Содержание:
Физические основы кристаллических приборов
Кристаллическая структура полупроводников
Зонная модель
Электроны и дырки в гомогенном кристалле
Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках
Физические основы транзисторов
Кристаллические фотоэлементы
Влияние магнитного поля на полупроводник
Влияние температуры на свойства полупроводников
Поверхностные явления
Полупроводниковый материал для кристаллических приборов
Химическая очистка
Зонная плавка
Вытягивание монокристаллов
Рекристаллизация (вплавление)
Диффузия доноров и акцепторов
Обработка германия и кремния
Свойства германия и кремния
Измерение основных параметров полупроводниковых материалов
Ориентировка кристаллов
Измерение проводимости и подвижности
Энергетические уровни в запретной зоне
Термоэлектрическое явление
Измерение оптических параметров
Измерение времени жизни основных носителей
Двухэлектродные полупроводниковые приборы
Кристаллические триоды и их свойства
Основные параметры транзистора в качестве усилителя
Дуальность транзистора и вакуумного триода
Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах
Измерение основных параметров транзистора
Построение статических характеристик
Измерение параметров rik и hik
Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности
Определение стабильности в режиме короткого замыкания
Измерение предельной частоты
Измерение емкости коллектора и эмиттера
Измерение шума транзистора
Определение импульсных свойств транзистора
Кристаллические тетроды
Обзор наиболее распространенных типов транзисторов
Техника усилителей на транзисторах
Цепи смещения транзисторов
Однокаскадные низкочастотные усилители
Многокаскадные усилители
Высокочастотные усилители
Основы генераторов на транзисторах
Переключающие схемы и формирование импульсов
| ГРНТИ |
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Шнейдар, Вацлав; Миллер, Б. В. \пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)