Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Электронный каталог книг и продолжающихся изданий- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ИОННАЯ БОМБАРДИРОВКА<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
   Ж6
   М 54


   
    Методы получения и свойства нанообъектов : учебное пособие для вузов / [Н. И. Минько, В. В. Строкова, И. В. Жерновский, В. М. Нарцев]. - Москва : Флинта : Наука, 2009. - 162, [1] с. : ил. ; 21 см. - Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 157-163. - 1000 экз.. - ISBN 978-5-9765-0326-7 (Флинта). - ISBN 978-5-02-034741-0 (Наука)
ББК Ж6я73
Рубрики: Нанотехнология
   Наноструктурные материалы

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры (физ.) -- нанотехнология -- наносборка -- газофазный синтез -- ионная бомбардировка -- вакуумное испарение -- катодное распыление -- взрывной синтез -- гетерофазный синтез -- свойства нанообьектов -- инфракрасная спектроскопия


Доп.точки доступа:
Минько, Нина Ивановна; Строкова, Валерия Валерьевна; Жерновский, Игорь Владимирович; Нарцев, Владимир Михайлович
Экземпляры всего: 1
кх (1)
Свободны: кх (1)
Найти похожие

2.
   З 843
   В 74


   
    Вопросы радиационной технологии полупроводников : монография / В. В. Болотов, А. В. Васильев, А. В. Двуреченский [и др.] ; под редакцией Л. С. Смирнова ; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сибирское отделение, 1980. - 291, [3] с. : граф., табл. ; 22 см. - 1500 экз.
    Содержание:
Характеристики радиационных дефектов
Вопросы управления составом дефектных центров
Радиационно-управляемая диффузия (РУД)
Возможности технологического использования радиационных дефектов
Состояние и перспективы ионного легирования полупроводников
Ионное легирование антимонида индия
Эффекты в полупроводниках при внедрении больших доз ионов и повышенных плотностях тока
Лазерный отжиг имплантированных слоев полупроводников
Получение тонких пленок с помощью ионных и молекулярных пучков
Ядерное легирование полупроводников
ББК З 843.3 + В379.227
Рубрики: Полупроводники многослойные--Отжиг лазерный
   Полупроводники многослойные--Радиационные эффекты

Кл.слова (ненормированные):
ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ИОННАЯ БОМБАРДИРОВКА -- РАДИОЦИОННО-УПРАВЛЯЕМАЯ ДИФФУЗИЯ -- РАДИОЦИОННЫЕ ДЕФФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ -- ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ


Доп.точки доступа:
Болотов, Валерий Викторович; Васильев, Альберт Васильевич; Двуреченский, Анатолий Васильевич; Качурин, Григорий Аркадьевич; Придачин, Николай Борисович; Смирнов, Леонид Степанович; Стась, Владимир Федосеевич; Смирнов, Леонид Степанович \ред.\; Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт физики полупроводников СО АН СССР
Экземпляры всего: 1
кх (1)
Свободны: кх (1)
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)