Поисковый запрос: (<.>K=транзистор<.>) |
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9 |
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З 856/З-47
Автор(ы) : Зебрев Г. И.
Заглавие : Физические основы кремниевой наноэлектроники
: учебное пособие
Выходные данные : Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011
Колич.характеристики :240 с.:
ил.
Серия: Нанотехнологии
ISBN (в пер.), Цена 978-5-9963-0181-2:
ГРНТИ : 47.09.48 + 29.19.22
ББК : З 856я73
Предметные рубрики: Электроника
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : З 80/П 69
Заглавие : Практикум по радиоэлектронике. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
: методические указания к лабораторной работе №11
Выходные данные : Новосибирск: РИЦ НГУ, 2009
Колич.характеристики :12 с.:
ил.
Серия: РЭЛ; 11
:
ГРНТИ : 47
ББК : З 80с.я73
Экземпляры : всего : кх(1), с.ф.(1)
Свободны : кх(1), с.ф.(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З 264.5/Р 21
Автор(ы) : Рама Редди С.
Заглавие : Основы силовой электроники
: перевод с английского
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2006
Колич.характеристики :287 с.
; 20 см
Серия: Мир электроники
Примечания : Библиогр.: с. 287
ISBN (в пер.), Цена 5-94836-055-5:
ГРНТИ : 45.37
ББК : З 264.54
Экземпляры : всего : кх(4)
Свободны : кх(4)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В3г/Т 67
Автор(ы) : Тригг, Джордж
Заглавие : Физика XX века: ключевые эксперименты
Выходные данные : Москва: Мир, 1978
Колич.характеристики :376 с.:
ил.; 21см.
Перевод издания: Trigg George L. Landmark experiments in twentieth century physics. -1975
Примечания : Библиогр.: с. 367-374. - Предм. указ.: с. 375-376
:
ГРНТИ : 29.01.09
ББК : В3г
Предметные рубрики: физика-- история
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З 852/О-75
Автор(ы) : Донован Р. П., Смит А. М., Бэрри Б. М.
Заглавие : Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия
: перевод с английского
Выходные данные : Москва: Мир, 1969
Колич.характеристики :451 с., [2] л. ил.:
ил.; 22 см.
Перевод издания: Fundamentals of silicon integrated device technology. Vol. 1. Oxidation, diffusion and epitaxy. -Gentry F. E., 1967
Примечания : Библиогр. в конце глав
:
ГРНТИ : 47.33.29 + 47.33.31
ББК : З 852 + З 844.15
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В379/З-47
Автор(ы) : Зеегер К.
Заглавие : Физика полупроводников
: [курс лекций для физических и инженерных специальностей вузов]
Выходные данные : Москва: Мир, 1977
Колич.характеристики :615 с.:
ил., табл.; 22 см.
Перевод издания: Seeger Karlheinz Semiconductor physics. -Wien ; New York, 1973
Примечания : Парал. тит. л. англ. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 600-606. - Указ. материалов: с. 607-611
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2я73
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В3/И 46
Автор(ы) : Ильин, Вадим Алексеевич, Кудрявцев, Василий Владимирович
Заглавие : Магистральные направления физики XXI века. Физика технологий будущего для будущих физиков и инженеров. Кн. 1. Современная макрофизика. Низкие температуры. Сверхпроводимость. Сверхтекучесть. Лазеры. Зондовая микроскопия. Рентгеновское излучение. Высокие давления. Фуллерены, нанотрубки, графен. Информационные технологии: вчера-сегодня-завтра
: [научно-популярное издание]
Выходные данные : Москва: URSS; Москва: ЛЕНАНД, 2018
Колич.характеристики :442 с.:
ил., табл.; 22 см.
Серия: НАУКУ - ВСЕМ! Шедевры научно-популярной литературы. Физика; № 163
ISBN (в пер.), Цена 978-5-9710-5292-0:
ГРНТИ : 29.01.39 + 47.01.11
ББК : В3я9 + З 80я9
Экземпляры : всего : кх(2)
Свободны : кх(2)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З 852.3/А 36
Автор(ы) : Айсберг, Евгений Давыдович
Заглавие : Транзистор?. Это очень просто!
. -Изд. 2-е
Выходные данные : Москва: Энергия, 1967
Колич.характеристики :142 с.:
ил.; 22 см
Серия: Массовая радиобиблиотека; Вып. 622
Перевод издания: Aisberg E. Le transistor? Mais c'est tres simple!
Примечания : Ориг. назв. указано в вып. дан.
:
ГРНТИ : 47.33
ББК : З 852.3я9
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З 846/К 82
Автор(ы) : Крисилов, Юрий Данилович
Заглавие : Автоматическая регулировка и стабилизация усиления транзисторных схем
Выходные данные : Москва: Советское радио, 1972
Колич.характеристики :271, [1] с.:
граф., схем.; 21 см.
:
ГРНТИ : 47.41.33
ББК : З 846.2
Предметные рубрики: Усилители полупроводниковые
Содержание : 1. Транзистор как регулируемый элемент ; 2. Влияние режима питания на показатели усилительных схем ; 3. Применение дополнительных нелинейных элементов ; 4. Основные свойства систем автоматической регулировки и стабилизации усиления ; 5. Примеры расчета и практические схемы
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
|
|
|
Авторефераты диссертаций и диссертации
Стандартный
Главная
Описание