Сводный каталог книг

: пер. с англ. / Дж. Барфут, Дж. Тейлор ; ред. Л. А. Шувалов. - М. : Мир, 1981. - 526 с. - Библиогр.: с. 505. - Имен. указ.: с. 508. - Предм. указ.: с. 512. - Пер. изд. : Polar dielectrics and their applications / Jack C. Burfoot, George W. Taylor. - New Jersey, 1979. - 3300 экз. - 5.30 р.

ГРНТИ

29.19.35

47.09.33

29.19.33

47.09.31

45.09.37

ББК В379.33


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тейлор, Джордж; Шувалов, Л. А. \ред.\; Burfoot, Jack C. ; Taylor, George W.
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (2)
Свободны: ИФ-КФ (2)

: Сборник трудов / Акад. наук СССР, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН, Рос. фонд фундаментал. исслед. Межрегион. конф. мол. ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных матер. - Владивосток : Дальнаука, 2009. - 370 с. - Библиогр. в конце ст. - 120 экз. - ISBN 978-5-7442-1475-3 : 0.00
    Содержание:
Косырев, Николай Николаевич. Перспективы магнитной спектроэллипсометрии in situ / Н. Н. Косырев, В. Н. Заблуда, С. Г. Овчинников. - С .168-171
Федоров, Александр Семенович. Исследование адсорбции водорода внутри и на поверхности магниевых наночастиц с примесями металлов-катализаторов / А. С. Федоров, М. В. Сержантова, А. А. Кузубов. - С .184-187

ГРНТИ

45.09.35

47.09.29

45.09.37

47.09.31

45.09.29

47.09.35

ББК В379.23я431 + В379.33я431 + З233я431 + В373.3я431


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Дальневосточное отделение РАН; Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН; Российский фонд фундаментальных исследований; Межрегиональная конференция молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (XII ; 17-20 июня 2009 г. ; Владивосток)
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: пер. с англ. / А. Р. Хиппель ; ред. Д. М. Казарновский. - М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1959. - 336 с. - Библиогр.: с. 331-336. - Пер. изд. : Dielectric materials and applications / Arthur R. Hippel. - [1952]. - 9300 экз. - 2.03 р.

ГРНТИ

29.19.33

45.09.37

47.09.31

ББК В379.3


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Казарновский, Д. М. \ред.\; Hippel, Arthur R.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: пер. с англ. / А. Р. Хиппель ; ред. Н. Г. Дроздов. - М. : Изд-во иностр. лит., 1960. - 438 с. - Библиогр.: с. 427. - Предм. указ.: с. 430. - Пер. изд. : Dielectrics and waves / Arthur R. Hippel. - 1954. - 2.51 р.

ГРНТИ

29.19.33

45.09.37

47.09.31

ББК В379.3


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Дроздов, Н. Г. \ред.\; Hippel, Arthur R.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

: пер. с нем. / Ю. Х. Лукес ; пер. П.С Богуславский. - М. : Энергия, 1972. - 336 с. : ил. - Библиогр.: с. 325-332 (208 назв.). - Пер. изд. : Halbleiter dioden schaltungen / J. H. Luces. - 30000 экз. - 1.55 р.

ГРНТИ

47.41.99

47.09.31

ББК З852.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Богуславский, Сергей Анатольевич \пер.\; Luces, J. H.
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Г. Ю. Пашковский, В. И. Прицкер. - М. : Изд-во стандартов, 1969. - 166 с. : ил. - Библиогр.: с. 159-165. - 3000 экз. - 1.00 р.

ГРНТИ

47.41.99

47.09.31

ББК З852.2я22


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Прицкер, Владимир Ильич
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Ю.Я. Томашпольский. - М. : Радио и связь, 1984. - 193 с. : ил. - Библиогр.: с. 185-191 (127 назв.). - 2.20 р., 2.20 р.

ГРНТИ	47.09.31
УДК	621.315.5/61

ББК З843.412 + В379.331.7 + З843.412.0 + З843.412.0


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН : 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50
Экземпляры всего: 3
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1), ЦНБ-ХР (1)

: [сб. ст.] / Рост. гос. ун-т ; Ред. кол.: О. П. Крамаров (отв. ред.). - Ростов н/Д : Изд-во Рост. ун-та, 1969. - 174 с. - Библиогр. в конце ст. - 600 экз. - 1.23 р.

ГРНТИ

45.09.37

47.09.31

ББК З843.41я43 + З264.54я43 + В379.331.7я43


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Крамаров, Олег Павлович \ред.\; Ростовский государственный университет
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

= Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices / В. А. Гриценко [и др.] ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводн. им. А.В. Ржанова СО РАН, Ин-т неорган. химии им А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геол. и минерал. им. В.С. Соболева. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2011. - 156 с. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 30). - Библиогр. в конце глав. - 400 экз. - ISBN 978-5-7692-1183-6 : 5.00 р.
    Содержание:
Синтез и строение high-k-диэлектриков на основе оксида гафния
Электронная структура вакансии кислорода в high-k-диэлектриках
Люминесценция high-k-диэлектриков
Электронная структура оксида, оксинитрида и нитрида кремния
Механизмы переноса заряда в диэлектрических пленках
Оптимизация диэлектрической проницаемости блокирующего диэлектрика в энергонезависимой памяти, основанной на нитриде кремния

ГРНТИ

47.09.31

29.19.33

ББК В379.3 + З843.4


Дополнительные материалы по теме

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гриценко, Владимир Алексеевич; Елисеев, А. П.; Иванов, М. В.; Игуменов, И. К.; Каичев, В. В.; Карпушин, А. А.; Морозова, Н. Б.; Насыров, К. А.; Некрашевич, С. С.; Новиков, Ю. Н.; Перевалов, Т. В.; Пустоваров, П. А.; Расторгуев, А. А.; Смирнова, Т. П.; Снытников, В. Н.; Сорокин, А. Н.; Стояновский, В. О.; Шапошников, А. В.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН; Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН; Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ В. А. Гриценко ; ред. В. Г. Литовченко ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, 1993. - 280 с. : рис., граф. - Библиогр. : с. 260 - 278 (392 назв.). - ISBN 5-02-030198-1 : 150.00 р.
На с. 7 : Список сокращений.

ГРНТИ

45.09.37

47.09.31

29.19.33

ББК В379.324 + З844.15-03-01


Дополнительные материалы по теме

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Литовченко, В. Г. \ред.\; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАНРоссийская академия наук; Сибирское отделение РАН
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

/ Р. В. Гострем, Г. С. Зиновьев ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : [б. и.], 1964. - 134 с. : ил. - Библиогр.: с. 104-124. - 0.62 р.
Есть автограф: Экз. 19521 : Гострем, Р. В.

ГРНТИ

47.41.99

47.09.31

ББК З852.2


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Зиновьев, Г. С.; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 2
ИФ-Музей (2)
Свободны: ИФ-Музей (2)

: [межвуз. сб. статей]. [Вып. 8] / Рост. гос. ун-т ; отв. ред. О. П. Крамаров. - Ростов н/Д : Изд-во Рост. ун-та, 1989. - 145 с. - Библиогр. в конце ст. - 700 экз. - 2.10 р.

ГРНТИ

45.09.37

47.09.31

ББК З843.41я43 + З264.54я43 + В379.331.7я43


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Крамаров, Олег Павлович \ред.\; Ростовский государственный университет
Экземпляры всего: 1
ИФ-КФ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1)

[Текст] : монография / СО РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Институт катализа им. Г.К.Борескова, Институт автоматики и электрометрии , Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева ; отв. ред.: А. Л. Асеев, В. А. Гиценко. - Новосибирск : Издательство Сибирского отделения Российской академии наук, 2011. - 157, [1] с. + 25 см. - (Интеграционные проекты СО РАН = SB RAS integrated projects : серия основана в 2003 г. / Фомин Ю. И., главный редактор серии ; вып. 31). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-7692-1183-6 (Вып.31) (в пер.). - ISBN 978-5-7692-0669-6 : 5.00 р.
Авт.указаны на обороте тит.л. Парал.тит.л.англ.

ГРНТИ	47.09.31
УДК	539.2	621.38

ББК З 843 + В37

Аннотация: Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой


Доп.точки доступа:
Асеев, А.Л. (академик) \отв. ред.\; Гиценко, В.А. \отв. ред.\; Российская академия наук . Сибирское отделение; Институт физики полупроводников им. А.В. РжановаИнститут неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН; Институт катализа им. Г.К.Борескова; Институт автоматики и электрометрии ; Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева
Экземпляры всего: 1
ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ЦНБ-АБ (1)