Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Труды сотрудников ИФ СО РАН (17)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)

Общее количество найденных документов : 36
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-36

   В3
   С 77

   Стародубцев, Сергей Васильевич
    Полное собрание научных трудов : в 6 т. / [С. В. Стародубцев ; редкол.: Б. П. Константинов (пред.) и др.] ; Акад. наук Узб. ССР. - Ташкент : Фан, 1969 - 1974.
   Т. 4 : Радиационная физика. - 1971. - 332 с. - Библиогр. в конце тр. - 1200 экз. - 2.52 р.
    Содержание:
Общие вопросы радиационного дефектообразования
Радиационные эффекты в сульфиде кадмия
Действие излучения на германий, кремний, бор и фосфид галлия
Действие излучения на стеклообразные полупроводники и кварц
Действие излучения на сегнетоэлектрики и другие материалы

ГРНТИ

29.19.25

29.19.11

ББК В3я44 + В371.27я44
Рубрики:
Твердое тело--Влияние ионизирующих излучений--Сборники
Твердое тело--Радиационные повреждения--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Константинов, Борис Павлович \ред.\; Академия наук Узбекской ССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Р 78

    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок : [сб. в 2 ч.] / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 2800 экз.
   Ч. 1 / отв. ред. д-р хим. наук Ф. А. Кузнецов. - 1977. - 314 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
    Содержание:
Усков, Е. М. Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом / Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. - С .307-310
Заможский, В. Д. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур / В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. - С .222-225
Резниченко, М. Ф. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии / М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. - С .300-304
Хабаров, Э. Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях / Э. Н. Хабаров. - С .248-253
Шигаев, С. М. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний / С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. - С .156-158
Косов, А. В. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов / А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. - С .176-178
Мигаль, В. П. Травление германия в потоке HJ+H2 / В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. - С .93-96
Скворцов, И. М. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния / И. М. Скворцов, Б. В. Орион. - С .58-62
Киселева, Э Н. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников / Э Н. Киселева, С. А. Строителев. - С .236-238
Орлов, В. П. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии / В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. - С .121-124
Заможский, В. Д. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях / В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. - С .138-141
Гайдуков, Г. Н. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках / Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. - С .96-101
Драбкин, И. А. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов / И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. - С .280-283
Сунагава, И. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов / И. Сунагава. - С .196-198
Строителев, С. А. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников / С. А. Строителев. - С .182-186
Опперман, Г. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия / Г. Опперман. - С .62-65
Новые методики роста кристаллов и пленок . - С .204-238
Кутвицкий, В. А. Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах / В. А. Кутвицкий. - С .159-162
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост кремния в Японии / Дж. Нишизава. - С .110-115
Лузин, А. Н. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла / А. Н. Лузин. - С .230-233
Грейсух, М. Р. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников / М. Р. Грейсух. - С .85-87
Маслов, В. Н. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения / В. Н. Маслов. - С .6-17
Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы . - С .6-115
Буттер, Е. Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия / Е. Буттер. - С .27-29
Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках . - С .239-291
Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве . - С .116-203
Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках . - С .292-310
Сорокин, Г. П. Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te / Г. П. Сорокин [и др.]. - С .283-286
Другие авторы: Идричан Г. З., Андроник И. Я., Бодруг С. Н., Шевчук А. А.
Вольф, Э. Соосаждение кремния с донорами и бором / Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. - С .260-265
Родионов, А. В. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2 / А. В. Родионов [и др.]. - С .214-218
Другие авторы: Свешников Ю. Н., Белоусов В. И., Афанасьев А. К.
Кузнецов, Ф. А. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния / Ф. А. Кузнецов [и др.]. - С .34-41
Другие авторы: Буждан Я. М., Белый В. И., Смирнова Т. П., Кошечкова А. А., Кравченко В. С.
Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. - С .50-54
Вилисов, А. А. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb / А. А. Вилисов [и др.]. - С .128-131
Другие авторы: Вяткин А. П., Гермогенов В. П., Эпиктетова Л. Е.
Угай, Я. А. Получение монокристаллов фосфида германия / Я. А. Угай [и др.]. - С .198-200
Другие авторы: Соколов Л. И., Гончаров Е. Г., Лукин А. Н., Кавецкий В. С.
Толомасов, В. А. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий / В. А. Толомасов [и др.]. - С .106-110
Другие авторы: Рубцова В. А., Горшенин Г. Н., Гудкова Н. В., АбросимоваЛ. Н., Прохорова Л. М.
Круглов, М. В. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей / М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. - С .292-296
Бабич, В. М. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge / В. М. Бабич [и др.]. - С .269-272
Другие авторы: Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А.
Мигаль, В. П. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия / В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. - С .88-93
Голубев, Л. В. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии / Л. В. Голубев [и др.]. - С .124-128
Другие авторы: Геворкян В. А., Каряев В. Н., Шмарцев Ю. В.
Бобков, В. В. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx / В. В. Бобков [и др.]. - С .225-227
Другие авторы: Коваль А. Г., Климовский Ю. А., Стрельченко С. С., Шубина В. В., Бондарь С. А., Матяш А. П.
Румянцев, Ю. М. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H / Ю. М. Румянцев [и др.]. - С .41-45
Другие авторы: Демин В. М., Коковин Г. А., Федорова Т. В.
Алферов, Жорес Иванович. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As / Ж. И. Алферов [и др.]. - С .209-214
Другие авторы: Андреев В. М., Конников С. Г., Ларионов В. Р.
Маслов, В. Н. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36 / В. Н. Маслов [и др.]. - С .69-74
Другие авторы: Лупачева А. Н., Коробов О. Е., Ухорская Т. А., Юрова Е. С.
Дьяконов, Л. И. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия / Л. И. Дьяконов [и др.]. - С .74-79
Другие авторы: Деменков Н. М., Кривко Л. А., Гуляева А. С., Руда Б. И.
Леонов, В. П. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы / В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. - С .66-69
Бушмарина, Г. С. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe / Г. С. Бушмарина [и др.]. - С .286-290
Другие авторы: Грузинов Б. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.
Биленко, Д. И. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы / Д. И. Биленко [и др.]. - С .21-27
Другие авторы: Галишникова Ю. Н., Лопатина Л. Б., Смирнов А. И., Тучкевич В. В., Явич Б. С.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе / Г. А. Александрова [и др.]. - С .45-50
Другие авторы: Дорская Е. Н., Лымарь Г. Ф., Марчуков Л. В., Шубин А. Е.
Акчурин, Р. Х. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы / Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. - С .152-156
Новоселова, А. В. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара / А. В. Новоселова [и др.]. - С .30-34
Другие авторы: Зломанов В. П., Масякин Е. В., Тананаева О. И.
Горемыкин, В. В. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии / В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. - С .132-135
В., Е. Ильиных Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно / Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. - С .186-190
Батырев, Н. И. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x / Н. И. Батырев [и др.]. - С .144-147
Другие авторы: Вигдорович В. Н., Нестюрина Е. Е., Селин А. А., Уфимцев В. Д., Червяков А. И., Шумилин В. П.
Абдукаримов, Э. Т. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута / Э. Т. Абдукаримов [и др.]. - С .190-193
Другие авторы: Останина К. В., Орлов А. Г., Романенко В. Н., Сидоров А. Ф.
Радауцан, С. И. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита / С. И. Радауцан [и др.]. - С .54-58
Другие авторы: Цуркан А. Е., Пасько П. Г., Кичерман Л. В.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы / Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. - С .147-152
Бадиков, В. В. Исследование роста монокристаллов AgGaS2 / В. В. Бадиков [и др.]. - С .193-196
Другие авторы: Овчинникова В. А., Пивоваров О. Н., Скоков Ю. В., Скребнева О. В.
Лузин, А. Н. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки / А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. - С .233-236
Блистанов, А. А. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии / А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. - С .296-300
Алейникова, К. Б. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2 / К. Б. Алейникова [и др.]. - С .200-203
Другие авторы: Зюбина Т. А., Работкина Н. С., Угай Я. А.
Качурин, Г. А. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок / Г. А. Качурин [и др.]. - С .227-230
Другие авторы: Придачин Н. Б., Романов С. И., Смирнов Л. С.
Жиляев, Ю. В. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций / Ю. В. Жиляев [и др.]. - С .79-85
Другие авторы: Конников С. Г., Румянцев В. Д., Улин В. П.
Вахрамеев, С. С. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия / С. С. Вахрамеев [и др.]. - С .169-173
Другие авторы: Гончаров Л. Г., Русин А. П., Щелкин Ю. ф.
Резниченко, М. Ф. Изучение неоднородностей легирования германия / М. Ф. Резниченко [и др.]. - С .304-307
Другие авторы: Усков Е. М., Рыбин Ю. А., Вертопрахов В. Н.
Балагурова, Е. А. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV / Е. А. Балагурова [и др.]. - С .253-255
Другие авторы: Морозов В. Н., Рязанцев А. А., Хабаров Э. Н.
Биленко, Д. И. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом / Д. И. Биленко [и др.]. - С .218-222
Другие авторы: Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Смирнов А. И., Цыпленков И. Н.
Хохлов, В. И. Свойство легированного арсенида при высоких температурах / В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. - С .276-280
Сидоров, Ю. Г. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии / Ю. Г. Сидоров [и др.]. - С .272-276
Другие авторы: Васильева Л. Ф., Сидорова А. В., Сабинина И. В., Дворецкий С. А.
Иванов-Омский, В. И. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te / В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. - С .141-144
Вахрамеев, С. С. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов / С. С. Вахрамеев [и др.]. - С .162-168
Другие авторы: Мильвидский М. Г., Смирнов В. А., Щелкин Ю. Ф.
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара / Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. - С .204-209
Макеев, Х. И. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского / Х. И. Макеев [и др.]. - С .173-176
Другие авторы: Погодин А. И., Старшинов И. П., Холодовская А. А.
Болховитянов, Ю. Б. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси / Ю. Б. Болховитянов [и др.]. - С .135-138
Другие авторы: Мельников П. Л., Строителев С. А., Чикичев С. И.
Полозова, И. Е. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии / И. Е. Полозова [и др.]. - С .290-291
Другие авторы: Романычев Д. А., Тарасова И. М., Белашов Ю. Г.
Сэдед, Бахтуянг. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки / Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. - С .265-269
Родо, М. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях / М. Родо [и др.]. - С .239-248
Другие авторы: Шнейдер М., Тьерри-Мит В., Гуллауме Дж.
Нишинага, Т. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией / Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. - С .116-121
Фалькевич, С. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана / С. Фалькевич [и др.]. - С .102-106
Другие авторы: Петрик А. Г., Шварцман Л. Я., Шейхет Э. Г., Николашин Ж. П., Трайнин А. Л.
Розин, К. М. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава / К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. - С .179-182
Нишизава, ДЖ. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2 / ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. - С .17-21
Вигдорович, В. Н. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI / В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин. - С .255-260

ГРНТИ

29.19.31

ББК В375.14я43 + З852я43
Рубрики:
Кристаллы полупроводниковые--Рост--Сборники
Пленки полупроводниковые--Рост--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Смирнов, А. И.; Тучкевич, В. В.; Явич, Б. С.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Ф 50

    Физика гидрогенизированного аморфного кремния : [в 2 вып.] / под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски ; пер. с англ. А. И. Косарева, К. В. Коугия, Е. И. Терукова, под ред А. А. Андреева . - М. : Мир, 1987 - 1988. - (Проблемы прикладной физики).
   Вып. 2 : Электронные и колебательные свойства. - 1987. - 368 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ. - Пер. изд. : The physics of hydrogenated amorphous silicon II. Electronic and vibrational propeties. - 4.90 р.

ГРНТИ

29.19.04

ББК В371.24
Рубрики:
Кремний--Свойства физические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Джоунопулос, Дж.; Люковски, Дж.; Аллан, Д.; Лей, Л.; Мотт, Невилл Фрэнсис; Стрит, Р.; Бигельсен, Д.; Тиджи, Т.; Поллард, У.; Косарев, А. И. \пер.\; Коугия, К. В. \пер.\; Теруков, Е. И. \пер.\; Джоунопулос, Дж. \ред.\; Люковски, Дж. \ред.\; Андреев, А. А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Т 13

    Тагиров, Владимир Исмаил-оглы.
    Полупроводниковые твердые растворы. Германий-кремний / В. И. Тагиров ; ред. Г. Б. Абдуллаев. - Баку : Элм, 1983. - 208 с. - В надзаг.: Акад наук Азерб. ССР. - Библиогр.: с. 197-206 (394 назв.). - 1200 экз. - 2.40 р.
    Содержание:
Некоторые сведения об электронных свойствах твердых растворов германия с кремнием
Получение монокристаллов твердых растворов германий-кремний и их легировнаие различными примесями
Электрические свойства нелегированных твердых растворов германий-кремний
примесные энергетические состояния в твердых растворах германий-кремний
Донорно-акцепторное взаимодействие в твердых растворах германий-кремний
Влияние термической обработки на электрические свойства твердых растворов германий-кремний
Фотопроводимость твердых растворов германий-кремний

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379
Рубрики:
Полупроводники--Твердые растворы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Абдуллаев, Гасан Мамед Багир оглы \ред.\; Академия наук Азербайджанской ССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   И 98

    Ищенко, Анатолий Александрович.
    Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов. - М. : Физматлит, 2011. - 647 с. ; 24 см. - Библиогр. в конце гл. - Предм. указ.: с. 638-647. - 300 экз. - ISBN 978-5-9221-1369-4 : 893.00 р.
    Содержание:
Некоторые свойства полупроводников - терминология
Структура и свойства кремния
Пористый кремний: люминесцентные свойства
Квантовые точки
Методы синтеза, модифицирование поверхности и определение характеристик нанокремния
Термоокислительные процессы в порошках нанокремния
Тонкие пленки, осажденные из золя наночастиц кремния
Методы исследования и контроля структуры и свойств нанокремния
Методы гранулометрического контроля нанокремния
Новые рентгеновские дифракционные методы анализа микроструктуры и морфологии нанокристаллических порошков
Методы фемтосекундной спектроскопии и дифракции электроновс временным разрешением
Флуоресцентные метки на основе нанокремния
Пористый кремний как фотосенсибилизатор генерации синглетногокислорода
Солнцезащитные средства
Полимерные композиты на основе нанокремния
Применения нанокремния в солнечной энергетике

ГРНТИ

ББК В371.26 + Ж37 + Г124.2 + Л253
Рубрики:
Кремний--Тонкие слои--Свойства--Структура
Наноструктуры--Свойства физические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Фетисов, Геннадий Владимирович; Асланов, Леонид Александрович
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   И 75


    Ионная имплантация и лучевая технология / под ред. Дж. С. Вильямса, Дж. М. Поута ; пер. с англ. А. М. Евстигнеева, под общ. ред. акад. АН УССР О. В. Снитко. - Киев : Наукова думка, 1988. - 358 с. - Библиогр.: с. 327-353. - Предм. указ.: с. 354-358. - Пер. изд. : Ion Implantation and Beam Processing. - 1984. - 940 экз. - ISBN 5-12-009334-5 : 5.50 р.
    Содержание:
Введение в имплантацию и лучевую технологию
Аморфизация и кристаллизация полупроводников
Гиббонс, Дж. Г. Применение кинетического уравнения Больцмана к описанию ионной имплантации в полупроводниках и многослойных мишенях / Дж. Г. Гиббонс, Л. А. Кристел
Дэвис, Дж. А. Каскады столкновений с высокой плотностью энергии и эффекты пиков / Дж. А. Дэвис
Браун, В. Л. Имплантация диэлектриков: льды и материалы для литографии / В. Л. Браун
Андерсен, Х. Х. Изменение состава сплавов и соединений под воздействием ионной бомбардировки / Х. Х. Андерсен
Эпплот, Б. Р. Ионно-лучевое и лазерное перемешивание: фундаментальные аспекты и применения / Б. Р. Эпплот
Бинленд, Д. Г. Высокодозовая имплантация / Д. Г. Бинленд
Раппрехт, Х. С. Тенденции использования ионной имплантации в крмемниевой технологии / Х. С. Раппрехт, А. Е. Мичел
Эйзен, Ф. Х. имплантация в технологии приборов на основе GaAs / Ф. Х. Эйзен
Баглин, Дж. Контакты и межсоединения на полупроводниках / Дж. Баглин [и др.]
Другие авторы: Харрисон Х., Тэндон Дж., Вильямс Дж. С.
Кремний
Арсенид галлия

ГРНТИ

29.19.31

29.19.21

ББК В379.27 + В379.212.5
Рубрики:
Полупроводники--Поверхность--Облучение--Технологии
Ионная имплантация--Полупроводники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вильямс, Дж. С. \ред.\; Поут, Дж. М. \ред.\; Евстигнеев, А. М. \пер.\; Снитко, О. В. \ред. пер.\; Вильямс, Дж. С.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   Ж
   Т 66

    Трегулов, Вадим Викторович.
    Пористый кремний: технология, свойства, применение / В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния

ГРНТИ

ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение
Кремний--Свойства--Получение--Применение
Электроника--Материалы--Кремний

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   М 85

   Мотт, Невилл Френсис
    Электронные процессы в некристаллических веществах : в 2-х т. / Н. Мотт, Э. Дэвис ; пер. с англ. Б. Т. Коломийца. - 2-е, перераб. и доп. изд. - М. : Мир, 1982 - .
   Т. 2. - 2-е изд., перераб. и доп. - 1982. - 369-663 с. : ил. - Пер. изд. : Electron processes in non-grystalline materials / N. F. Mott, E. A. Davis. - 6000 экз. - 2.60 р.
    Содержание:
Полупроводники с тетраэдической координацией атомов - аморфные германий и кремний
Мышьяк и другие трехвалентные элементы
Халькогенидные и другие стекла
Селен, теллур и их сплавы

ГРНТИ

29.19.23

ББК В379.23 + В379.24
Рубрики:
Полупроводники аморфные--Структура электронная
Металлы жидкие--Структура электронная
Металлы переходные--Структура электронная

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Дэвис, Эдвард Артур; Коломийц, Б. Т. \ред. пер.\; Mott, N. F.; Davis, E. A.
Экземпляры всего: 3
КФ (3)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   К 79


    Кремний-2002 : совещ. по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г.: тез. докл. / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : [б. и.], 2002. - 215 с. - 10.00 р.

ГРНТИ

ББК В371.2я431 + В379.2я431 + З843.312.08я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Рубрики:
Кремний--Тонкие слои--Свойства--Структура
Кристаллы--Рост--Свойства--Структура

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; "Кремний-2002", совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (9-12 июля 2002 г. ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

10.

   Г4
   Б 12

    Бабко, Анатолий Кириллович.
    Фотометрический анализ. Методы определения неметаллов / А. К. Бабко, А. Т. Пилипенко. - М. : Химия, 1974. - 360 с. - Библиогр.: с. 345-348. - 11000 экз. - 1.75 р.
    Содержание:
Азот
Бор
Фосфор и кремний
Мышьяк
Кислород
Сера
Селен и теллур
Фтор
Хлор
Бром
Йод

ГРНТИ

31.19.15

ББК Г461.313.4

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Пилипенко, Анатолий Терентьевич
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие