Сводный каталог книг

/ Т. В. Голашвили, В. П. Чечев, С. А. Бадиков ; ред. Т. В. Голашвили. - 4-е изд., перераб. и доп. - М. : Издат. дом МЭИ, 2011. - 461 с. + 25 см. - Библиогр.: с. 461. - 500 экз. - ISBN 978-5-383-00513-2 : 858.00 р.

ГРНТИ

59.43.29

ББК В383.2я27


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Чечев, Валерий Павлович; Бадиков, Сергей Александрович; Голашвили, Тенгиз Васильевич \ред.\
Экземпляры всего: 1
ИФ-ЧЗ (1)
Свободны: ИФ-ЧЗ (1)

/ К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. - М. : БИНОМ. Лаб. знаний, 2012. - 304 с. - Библиогр.: 106 назв. . - 1000 экз. - ISBN 978-5-9963-0633-6 : 324.00 р., 310.50 р.

ГРНТИ	47.41	59.43	55.49
УДК	621.38

ББК З844.15 + О 661.5-01 + З844

Аннотация: В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Дополнительные материалы по теме

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Улимов, Виктор Николаевич; Членов, Александр Михайлович
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)

/ Ю. Н. Тарасенко. - М. : Техносфера, 2013. - 259 с. - Библиогр. - 150 экз. - ISBN 978-5-94836-349-3 : 760.00 р., 760.00 р.

ГРНТИ	59.43	29.15
УДК	621.039.58

ББК З42 + В381.08с1,0

Аннотация: Монография посвящена разработке и исследованию ионизационных методов дозиметрии ионизирующих излучений (ИИ) с использованием методов измерения проводимости газов при их облучении высокоинтенсивным ионизирующим излучением. Предназначена для метрологов, занимающихся метрологическим обеспечением измерений ИИ в сфере обороны и безопасности, разработчиков средств измерений ИИ в целях обеспечения единства измерений существующими средствами измерений и учета выработанных рекомендаций при создании новых средств измерений. Может быть использована слушателями высших учебных заведений при изучении курса по метрологии, слушателями факультетов повышения квалификации и курсов по переподготовке кадров.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 2
ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)
Свободны: ИФ-КФ (1), ЦНБ-АБ (1)