Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
в найденном
Найдено в других БД:
Труды сотрудников ИФ СО РАН (5)
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>A=Асеев, Александр Леонидович$<.>)
Общее количество найденных документов
:
6
Показаны документы
с 1 по 6
1.
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: З85/А92
Заглавие
: Атомная структура полупроводниковых систем
Выходные данные
: Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2006
Колич.характеристики
:291 с.: ил.
Коллективы
: Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Примечания
: Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена
5-7692-0841-4:
ГРНТИ
: 45.09.31
ББК
: З852 + З233
Экземпляры
:КФ(1)
Найти похожие
2.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/Л27
Автор(ы)
: Латышев,
Александр
Васильевич,
Асеев
,
Александр
Леонидович
Заглавие
: Моноатомные ступени на поверхности кремния
Выходные данные
: Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2006
Колич.характеристики
:241 с.: ил.
Коллективы
: Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Примечания
: Библиогр.: с.210-241 (594 назв.) . - Предм. указ.: с. 207-209
ISBN, Цена
5-7692-0856-2: 480.00 р.
ГРНТИ
: 29.19.04
ББК
: В375.14
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
3.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В34/Ш 69
Автор(ы)
: Шлишевский, Виктор Брунович
Заглавие
: Теория и практика светосильной растровой спектроскопии
Выходные данные
: Новосибирск: СГГА, 2005
Колич.характеристики
:264 с
Коллективы
: Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Сибирская государственная геодезическая академия, Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения РАН
Примечания
: Библиогр.: 337 назв.
ISBN, Цена
5-87693-184-5:
ГРНТИ
: 29.31.26
ББК
: В344.1 + В341.3
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
4.
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: З85/Н 25
Заглавие
: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике . -2-е изд., стер.
Выходные данные
: Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007
Колич.характеристики
:367 с.: ил.
Коллективы
: Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Примечания
: Библиогр. в конце параграфов. - Авт. указаны в огл.
ISBN, Цена
978-5-7692-0963-5: 168.00 р.
ГРНТИ
: 47.03.05
ББК
: З856
Предметные рубрики:
Наноэлектроника полупроводниковая-- Технологии
Электроника полупроводниковая-- Нанотехнологии
Экземпляры
:КФ(1)
Найти похожие
5.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: З85/Ф 81
Заглавие
: Фотоника-2011 : тезисы докладов
Выходные данные
: Новосибирск: Ин-т физ. полупровод. СО РАН, 2011
Колич.характеристики
:158 с
Коллективы
: Российская академия наук, Научный совет РАН по проблеме "Квантовые наноструктуры", Российский фонд фундаментальных исследований, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых) (22-26 августа 2011 г. ; Новосибирск)
Примечания
: Алф. указ.: с. 149-152 - Список участников. - Посв. памяти чл.-корр. РАН К.К. Свиташева :
ГРНТИ
: 47.29.31 + 29.19.31 + 45.09.35 + 53.41.31 + 47.09.29 + 29.19.22 + 47.09.48
ББК
: З854я431
Предметные рубрики:
Фотоэлектроника полупроводниковая-- Сборники
Наноструктуры-- Фотоэлектроника-- Сборники
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
6.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: З85/Ф 81
Заглавие
: Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий - ртуть - теллур
Выходные данные
: Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2012
Колич.характеристики
:257 с.: ил.
Коллективы
: Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Примечания
: Библиогр. в конце глав. - Авт. указаны в огл.
ISBN, Цена
978-5-7692-1226-0:
ГРНТИ
: 47.29.31
ББК
: З854
Предметные рубрики:
Тонкие пленки магнитные-- Получение-- Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
Содержание
: Технология выращивания слоев кадмий - ртуть - теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии ; Исследование структуры слоев кадмий - ртуть - теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ; Электрофизические свойства слоев кадмий - ртуть - теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ; Квантовые эффекты в гетероэпитаксиальных структурах кадмий - ртуть - теллур ; Фотоприемные устройства на основе ГЭС КРТ МЛЭ ; Оптико-электронные устройства на основе ФПУ ГЭС КРТ МЛЭ (тепловизионные системы на основе многоэлементных приемников излучения)
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)