Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Труды сотрудников ИФ СО РАН (17)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кремний<.>)

Общее количество найденных документов : 36
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-36

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В3/С 77
Автор(ы) : Стародубцев, Сергей Васильевич
Заглавие : Полное собрание научных трудов: в 6 т./ [С. В. Стародубцев ; редкол.: Б. П. Константинов (пред.) и др.] ; Акад. наук Узб. ССР. Т. 4: Радиационная физика
Выходные данные : Ташкент: Фан, 1971
Колич.характеристики :332 с
Коллективы : Академия наук Узбекской ССР
Примечания : Библиогр. в конце тр.
Цена : 2.52 р.
ГРНТИ : 29.19.25 + 29.19.11
ББК : В3я44 + В371.27я44
Предметные рубрики: Твердое тело-- Влияние ионизирующих излучений-- Сборники
Твердое тело-- Радиационные повреждения-- Сборники
Содержание : Общие вопросы радиационного дефектообразования ; Радиационные эффекты в сульфиде кадмия ; Действие излучения на германий, кремний, бор и фосфид галлия ; Действие излучения на стеклообразные полупроводники и кварц ; Действие излучения на сегнетоэлектрики и другие материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Р 78
Заглавие : Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: [сб. в 2 ч.]/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. Ч. 1
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1977
Колич.характеристики :314 с.: рис., фот.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст. :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В375.14я43 + З852я43
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Содержание : Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом/ Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур/ В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии/ М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях/ Э. Н. Хабаров. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний/ С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов/ А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. Травление германия в потоке HJ+H2/ В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния/ И. М. Скворцов, Б. В. Орион. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников/ Э Н. Киселева, С. А. Строителев. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии/ В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях/ В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках/ Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов/ И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов/ И. Сунагава. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников/ С. А. Строителев. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия/ Г. Опперман. Новые методики роста кристаллов и пленок ; Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах/ В. А. Кутвицкий. Эпитаксиальный рост кремния в Японии/ Дж. Нишизава. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла/ А. Н. Лузин. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников/ М. Р. Грейсух. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения/ В. Н. Маслов. Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы ; Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия/ Е. Буттер. Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках ; Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве ; Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках ; Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te/ Г. П. Сорокин [и др.]. Соосаждение кремния с донорами и бором/ Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2/ А. В. Родионов [и др.]. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния/ Ф. А. Кузнецов [и др.]. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы/ С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb/ А. А. Вилисов [и др.]. Получение монокристаллов фосфида германия/ Я. А. Угай [и др.]. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий/ В. А. Толомасов [и др.]. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей/ М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge/ В. М. Бабич [и др.]. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия/ В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии/ Л. В. Голубев [и др.]. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx/ В. В. Бобков [и др.]. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H/ Ю. М. Румянцев [и др.]. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As/ Ж. И. Алферов [и др.]. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36/ В. Н. Маслов [и др.]. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия/ Л. И. Дьяконов [и др.]. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы/ В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe/ Г. С. Бушмарина [и др.]. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы/ Д. И. Биленко [и др.]. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе/ Г. А. Александрова [и др.]. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы/ Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара/ А. В. Новоселова [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии/ В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно/ Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x/ Н. И. Батырев [и др.]. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута/ Э. Т. Абдукаримов [и др.]. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита/ С. И. Радауцан [и др.]. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы/ Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. Исследование роста монокристаллов AgGaS2/ В. В. Бадиков [и др.]. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки/ А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии/ А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2/ К. Б. Алейникова [и др.]. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок/ Г. А. Качурин [и др.]. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций/ Ю. В. Жиляев [и др.]. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Изучение неоднородностей легирования германия/ М. Ф. Резниченко [и др.]. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV/ Е. А. Балагурова [и др.]. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом/ Д. И. Биленко [и др.]. Свойство легированного арсенида при высоких температурах/ В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии/ Ю. Г. Сидоров [и др.]. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te/ В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара/ Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского/ Х. И. Макеев [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси/ Ю. Б. Болховитянов [и др.]. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии/ И. Е. Полозова [и др.]. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки/ Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях/ М. Родо [и др.]. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией/ Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана/ С. Фалькевич [и др.]. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава/ К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2/ ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI/ В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Ф 50
Автор(ы) :
Заглавие : Физика гидрогенизированного аморфного кремния: [в 2 вып.]/ под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски ; пер. с англ. А. И. Косарева, К. В. Коугия, Е. И. Терукова, под ред А. А. Андреева . - (Проблемы прикладной физики). Вып. 2: Электронные и колебательные свойства
Выходные данные : М.: Мир, 1987
Колич.характеристики :368 с.: ил.
Перевод издания: The physics of hydrogenated amorphous silicon II. Electronic and vibrational propeties
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ. :
ГРНТИ : 29.19.04
ББК : В371.24
Предметные рубрики: Кремний-- Свойства физические
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Т 13
Автор(ы) : Тагиров, Владимир Исмаил-оглы
Заглавие : Полупроводниковые твердые растворы. Германий-кремний
Выходные данные : Баку: Элм, 1983
Колич.характеристики :208 с
Коллективы : Академия наук Азербайджанской ССР
Примечания : Библиогр.: с. 197-206 (394 назв.). - В надзаг.: Акад наук Азерб. ССР
Цена : 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379
Предметные рубрики: Полупроводники-- Твердые растворы
Содержание : Некоторые сведения об электронных свойствах твердых растворов германия с кремнием ; Получение монокристаллов твердых растворов германий-кремний и их легировнаие различными примесями ; Электрические свойства нелегированных твердых растворов германий-кремний ; примесные энергетические состояния в твердых растворах германий-кремний ; Донорно-акцепторное взаимодействие в твердых растворах германий-кремний ; Влияние термической обработки на электрические свойства твердых растворов германий-кремний ; Фотопроводимость твердых растворов германий-кремний
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/И 98
Автор(ы) : Ищенко, Анатолий Александрович, Фетисов, Геннадий Владимирович, Асланов, Леонид Александрович
Заглавие : Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля
Выходные данные : М.: Физматлит, 2011
Колич.характеристики :647 с. ; 24 см
Примечания : Библиогр. в конце гл. - Предм. указ.: с. 638-647
ISBN, Цена 978-5-9221-1369-4: 893.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 29.19.16 + 29.19.22 + 47.09.48 + 47.13.07
ББК : В371.26 + Ж37 + Г124.2 + Л253
Предметные рубрики: Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Наноструктуры-- Свойства физические
Содержание : Некоторые свойства полупроводников - терминология ; Структура и свойства кремния ; Пористый кремний: люминесцентные свойства ; Квантовые точки ; Методы синтеза, модифицирование поверхности и определение характеристик нанокремния ; Термоокислительные процессы в порошках нанокремния ; Тонкие пленки, осажденные из золя наночастиц кремния ; Методы исследования и контроля структуры и свойств нанокремния ; Методы гранулометрического контроля нанокремния ; Новые рентгеновские дифракционные методы анализа микроструктуры и морфологии нанокристаллических порошков ; Методы фемтосекундной спектроскопии и дифракции электроновс временным разрешением ; Флуоресцентные метки на основе нанокремния ; Пористый кремний как фотосенсибилизатор генерации синглетногокислорода ; Солнцезащитные средства ; Полимерные композиты на основе нанокремния ; Применения нанокремния в солнечной энергетике
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/И 75
Заглавие : Ионная имплантация и лучевая технология
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1988
Колич.характеристики :358 с
Перевод издания: Ion Implantation and Beam Processing. -1984
Примечания : Библиогр.: с. 327-353. - Предм. указ.: с. 354-358
ISBN, Цена 5-12-009334-5: 5.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.21
ББК : В379.27 + В379.212.5
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Облучение-- Технологии
Ионная имплантация-- Полупроводники
Содержание : Введение в имплантацию и лучевую технологию ; Аморфизация и кристаллизация полупроводников ; Применение кинетического уравнения Больцмана к описанию ионной имплантации в полупроводниках и многослойных мишенях/ Дж. Г. Гиббонс, Л. А. Кристел. Каскады столкновений с высокой плотностью энергии и эффекты пиков/ Дж. А. Дэвис. Имплантация диэлектриков: льды и материалы для литографии/ В. Л. Браун. Изменение состава сплавов и соединений под воздействием ионной бомбардировки/ Х. Х. Андерсен. Ионно-лучевое и лазерное перемешивание: фундаментальные аспекты и применения/ Б. Р. Эпплот. Высокодозовая имплантация/ Д. Г. Бинленд. Тенденции использования ионной имплантации в крмемниевой технологии/ Х. С. Раппрехт, А. Е. Мичел. имплантация в технологии приборов на основе GaAs/ Ф. Х. Эйзен. Контакты и межсоединения на полупроводниках/ Дж. Баглин [и др.]. Кремний ; Арсенид галлия
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж/Т 66
Автор(ы) : Трегулов, Вадим Викторович
Заглавие : Пористый кремний: технология, свойства, применение
Выходные данные : Рязань: Рязан. гос. ун-т, 2011
Колич.характеристики :123 с. ; 20 см
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Примечания : Библиогр.: с. 116-122
ISBN, Цена 978-5-88006-677-3: 185.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31
ББК : Ж362 + Л253.2 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Кремний-- Свойства-- Получение-- Применение
Электроника-- Материалы-- Кремний
Содержание : Технология изготовления пористого кремния ; Фотолюминесценция пористого кремния ; Электрофизические свойства пористого кремния ; Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния ; Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики ; Приборы СВЧ-диапазона ; Химические датчики на основе пористого кремния
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/М 85
Автор(ы) : Мотт, Невилл Френсис
Заглавие : Электронные процессы в некристаллических веществах: в 2-х т./ Н. Мотт, Э. Дэвис ; пер. с англ. Б. Т. Коломийца. - 2-е, перераб. и доп. изд. Т. 2 . -2-е изд.
Выходные данные : М.: Мир, 1982
Колич.характеристики :369-663 с.: ил.
Перевод издания: Mott N. F. Electron processes in non-grystalline materials/ N. F. Mott, E. A. Davis :
ГРНТИ : 29.19.23
ББК : В379.23 + В379.24
Предметные рубрики: Полупроводники аморфные-- Структура электронная
Металлы жидкие-- Структура электронная
Металлы переходные-- Структура электронная
Содержание : Полупроводники с тетраэдической координацией атомов - аморфные германий и кремний ; Мышьяк и другие трехвалентные элементы ; Халькогенидные и другие стекла ; Селен, теллур и их сплавы
Экземпляры : всего : КФ(3)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 79
Заглавие : Кремний-2002 : совещ. по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г.: тез. докл.
Выходные данные : Новосибирск, 2002
Колич.характеристики :215 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, "Кремний-2002", совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (9-12 июля 2002 г.; Новосибирск)
Цена : 10.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29 + 29.19.04 + 29.19.11 + 29.19.16 + 61.31.47
ББК : В371.2я431 + В379.2я431 + З843.312.08я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Предметные рубрики: Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Кристаллы-- Рост-- Свойства-- Структура
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г4/Б 12
Автор(ы) : Бабко, Анатолий Кириллович, Пилипенко, Анатолий Терентьевич
Заглавие : Фотометрический анализ. Методы определения неметаллов
Выходные данные : М.: Химия, 1974
Колич.характеристики :360 с
Примечания : Библиогр.: с. 345-348
Цена : 1.75 р.
ГРНТИ : 31.19.15
ББК : Г461.313.4
Содержание : Азот ; Бор ; Фосфор и кремний ; Мышьяк ; Кислород ; Сера ; Селен и теллур ; Фтор ; Хлор ; Бром ; Йод
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие