиров, Игорь Исаакович
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)