Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Алферов, Жорес Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 18

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ч2/А 38
Заглавие : Академия наук в истории культуры России XVIII- XX веков
Выходные данные : СПб.: Наука, 2010
Колич.характеристики :706 с.: ил.
Коллективы : Российская академия наук, Институт истории естествознания и техники им. С.И. Вавилова РАН
Примечания : Имен. указ.: с. 680-703. - Авт. указ. на стр. 704-705
ISBN, Цена 978-5-02-025334-6:
ГРНТИ : 03.23.31 + 13.09
ББК : Ч214(2)711г
Предметные рубрики: Наука-- Академия наук-- История
Культура-- Социология-- История --Россия
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/В 31
Автор(ы) : Веревкин, Юрий Николаевич
Заглавие : Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1984
Колич.характеристики :122 с
Коллективы : Академия наук СССР, Отделение общей физики и астрономии АН СССР
Примечания : Библиогр.: л. 299-342
Цена : 1.30 р.
ГРНТИ : 29.31.23 + 29.31.21
ББК : В374.98
Предметные рубрики: Твердое тело-- Люминесценция
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 75
Автор(ы) : Эскаки Л.
Заглавие : Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Мир, 1989
Колич.характеристики :582 с.: ил.
Перевод издания: Molecular beam epitaxy and heterostructures
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 5-03-000737-7: 5.90, 50.00, р.
ГРНТИ : 29.19.09
ББК : В375 + З843.308
Предметные рубрики: Твердое тело-- Эпитаксия
Содержание : Процесс молекулярно-лучевой эпитаксии ; Выращивание полупроводников и их свойства ; Теория гетероструктур ; Электронные свойства гетероструктур ; Приборы на основе гетероструктур ; Альтернативный процесс эпитаксии
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : Ч/Н 34
Заглавие : Наука и человечество : доступно и точно о главном в мировой науке : междунар. ежегодник . 1976
Выходные данные : М.: Знание, 1975
Колич.характеристики :400 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, "Знание", Всесоюзное общество
Примечания : Библиогр.: с. 397-398 :
ГРНТИ : 12.91
ББК : Ч21я91
Предметные рубрики: Наука-- История-- Будущее-- Сборники
Содержание : Выделение действительных явлений из мысленно возможных (вариационные подходы)/ Л. И. Седов. Автономные системы инерциальной навигации/ Ч. С. Дрейпер, Б. Л. Бердичевский. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе/ Ж. И. Алферов, У. Ригли. Энергия молекул и ее измерения/ С. Суннер.
Экземпляры :ЧЗ(1)
Свободны : ЧЗ(1)
Найти похожие

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 16
Автор(ы) : Панков Ж.
Заглавие : Оптические процессы в полупроводниках : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Мир, 1973
Колич.характеристики :456 с.: ил.
Перевод издания: Pankove, Jacoes I. Optical processes in semiconductors
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 443-451
Цена : 2.17 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.24
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства оптические
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З84/Б 43
Автор(ы) : Белоус, Анатолий Иванович, Емельянов, Виктор Андреевич, Турцевич, Аркадий Степанович
Заглавие : Основы схемотехники микроэлектронных устройств
Выходные данные : М.: Техносфера, 2012
Колич.характеристики :471 с
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 978-5-94836-307-3: 572.40 р.
ГРНТИ : 47.41
ББК : З852
Предметные рубрики: Схемы-- Микроэлектроника-- Проектирование
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В3/З-17
Автор(ы) : Зайдель, Александр Натанович
Заглавие : Погрешности измерений физических величин
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1985
Колич.характеристики :112 с
Коллективы : Академия наук СССР, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Примечания : Библиогр.: с. 110
Цена : 0.36 р.
ГРНТИ : 29.03
ББК : В3в642
Предметные рубрики: Величины физические-- Измерения-- Погрешности
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З86/П 53
Заглавие : Полупроводниковые лазеры: физика и технология : Программа и тезисы докладов
Выходные данные : СПб.: ФТИ, 2012
Колич.характеристики :77 с
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (3; 13-16 ноября 2012 г.; СПб.)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 30.00 р.
ГРНТИ : 47.35.41 + 29.33.15
ББК : З86-534я431
Предметные рубрики: Лазеры полупроводниковые-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З86/П 53
Заглавие : Полупроводниковые лазеры: физика и технология. К 50-летию первого лазера : Программа и тезисы докладов
Выходные данные : СПб.: ФТИ, 2010
Колич.характеристики :77 с
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (2; 10-12 ноября 2010 г.; СПб.)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 60.00 р.
ГРНТИ : 47.35.41 + 29.33.15
ББК : З86-534я431
Предметные рубрики: Лазеры полупроводниковые-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В3/З-38
Автор(ы) : Захарченя, Борис Петрович
Заглавие : Радость творчества : Повести, рассказы, эссе, заметки
Выходные данные : СПб.: Коло, 2008
Колич.характеристики :384 с.: ил.
ISBN, Цена 978-5-901841-53-2:
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.01 + 29.01.09 + 29.01.79
ББК : В3д + В379д
Предметные рубрики: Экситоны-- Открытия-- История
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

11.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Р 78
Заглавие : Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: [сб. в 2 ч.]/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. Ч. 1
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1977
Колич.характеристики :314 с.: рис., фот.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст. :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В375.14я43 + З852я43
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Содержание : Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом/ Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур/ В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии/ М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях/ Э. Н. Хабаров. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний/ С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов/ А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. Травление германия в потоке HJ+H2/ В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния/ И. М. Скворцов, Б. В. Орион. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников/ Э Н. Киселева, С. А. Строителев. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии/ В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях/ В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках/ Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов/ И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов/ И. Сунагава. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников/ С. А. Строителев. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия/ Г. Опперман. Новые методики роста кристаллов и пленок ; Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах/ В. А. Кутвицкий. Эпитаксиальный рост кремния в Японии/ Дж. Нишизава. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла/ А. Н. Лузин. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников/ М. Р. Грейсух. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения/ В. Н. Маслов. Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы ; Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия/ Е. Буттер. Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках ; Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве ; Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках ; Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te/ Г. П. Сорокин [и др.]. Соосаждение кремния с донорами и бором/ Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2/ А. В. Родионов [и др.]. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния/ Ф. А. Кузнецов [и др.]. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы/ С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb/ А. А. Вилисов [и др.]. Получение монокристаллов фосфида германия/ Я. А. Угай [и др.]. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий/ В. А. Толомасов [и др.]. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей/ М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge/ В. М. Бабич [и др.]. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия/ В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии/ Л. В. Голубев [и др.]. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx/ В. В. Бобков [и др.]. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H/ Ю. М. Румянцев [и др.]. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As/ Ж. И. Алферов [и др.]. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36/ В. Н. Маслов [и др.]. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия/ Л. И. Дьяконов [и др.]. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы/ В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe/ Г. С. Бушмарина [и др.]. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы/ Д. И. Биленко [и др.]. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе/ Г. А. Александрова [и др.]. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы/ Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара/ А. В. Новоселова [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии/ В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно/ Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x/ Н. И. Батырев [и др.]. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута/ Э. Т. Абдукаримов [и др.]. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита/ С. И. Радауцан [и др.]. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы/ Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. Исследование роста монокристаллов AgGaS2/ В. В. Бадиков [и др.]. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки/ А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии/ А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2/ К. Б. Алейникова [и др.]. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок/ Г. А. Качурин [и др.]. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций/ Ю. В. Жиляев [и др.]. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Изучение неоднородностей легирования германия/ М. Ф. Резниченко [и др.]. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV/ Е. А. Балагурова [и др.]. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом/ Д. И. Биленко [и др.]. Свойство легированного арсенида при высоких температурах/ В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии/ Ю. Г. Сидоров [и др.]. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te/ В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара/ Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского/ Х. И. Макеев [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси/ Ю. Б. Болховитянов [и др.]. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии/ И. Е. Полозова [и др.]. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки/ Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях/ М. Родо [и др.]. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией/ Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана/ С. Фалькевич [и др.]. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава/ К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2/ ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI/ В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/В 88
Автор(ы) : Вул, Бенцион Моисеевич
Заглавие : Физика диэлектриков и полупроводников : избранные труды : Избранные труды
Выходные данные : М.: Наука, 1988
Колич.характеристики :271 с.: ил., 1 л.портр.
Коллективы : Академия наук СССР, Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
ISBN, Цена 5-02-000071-X: 6.30 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.33
ББК : В379 + В379.231.6
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Диэлектрики-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В3/А 53
Автор(ы) : Алферов, Жорес Иванович
Заглавие : Физика и жизнь . -2-е изд., доп.
Выходные данные : СПб.: Наука, 2001
Колич.характеристики :134 с
Примечания : Список осн. науч. публикаций
ISBN, Цена 5-02-024962-9: 118.04 р.
ГРНТИ : 29.01.09 + 29.19.31
ББК : В3д + В379.2
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В3/Ф 50
Заглавие : Физика сегодня и завтра: прогнозы науки
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1973
Колич.характеристики :330 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР
Серия: Современные тенденции развития науки
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 1.37 р.
ГРНТИ : 29.01.11
ББК : В3я43
Предметные рубрики: Физика-- История науки-- Сборники
Содержание : Некоторые проблемы физики и астрофизики/ В. Л. Гинзбург. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего/ Ж. И. Алферов. Кинетическая природа прочности/ В. Р. Регель, А. И. Слуцкер. Полимеры. Проблемы, перспективы, прогнозы/ С. Я. Френкель. Неклассическая наука и гносеология научного прогноза/ Б. Г. КУзнецов.
Экземпляры : всего : КФ(3)
Свободны : КФ(3)
Найти похожие

15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ф 81
Заглавие : Фотоника-2008 : тезисы докладов
Выходные данные : Новосибирск, 2008
Колич.характеристики :169 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, Научный совет по проблеме "Квантовые наноструктуры" РАН, Российский фонд фундаментальных исследований, Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (19-23 августа 2008 г.; Новосибирск)
Примечания : Авт. указ. - Указ. адресов
Цена : 60.00 р.
ГРНТИ : 47.29.31 + 29.19.31 + 45.09.35 + 53.41.31 + 47.09.29 + 47.03.05 + 29.19.22 + 47.09.48
ББК : З854я431
Предметные рубрики: Фотоэлектроника полупроводниковая-- Сборники
Наноструктуры-- Фотоэлектроника-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

16.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : У/Э 40
Автор(ы) : Алферов, Жорес Иванович, Макаров, Валерий Леонидович, Варшавский, Александр Евгеньевич, Дымова И. А., Рудцкая Е. Р., Хрусталев Е. Ю., Цыганов С. А., Дубинина М. Г., Плис И. А., Козырев А. Н., Комкина Т. А., Маркусова В. А., Терехов А. И., Никонова М. А., Дементьев В. Е., Яркин А. П.
Заглавие : Экономические проблемы развития революционных технологий. Нанотехнологии
Выходные данные : М.: Наука, 2012
Колич.характеристики :404 с
Коллективы : Российская академия наук, Центральный экономико-математический институт АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце гл.
ISBN, Цена 978-5-02-037962-6: 150.00 р.
ГРНТИ : 06.56.31 + 06.71.03 + 06.71.37
ББК : У291.551
Предметные рубрики: Нанотехнологии-- Развитие-- Экономика
Инновации-- Экономика --Россия
Наука-- Экономика-- Результаты исследований
Содержание : Проблемы развития науки и высоких технологий в России ; Экономические и социальные проблемы развития нанотехнологии ; Важнейшие факторы развития нанотехнологии ; Библиометрический и наукометрический анализ ; Совершенствование управления развитием нанотехнологии
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

17.

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Х 21
Автор(ы) : Харрисон У.
Заглавие : Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи: пер. с англ.: в 2 т./ У. Харрисон ; пер.: И. П. Ипатова, Ю. Э. Китаев ; ред. пер. Ж. И. Алферов. Т. 2
Выходные данные : М.: Мир, 1983
Колич.характеристики :332 с.: ил.
Перевод издания: Harrison, Walter A. Electronic structure and the propeties of solids
Примечания : Библиогр.: с. 322-327. - Предм. указ.: с. 328-330 :
ГРНТИ : 29.19.23 + 29.19.24
ББК : В371.2 + В373
Предметные рубрики: Твердое тело-- Структура электронная
Твердое тело-- Свойства электромагнитные
Экземпляры : всего : КФ(2)
Найти похожие

18.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Х 21
Автор(ы) : Харрисон У.
Заглавие : Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи: пер. с англ.: в 2 т./ У. Харрисон ; пер.: И. П. Ипатова, Ю. Э. Китаев ; ред. пер. Ж. И. Алферов. Т. 1
Выходные данные : М.: Мир, 1983
Колич.характеристики :381 с.: ил.
Перевод издания: Harrison, Walter A. Electronic structure and the propeties of solids
Примечания : Библиогр.: с. 372-379
Цена : 3.60 р.
ГРНТИ : 29.19.23 + 29.19.24
ББК : В371.2 + В373
Предметные рубрики: Твердое тело-- Структура электронная
Твердое тело-- Свойства электромагнитные
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН

Библиотека института биофизики

Библиотека института химии и химический технологии

Библиотека института вычислительного моделирования

Библиотека института леса

Библиотека СФУ

Краевая научная библиотека

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)