/ В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. -
ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р., 185.00 р.
Содержание: Технология изготовления пористого кремния Фотолюминесценция пористого кремния Электрофизические свойства пористого кремния Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики Приборы СВЧ-диапазона Химические датчики на основе пористого кремния ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2 + Л253.2
Аннотация: Рассматриваются вопросы технологии изготовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик.
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа: Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ИХХТ-АБ (1)