Сводный каталог книг

w10=
Найдено документов в текущей БД: 39
   З23
   П27

    Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках
. Ч. 1. / В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов ; Нижегородский гос. ун-т им.Н.И.Лобачевского. - Нижний Новгород : Изд-во Нижегор. ун-та, 2002. - 220 с. - Библиогр.: с. . -Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-85746-701-2 : 70.00 р.
ГРНТИ
ББК З233


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Скупов, Владимир Дмитриевич
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   Б83

    Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники.
/ А. С. Борухович ; Рос. акад. наук, Урал. отд-ние , Ин-т химии тверд. тела. - Екатеринбург : ИХТ УрО РАН, 2004. - 175 с. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-7691-1501-7 : б.ц.
ГРНТИ
ББК В379.23 + В373.3


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)
   В37
   G60

    Handbook of modern ferromagnetic materials
/ A Goldman. - Boston : Kluwer, 1999. - XIX, 646 p. : il. - (The Kluwer international series in engineering and computer science ; 505). - Bibliogr. at the end of the chapters - Ind.: p. 643-646. - ISBN 0-412-14661-4 : 9114.00 р.
Перевод заглавия: Справочник по современным ферромагнитным материалам
   Перевод заглавия: Справочник по современным ферромагнитным материалам
ГРНТИ
ББК В373.34я22 + В379.23я22 + З843.514я22


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   Ц57

    Бесщелевые полупроводники - новый класс веществ
/ И. М. Цидильковский ; Академия наук СССР. - М. : Наука, 1986. - 238 с. : ил. - (Академические чтения). - Библиогр. в подстроч. примеч. - 0.70 р.
ГРНТИ
ББК В379.13


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   М 43

    Межрегиональная конференция молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов
: Сборник трудов / Акад. наук СССР, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН, Рос. фонд фундаментал. исслед. Межрегион. конф. мол. ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных матер. - Владивосток : Дальнаука, 2009. - 370 с. - Библиогр. в конце ст. - 120 экз. - ISBN 978-5-7442-1475-3 : 0.00
    Содержание:
Косырев, Николай Николаевич. Перспективы магнитной спектроэллипсометрии in situ / Н. Н. Косырев, В. Н. Заблуда, С. Г. Овчинников. - С .168-171
Федоров, Александр Семенович. Исследование адсорбции водорода внутри и на поверхности магниевых наночастиц с примесями металлов-катализаторов / А. С. Федоров, М. В. Сержантова, А. А. Кузубов. - С .184-187
ГРНТИ
ББК В379.23я431 + В379.33я431 + З233я431 + В373.3я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Дальневосточное отделение РАН; Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН; Российский фонд фундаментальных исследований; Межрегиональная конференция молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (XII ; 17-20 июня 2009 г. ; Владивосток)
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З85
   Ф 81

    Фотоника-2008
: тезисы докладов / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, Науч. совет по проблеме "Квант. наноструктуры", Рос. фонд фундаментал. исслед. ; предс. совещ. Ж. И. Алферов ; предс. орг. комитета П. Т. Девяткин. - Новосибирск : [б. и.], 2008. - 169 с. - Авт. указ. - Указ. адресов. - 60.00 р.
ГРНТИ
ББК З854я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \пред.\; Девяткин, Пётр Тихонович \пред.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАНИнститут физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Научный совет по проблеме "Квантовые наноструктуры" РАН; Российский фонд фундаментальных исследований; Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (19-23 августа 2008 г. ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З2
   К 56

    Измерения параметров полупроводниковых материалов
/ Н. Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой. - М. : Металлургия, 1970. - 429 с. : ил. - Библиогр.: с. 412-426. - 4200 экз. - 1.28 р.
ГРНТИ
ББК З233


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Концевой, Юлий Абрамович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З26
   Р 34

    Преобразователи на тиристорных блоках БВП для электроприводов постоянного тока
/ С. Р. Резинский, И. Х. Евзеров, В. С. Лабковский. - М. : Энергоатомиздат, 1983. - 95 с. - (Библиотека электромонтера ; вып. 543). - Библиогр.: с. 94. - 0.25 р.
ГРНТИ
ББК З264.54


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Евзеров, Игорь Хононович; Лабковский, Виктор Соломонович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З26
   Т 44
З 292 / Т 44-ИХХТ-АБ

    Тиристорные преобразователи повышенной частоты для электротехнологических установок
/ [Е. И. Беркович и др.]. - Л. : Энергоатомиздат, 1983. - 204 с. : ил. - Библиогр.: с. 199-202 (76 назв.). - 11000 экз. - 1.10 р., 1.10 р.
Авт. указаны на обороте тит. л.
ГРНТИ
УДК
ББК З264.54 + З292.32-5 + З 292.32


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Беркович, Ефим Ильич; Ивенский, Г. В.; Иоффе, Ю. С.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
   Г2
   Г 97

    Органические полупроводники
: пер. с англ. / Ф. Гутман, Л. Лайонс ; пер.: Г. А. Юрлова, Т. К. Соболева ; ред. пер. Е. Л. Франкевич. - М. : Мир, 1970. - 696 с. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ. - Пер. изд. : Organic semiconductors / Felix Gutmann, Lawrence E. Lyons. - New York; London; Sydney, 1967. - 6.10 р.
    Содержание:
Некоторые основные положения физики твердого тела
Некоторые экспериментальные результаты
Приготовление образцов
Зонная теория молекулярных кристаллов
Возбужденные состояния молекулярных кристаллов
Ионизованные состояния
Туннельная модель и модель перескоков
Молекулярные кристаллы
Комплексные соединения, содержащие металлы
Комплексы с переносом заряда
Свободные радикалы и соли свободных радикалов
Соединения с цепочечной структурой и полимеры
Органические красители
Биологические вещества
Жидкости и стекла
Коэффициент Зеебека. Термоэлектрические эффекты
Данные по фотопроводимости
Связь полупроводниковых свойств со структурой вещества
Фазовые переходы
Плавление; аморфные структуры
Изомеризация
Легирование
Эффекты, связанные с пространственным зарядом
ГРНТИ
ББК Г214 + В379 + Л719.7


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лайонс, Лоуренс; Юрлова, Г. А. \пер.\; Соболева, Т. К. \пер.\; Франкевич, Е. Л. \ред. пер.\; Gutmann, Felix; Lyons, Lawrence E.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   Ш 66

    Электронные свойства легированных полупроводников
/ Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос. - М. : Наука, 1979. - 416 с. : ил. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 396-413. - 45000 экз. - 2.40 р.
ГРНТИ
ББК В379.231


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Эфрос, Алексей Львович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   Г4
   Л 72

    Зонная плавка с градиентом температуры
/ В. Н. Лозовский. - М. : Металлургия, 1972. - 240 с. : ил. - Библиогр.: с. 231-240 (295 назв.). - 1700 экз. - 1.26 р.
    Содержание:
Теория зонной плавки с градиентом температуры
Кинетика зонной плавки с градиентом температуры
Техника зонной плавки с градиентом температуры
Применение зонной плавки с градиентом температур в технологии полупроводниковых кристаллов
ГРНТИ
ББК В375.14 + В379.251


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вигдорович, В. Н. \ред.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   К 63

    Компенсированный кремний
/ Б. И. Болтакс, М. К. Бахадырханов [и др.] ; отв. ред. Б. И. Болтакс ; Акад. наук СССР, Физ.-тех. ин-т. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1972. - 122 с. - Библиогр.: 266 назв. - 2300 экз. - 0.57 р.
ГРНТИ
ББК В379.2 + Г124.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Болтакс, Борис Иосифович; Бахадырханов, М. К.; Городецкий, С. М.; Куликов, Г. С.; Болтакс, Борис Иосифович \ред.\; Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   К 78

    Полупроводники германий и кремний
/ Б. А. Красюк, А. И. Грибов. - М. : Металлургиздат, 1961. - 266 с. - Библиогр. в конце глав. - 5300 экз. - 1.02 р.
ГРНТИ
ББК В379.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Грибов, Александр Исидирович
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   К 79

    Кремний
: сборник статей : пер. с англ. / пер. Б. А. Колачев ; ред. пер. Д. А. Петров. - М. : Изд-во иностр. лит., 1960. - 436 с. - Библиогр. в конце ст. - 1.92 р.
    Содержание:
Производство и применение кремния
Получение чистого кремния
Структурные несовершенства монокристаллов кремния
Свойства кремния
Термическая обработка кремния
Растворимость и диффузия примесей в кремнии
Сплавы кремния с германием
ГРНТИ
ББК В379.2я44


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Колачев, Б. А. \пер.\; Петров, Дмитрий Андреевич \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   Г2
   О-64

    Органические полупроводники
/ Акад. наук СССР, Ин-т нефтехим. синтеза им. А.В. Топчиева, Ин-т полупроводников ; отв. ред. А. В. Топчиев. - М. : Изд-во АН СССР, 1963. - 318 с. : граф., рис., табл. - Библиогр. в конце глав. - 7300 экз. - 1.51 р.
    Содержание:
Некоторые сведения из электронной теории кристаллов
Теплопроводность полупроводников
Статистика электронов в полупроводниках
Термоэлектрические явления
Гальваномагнитные явления
Внутренний фотоэффект
Контактные явления
Основные представления об электронном строении молекул органических полупроводниковых соединений
Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников
Фотопроводимость низкомолекулярных органических полупроводников
Молекулярные комплексы
Современные представления о полимерных веществах и возможности реализации в них проводимости
Получение полупроводниковых полимеров
Электрические свойства полимерных полупроводников
ГРНТИ
ББК Г214 + В379 + Л719.7


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Стильбанс, Л. С.; Розенштейн, Л. Д.; Айрапетянц, А. В.; Каргин, В. А.; Кренцель, Б. А.; Давыдов, Б. Э.; Топчиев А.В., Александр Васильевич; Топчиев А.В., Александр Васильевич \ред.\; Академия наук СССР; Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева АН СССР; Институт полупроводников АН СССР
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З85
   S78

    Spintronics: materials, applications and devices
/ eds.: G. C. Lombardi, G. E. Bianchi. - New York : Nova science publ., 2009. - X,251 p. : ill. ; 26 cm. - Bibliogr. at the end of the chapters - Ind. - Ind.: p. 245-251. - ISBN 978-1-60456-734-2 : 211.00 р.
Перевод заглавия: Спинтроника: материалы, применения и устройства
   Перевод заглавия: Спинтроника: материалы, применения и устройства
ГРНТИ
ББК З852-01 + В379.23


оглавление

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Lombardi, Giulia C. \ed.\; Bianchi, Ginevra E. \ed.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   З85
   Ф 81

    Фотоника-2011
: тезисы докладов / Рос. акад. наук, Науч. совет по проблеме "Квантовые наноструктуры", Рос. фонд фундамент. исслед., Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. Рос. конф. и школа по актуальным пробл. полупроводниковой нанофотоэлектроники ; сопред. прогр. ком.: А. Л. Асеев, С. Н. Мазуренко ; зам. пред. прогр. ком. А. В. Двуреченский. - Новосибирск : ИФП СО РАН, 2011. - 158 с. - Алф. указ.: с. 149-152 - Список участников. - 60.00 р.
Посв. памяти чл.-корр. РАН К.К. Свиташева
ГРНТИ
ББК З854я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Асеев, Александр Леонидович \сопред. прогр. ком.\; Мазуренко, С. Н. \сопред. прогр. ком.\; Двуреченский, А. В. \зам. пред. прогр. ком.\; Российская академия наук; Научный совет РАН по проблеме "Квантовые наноструктуры"; Российский фонд фундаментальных исследованийСибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых) (22-26 августа 2011 г. ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   В37
   В 15

    Применение контакта металл-полупроводник в электронике
/ К. А. Валиев [и др.]. - М. : Радио и связь, 1981. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 274-299. - Предм. указ.: с. 300-301. - 8000 экз. - 1.10 р.
ГРНТИ
ББК В379.231 + З852


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Пашинцев, Юрий Иванович; Петров, Гарри Васильевич
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)
   Ж
   Т 66
Л253 / Т 66-ИХХТ-АБ

    Пористый кремний: технология, свойства, применение
/ В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р., 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния
ГРНТИ
УДК
ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2 + Л253.2

Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)