Институт ядерной физики СО РАН

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Электронный каталог книг и продолжающихся изданий- результаты поиска

Вид поиска

Авторефераты диссертаций и диссертации

Отечественные журналы

Препринты

Электронный каталог книг и продолжающихся изданий

База ученого секретаря

Пресса об ИЯФ

Труды сотрудников ИЯФ (пополняемая)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=разработка и производство приборов<.>)

Общее количество найденных документов : 1

   З 852
   О-75


    Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия : перевод с английского / [Р. П. Донован, А. М. Смит, Б. М. Бэрри] ; под редакцией и [с предисловием] Р. Бургера и Р. Донована ; под редакцией и [с предисловием] В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса. - Москва : Мир, 1969. - 451 с., [2] л. ил. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Fundamentals of silicon integrated device technology. Vol. 1. Oxidation, diffusion and epitaxy / ed. by R. M. Burger and R. P. Donovan. - Gentry F. E., 1967. - (в пер.)

47.33.29

47.33.31

ББК З 852 + З 844.15

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- окисные слои на кремнии -- кремниевые приборы -- планарная технология -- диод -- транзистор -- интегральные схемы -- отчеты зарубежных фирм -- доклады конференций -- разработка и производство приборов -- силикатные стекла -- МОП-структуры -- химическое осаждение -- эпитаксиальное наращивание

Доп.точки доступа:
Донован, Р. П.; Смит, А. М.; Бэрри, Б. М.; Бургер, Р. М. \ред., авт. предисл.\; Донован, Р. П. \ред., авт. предисл...\; Мордкович, В. Н. \ред., авт. предисл.\; Пресс, Ф. П. \ред., авт. предисл.\
Экземпляры всего: 1
кх (1)
Свободны: кх (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)