| УДК |
Аннотация: На основе анализа синаптического управления локальными конформациями элементов сомато-дендритной мембраны разработана модель нейронной памяти. Исследованы гистерезисные свойства этих элементов и их селективность к паттернам афферентных сигналов. По критерию минимальных информационных потерь оптимизированы точность и емкость одно- и многоуровневых структур памяти, оценена устойчивость энграмм к повреждениям конформационной среды. Тот же критерий позволяет оценить параметры сенсорных систем: найдены оптимальные размеры рецептивных полей сетчатки, оптимизированы межслойные связи наружных коленчатых тел. Процессорные свойства нейроструктур представлены примерами сжатия и оптимальной обработки изображений на сетчатке глаза, последующей точностной фильтрации афферентации в наружных коленчатых телах. Книга адресуется специалистам по математическому моделированию, искусственному интеллекту, биофизикам, нейрокибернетикам и студентам вузов.
Держатели документа:
ИВМ СО РАН : 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр.44
Экземпляры всего: 1
ИВМ-Фонд (1)
Свободны: ИВМ-Фонд (1)