Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Труды сотрудников ИФ СО РАН (7)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Слои<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 14

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К79
Заглавие : Кремний-2004 : тезисы докладов
Выходные данные : Иркутск: ИГ СО РАН, 2004
Колич.характеристики :233 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения РАН, Кремний-2004. Совещание (5-9 июля 2004 г.; Иркутск)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
ISBN, Цена 5-94797-048-1:
ГРНТИ : 31.17 + 61.31.47 + 29.19 + 29.19.22 + 29.19.31 + 47.09.29
ББК : В371я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Предметные рубрики: Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Кристаллы-- Рост-- Свойства-- Структура
Содержание : Получение и свойства нанокомпозитных углеродно-кремниевых кластеров/ Г. Н. Чурилов [и др.] .
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Дополнительные материалы по теме
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К79
Заглавие : Кремний-2006 : тезисы докладов
Выходные данные : Красноярск: ИФ СО РАН, 2006
Колич.характеристики :138 с
Коллективы : Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства (3;4-6 июля 2006 г.;Красноярск) , Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства (3; 4-6 июля 2006 г.; Красноярск)
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Указ. авторов :
ГРНТИ : 31.17 + 61.31.47 + 29.19 + 29.19.22 + 29.19.31 + 29.19.04 + 29.19.11 + 47.09.29
ББК : В371я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Предметные рубрики: Кристаллы-- Рост-- Свойства-- Структура
Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Содержание : Исследование интерфейса мультислоев Fe/Si методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов/ А. С. Паршин [и др.] . Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии/ Н. Н. Косырев [и др.] . Магнитные и резонансные свойства многослойных магнитных пленок с немагнитной кремниевой прослойкой/ Г. С. Патрин [и др.] . Влияние ионов диспрозия на физические свойства кристалла моносилицида железа/ Г. С. Патрин [и др.] . Многослойные магнитные наноструктуры на основе кремния, полученные термическим испарением в сверхвысоком вакууме/ С. Н. Варнаков [и др.] . Реализация серверного программного обеспечения для получения кремниевых пленок/ А. В. Шайдуров [и др.] . Структуры на основе пористого кремния и возможное их применение в микроэлектронике/ Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова, С. В. Комогорцев. Синтез и свойства композитов магнитный металл-пористый кремний/ Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова, С. В. Комогорцев.
Экземпляры : всего : РСФ(1), КФ(1)
Свободны : РСФ(1), КФ(1)
Дополнительные материалы по теме
Найти похожие

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/П42
Автор(ы) : Балохонов Р. Р. и др.
Заглавие : Поверхностные слои и внутренние границы раздела в гетерогенных материалах : сборник
Выходные данные : Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2006
Колич.характеристики :520 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения РАН, Институт теоретической и прикладной механики Сибирского отделения РАН, Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева Сибирского отделения РАН, Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения РАН, Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН
Серия: Интеграционные проекты СО РАН: основана в 2003 г. гл. ред. В.М. Титов; Вып. 8
Примечания : Библиогр.: с. 479
ISBN, Цена 5-7692-0868-6:
ГРНТИ : 30.19
ББК : В371.25 + Ж306
Предметные рубрики: Поверхность-- Исследование-- Методы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В34/Д 76
Автор(ы) : Друде, Пауль
Заглавие : Оптические постоянные и поверхностные слои : пер. с нем.
Выходные данные : Новосибирск: ВО "Наука", 1994
Колич.характеристики :481 с.: ил.
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
Серия: Избранные труды классиков физической оптики; Вып.3
Примечания : Авт. на суперобл. не указан
ISBN, Цена 5-02-030665-7: Б.ц.
ГРНТИ : 29.31
ББК : В343я44 + В374я44 + К206.34я44
Предметные рубрики: Оптика-- Поверхность
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В34/Р 64
Автор(ы) : Розенберг Г. В.
Заглавие : Оптика тонкослойных покрытий
Выходные данные : М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1958
Колич.характеристики :570 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 547-563
Цена : 1.66 р.
ГРНТИ : 29.31.15
ББК : В341.6
Предметные рубрики: Оптика-- Покрытия-- Тонкие слои
Покрытия-- Тонкие слои-- Оптика
Экземпляры : всего : КФ(2)
Найти похожие

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В33/Н 46
Заглавие : Нейтральные токовые слои в плазме : сб. науч. тр.
Выходные данные : М.: Наука, 1974
Колич.характеристики :168 с
Коллективы : Академия наук СССР, Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Серия: Труды Физического института им. П.П. Лебедева: изд. с 1936 г./ Акад. наук СССР, Физ. ин-т им. П.П. Лебедева; т. 74
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 0.94 р.
ГРНТИ : 30.51.17 + 29.27
ББК : В333.21я54
Предметные рубрики: Плазма-- Гидродинамика магнитная-- Сборники
Содержание : Нейтральные токовые слои в лабораторной и космической плазме/ С. И. Сыроватский. Гидродинамические течения плазмы в сильном магнитном поле/ Б. В. Сомов. Численное интегрирование уравнений магнитной гидродинамики для окрестности нулевой линии магнитного поля/ Н. И. Герлах. Некоторые задачи кинетики нейтрального токового поля/ С. В. Буланов. Экспериментальное исследование условий возникновения и некоторых характеристик нейтрального токового слоя в плазме/ А. Г. Франк.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В36/К 41
Заглавие : Кинетические и стохастические методы : сб. науч. тр.
Выходные данные : М.: Наука, 1994
Колич.характеристики :250 с
Коллективы : Российская академия наук, Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Серия: Труды Физического института им. П.П. Лебедева: изд. с 1936 г.; т. 218
Примечания : Библиогр. в конце ст.
ISSN: 0203-5820
ISBN, Цена 5-02-000328-X: 2250.00 р.
ГРНТИ : 29.19.35 + 29.17.15
ББК : В36я54 + В379.35я54 + В317.1я54
Содержание : Теория амплитуд вероятности и ее групповые аспекты/ А. Л. Шелепин, Л. А. Шелепин. Кинетический подход в экологии/ Т. В. Быстрова, Л. А. Шелепин. Нелинейная экология больших городов/ С. А. Васильев [и др.]. Кинетика колебательной релаксации двухатомных молекул в присутствии внешних источников накачки/ А. А. Степанов, В. А. Щеглов. Кинетика процессов в газовых средах, содержащих метастабильный кислород/ Ю. А. Кулагин, Л. А. Шелепин, В. Н. Ярыгина. Пример расслоения носителей заряда в основном состоянии диэлектрика/ И. И. Иванчик. Тонкие слои однодоменного сегнетоэлектрика/ И. И. Иванчик.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 79
Заглавие : Кремний-2010. Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе : Тезисы докладов
Выходные данные : Нижний Новгород: Изд-во Нижегор. ун-та, 2010
Колич.характеристики :275 с. + 26 см
Коллективы : Российская академия наук, Институт физики микроструктур РАН, Институт химии высокочистых веществ РАН, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Научный совет по физико-химическим основам материаловедения полупроводников РАН, Научный совет по физике полупроводников РАН, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Московский институт стали и сплавов, Кремний-2010. Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (7; 2010 ; 6-9 июля; Нижний Новгород)
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Список докладчиков
ISBN, Цена 978-5-91326-1 58-8:
ГРНТИ : 31.17 + 61.31.47 + 29.19.22 + 29.19.04 + 29.19.31 + 47.09.29
ББК : В371я431 + З843.222.4я431 + Л253.2я431
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Кремний-- Сборники
Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Содержание : / В. Н. Шепов.
Аннотация: Ежегодный форум, проводимый в России и странах СНГ с 1999 г. Учёные, представляющие академическое сообщество, вузы и промышленность, обсуждают широкий спектр проблем кремния и родственных ему материалов.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В36/Х 22
Автор(ы) : Хартри, Дуглас Р.
Заглавие : Расчеты атомных структур
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1960
Колич.характеристики :271 с.: рис.
Примечания : Библиогр. в конце глав :
ГРНТИ : 29.29
ББК : В36
Содержание : Атомная теория ; Вариационный принцип ; Конфигурации, состоящие из заполненных слоев ; Численные методы ; Применение численных методов ; Применение численных методов ; Конфигурации, содержащие незаполненные слои ; Зависимость атомных волновых функций и полей от атомного номера ; Энергетические соотношения ; Релятивистское обобщение ; Улучшенные приближения
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 79
Заглавие : Кремний-2002 : совещ. по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г.: тез. докл.
Выходные данные : Новосибирск, 2002
Колич.характеристики :215 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, "Кремний-2002", совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (9-12 июля 2002 г.; Новосибирск)
Цена : 10.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29 + 29.19.04 + 29.19.11 + 29.19.16 + 61.31.47
ББК : В371.2я431 + В379.2я431 + З843.312.08я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Предметные рубрики: Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Кристаллы-- Рост-- Свойства-- Структура
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/И 98
Автор(ы) : Ищенко, Анатолий Александрович, Фетисов, Геннадий Владимирович, Асланов, Леонид Александрович
Заглавие : Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля
Выходные данные : М.: Физматлит, 2011
Колич.характеристики :647 с. ; 24 см
Примечания : Библиогр. в конце гл. - Предм. указ.: с. 638-647
ISBN, Цена 978-5-9221-1369-4: 893.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 29.19.16 + 29.19.22 + 47.09.48 + 47.13.07
ББК : В371.26 + Ж37 + Г124.2 + Л253
Предметные рубрики: Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Наноструктуры-- Свойства физические
Содержание : Некоторые свойства полупроводников - терминология ; Структура и свойства кремния ; Пористый кремний: люминесцентные свойства ; Квантовые точки ; Методы синтеза, модифицирование поверхности и определение характеристик нанокремния ; Термоокислительные процессы в порошках нанокремния ; Тонкие пленки, осажденные из золя наночастиц кремния ; Методы исследования и контроля структуры и свойств нанокремния ; Методы гранулометрического контроля нанокремния ; Новые рентгеновские дифракционные методы анализа микроструктуры и морфологии нанокристаллических порошков ; Методы фемтосекундной спектроскопии и дифракции электроновс временным разрешением ; Флуоресцентные метки на основе нанокремния ; Пористый кремний как фотосенсибилизатор генерации синглетногокислорода ; Солнцезащитные средства ; Полимерные композиты на основе нанокремния ; Применения нанокремния в солнечной энергетике
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

12.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Р 78
Заглавие : Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: [сб. в 2 ч.]/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. Ч. 1
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1977
Колич.характеристики :314 с.: рис., фот.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст. :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В375.14я43 + З852я43
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Содержание : Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом/ Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур/ В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии/ М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях/ Э. Н. Хабаров. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний/ С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов/ А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. Травление германия в потоке HJ+H2/ В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния/ И. М. Скворцов, Б. В. Орион. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников/ Э Н. Киселева, С. А. Строителев. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии/ В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях/ В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках/ Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов/ И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов/ И. Сунагава. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников/ С. А. Строителев. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия/ Г. Опперман. Новые методики роста кристаллов и пленок ; Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах/ В. А. Кутвицкий. Эпитаксиальный рост кремния в Японии/ Дж. Нишизава. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла/ А. Н. Лузин. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников/ М. Р. Грейсух. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения/ В. Н. Маслов. Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы ; Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия/ Е. Буттер. Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках ; Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве ; Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках ; Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te/ Г. П. Сорокин [и др.]. Соосаждение кремния с донорами и бором/ Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2/ А. В. Родионов [и др.]. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния/ Ф. А. Кузнецов [и др.]. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы/ С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb/ А. А. Вилисов [и др.]. Получение монокристаллов фосфида германия/ Я. А. Угай [и др.]. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий/ В. А. Толомасов [и др.]. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей/ М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge/ В. М. Бабич [и др.]. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия/ В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии/ Л. В. Голубев [и др.]. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx/ В. В. Бобков [и др.]. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H/ Ю. М. Румянцев [и др.]. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As/ Ж. И. Алферов [и др.]. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36/ В. Н. Маслов [и др.]. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия/ Л. И. Дьяконов [и др.]. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы/ В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe/ Г. С. Бушмарина [и др.]. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы/ Д. И. Биленко [и др.]. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе/ Г. А. Александрова [и др.]. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы/ Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара/ А. В. Новоселова [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии/ В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно/ Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x/ Н. И. Батырев [и др.]. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута/ Э. Т. Абдукаримов [и др.]. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита/ С. И. Радауцан [и др.]. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы/ Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. Исследование роста монокристаллов AgGaS2/ В. В. Бадиков [и др.]. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки/ А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии/ А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2/ К. Б. Алейникова [и др.]. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок/ Г. А. Качурин [и др.]. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций/ Ю. В. Жиляев [и др.]. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Изучение неоднородностей легирования германия/ М. Ф. Резниченко [и др.]. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV/ Е. А. Балагурова [и др.]. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом/ Д. И. Биленко [и др.]. Свойство легированного арсенида при высоких температурах/ В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии/ Ю. Г. Сидоров [и др.]. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te/ В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара/ Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского/ Х. И. Макеев [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси/ Ю. Б. Болховитянов [и др.]. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии/ И. Е. Полозова [и др.]. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки/ Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях/ М. Родо [и др.]. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией/ Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана/ С. Фалькевич [и др.]. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава/ К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2/ ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI/ В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

13.

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5/Н 25
Автор(ы) : Азаренков, Николай Алексеевич, Береснев, Вячеслав Мартынович, Погребняк, Александр Дмитриевич, Колесников, Дмитрий Александрович
Заглавие : Наноструктурные покрытия и наноматериалы. Основы получения. Свойства. Области применения. Особенности современного наноструктурного направления в нанотехнологии
Выходные данные : М.: ЛИБРОКОМ, 2012
Колич.характеристики :366 с
Коллективы : Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, Сумской государственный университет
Примечания : Библиогр. в конце разд. - Словарь терминов
ISBN, Цена 978-5-397-02385-6: 410.40 р.
ГРНТИ : 29.19.22 + 55.22 + 81.33.33
ББК : Г582 + В371.26
Предметные рубрики: Покрытия-- Тонкие слои-- Нанотехнологии
Наноструктуры-- Свойства-- Получение-- Применение
Содержание : Особенности структурного состояния нанокристаллических материалов ; Нанопористые материалы ; Аморфные материалы ; Фуллерены, фуллериты, нанотрубки ; Нанокомпозиционные материалы ; Методы получения наноматериалов ; Методы исследования наноматериалов ; Структура, свойства нанокристаллических пленок и покрытий ; Использование медленных позитронов для диагностики материалов ; Ближнеполевая свч-диагностика материалов и сред ; Получение и использование фуллеренов, нанотрубок, графена и кубана ; Физико-химические и механические свойства наноструктурных нитридных покрытий ; Применение наноматериалов в технике ; Применение наноматериалов в военной области и индустрии
Экземпляры :КФ(1)
Интернет
Найти похожие

14.

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В34/А 44
Автор(ы) : Акципетров, Олег Андреевич
Заглавие : Нелинейная оптика кремния и кремниевых наноструктур
Выходные данные : М.: Физматлит, 2012
Колич.характеристики :543 с
Примечания : Библиогр. в конце гл.
ISBN, Цена 978-5-9221-1402-8:
ГРНТИ : 29.31.21 + 29.19.31 + 47.09.29
ББК : В343.4 + В379.24
Предметные рубрики: Электроника-- Материалы-- Кремний -- Свойства оптические
Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Экземпляры :КФ(1)
Смотреть книгу
Найти похожие