Библиотека института биофизики СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИБФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий библиотеки Института биофизики СО РАН

Иностранные журналы библиотеки Института биофизики СО РАН

Отечественные журналы библиотеки Института биофизики СО РАН

Каталог диссертаций ИБФ СО РАН

Труды сотрудников ИБФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>S=SIMULATION<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova, Tatyana E., Shanidze, Lev, V, Lukyanenko, Anna, V, Baron, Filipp A., Krasitskaya, Vasilisa V., Kichkailo, Anna S., Tarasov, Anton S., Volkov, Nikita
Заглавие : Protein biosensor based on Schottky barrier nanowire field effect transistor
Колич.характеристики :6 с
Коллективы : RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [20-32-90134]; Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Feder-ation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Labora-tories [075-15-2019-1886]; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Terri-tory
Место публикации : Talanta: ELSEVIER, 2022. - Vol. 239. - Ст.123092. - ISSN 0039-9140, DOI 10.1016/j.talanta.2021.123092. - ISSN 1873-3573(eISSN)
Примечания : Cited References:44. - The reported study was funded by RFBR according to the research project N? 20-32-90134. The authors thank RFBR, Krasnoyarsk Terri-tory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013) and the Government of the Russian Feder-ation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Labora-tories (Agreement no. 075-15-2019-1886) for financial support. Electron microscopy investigations were conducted with the help of equipment of the Krasnoyarsk Territorial Shared Resource Center, Krasnoyarsk Scientific Center, Russian Academy of Sciences.
Предметные рубрики: SIMULATION
MODEL
Аннотация: A top-down nanofabrication approach involving molecular beam epitaxy and electron beam lithography was used to obtain silicon nanowire-based back gate field-effect transistors with Schottky contacts on silicon-oninsulator (SOI) wafers. The resulting device is applied in biomolecular detection based on the changes in the drain-source current (I-DS). In this context, we have explained the physical mechanisms of charge carrier transport in the nanowire using energy band diagrams and numerical 2D simulations in TCAD. The results of the experiment and numerical modeling matched well and may be used to develop novel types of nanowire-based biosensors.
WOS
Найти похожие

Тематический навигатор

Другие библиотеки

Библиотека института физики

Центральная научная библиотека КНЦ СО РАН

Библиотека института химии и химический технологии

Библиотека института вычислительного моделирования

Библиотека института леса

Библиотека СФУ

Краевая научная библиотека

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)