Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
в найденном
Найдено в других БД:
Труды сотрудников ИФ СО РАН (6)
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>K=легирование<.>)
Общее количество найденных документов
:
6
Показаны документы
с 1 по 6
1.
Ж3
М55
Механическое
легирование
/ [Ю.В. Кузьмич, И.Г. Колесников, В.И. Серба, Б.М.Фрейдин] ; Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольск. науч. центра РАН. - М. : Наука, 2005. - 213 с. - Библиогр.: с. 193-211. -
ISBN
5-02-033726-9 : 88.00 р.
ГРНТИ
81.09
ББК
Ж3
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузьмич, Юрий Васильевич; Колесникова, Ирина Григорьевна; Серба, Владимир Иванович; Фрейдин, Борис Михайлович
Экземпляры всего:
1
КФ (1)
Свободны:
КФ (1)}
Найти похожие
2.
В37
Э 45
Электронные явления в
халькогенидных стеклообразных полупроводниках / [Л.П. Казакова и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин ; Рос. акад. наук. Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - СПб. : Наука, 1996. - 486 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 500 экз. -
ISBN
5-02-024812-6 : 31000.00 р.
Содержание:
Атомная и электронная структура
Примесные и дефектные электронные состояния в легированных ХСП
Мёссбауэровские исследования атомной и электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
Дрейф носителей заряда в халькогенидных стеклах
Фотопрооводимость в халькогенидах
Эффект переключения в ХСП
Динамика эффекта переключения в ХСП
Локальное
легирование
эффект памяти в ХСП
Особенности оптических свойств ХСП
Фотоиндуцированная метастабильность в ХСП
Фотолегирование ХСП
ГРНТИ
29.19.31
47.09.29
ББК
В379.231 + В379.212.4 + З843.3
Смотреть книгу
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Казакова, Л. П.; Лебедев, Э. А.; Сморгонская, Э. А.; Цэндин, К. Д.; Цэндин, К. Д. \отв. ред.\; Российская академия наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Экземпляры всего:
1
КФ (1)
Свободны:
КФ (1)}
Найти похожие
3.
В37
Ш 32
Шашков, Ю. М.
Выращивание монокристаллов методом вытягивания / Ю. М. Шашков. - М. : Металлургия, 1982. - 312 с. - Библиогр.: с. 301-308. - Предм. указ. - 3.00 р.
Содержание:
Гидродинамика расплава в установках для вытягивания
Теплоперенос при вытягивании
Массоперенос при вытягивании
Кристаллизация и фронт кристаллизации
Макроповедение примесей при вытягивании и
легирование
монокристаллов
Нестационарные процессы при вытягивании и их влияние на примесную структуру слитка
Критические условия выращивания
Механические напряжения в кристаллах
Кристаллическая структура и дефекты выращиваемых слитков
Стабилизация условий и автоматизация процесса вытягивания
ГРНТИ
29.19.15
ББК
В375
Рубрики:
Кристаллы--Рост из растворов
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего:
1
КФ (1)
Свободны:
КФ (1)}
Найти похожие
4.
В37
Р 78
Рост и
легирование
полупроводниковых кристаллов и пленок : [сб. в 2 ч.] / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 2800 экз.
Ч. 1
/ отв. ред. д-р хим. наук Ф. А. Кузнецов. - 1977. - 314 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Содержание:
Усков, Е. М. Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом
/ Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. -
С
.307-310
Заможский, В. Д. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур
/ В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. -
С
.222-225
Резниченко, М. Ф. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии
/ М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. -
С
.300-304
Хабаров, Э. Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях
/ Э. Н. Хабаров. -
С
.248-253
Шигаев, С. М. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний
/ С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. -
С
.156-158
Косов, А. В. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов
/ А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. -
С
.176-178
Мигаль, В. П. Травление германия в потоке HJ+H2
/ В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. -
С
.93-96
Скворцов, И. М. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния
/ И. М. Скворцов, Б. В. Орион. -
С
.58-62
Киселева, Э Н. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников
/ Э Н. Киселева, С. А. Строителев. -
С
.236-238
Орлов, В. П. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии
/ В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. -
С
.121-124
Заможский, В. Д. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях
/ В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. -
С
.138-141
Гайдуков, Г. Н. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках
/ Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. -
С
.96-101
Драбкин, И. А. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов
/ И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. -
С
.280-283
Сунагава, И. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов
/ И. Сунагава. -
С
.196-198
Строителев, С. А. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников
/ С. А. Строителев. -
С
.182-186
Опперман, Г. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия
/ Г. Опперман. -
С
.62-65
Новые методики роста кристаллов и пленок
. -
С
.204-238
Кутвицкий, В. А. Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах
/ В. А. Кутвицкий. -
С
.159-162
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост кремния в Японии
/ Дж. Нишизава. -
С
.110-115
Лузин, А. Н. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла
/ А. Н. Лузин. -
С
.230-233
Грейсух, М. Р. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников
/ М. Р. Грейсух. -
С
.85-87
Маслов, В. Н. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения
/ В. Н. Маслов. -
С
.6-17
Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы
. -
С
.6-115
Буттер, Е. Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия
/ Е. Буттер. -
С
.27-29
Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках
. -
С
.239-291
Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве
. -
С
.116-203
Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках
. -
С
.292-310
Сорокин, Г. П. Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te
/ Г. П. Сорокин [и др.]. -
С
.283-286
Другие авторы: Идричан Г. З., Андроник И. Я., Бодруг С. Н., Шевчук А. А.
Вольф, Э. Соосаждение кремния с донорами и бором
/ Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. -
С
.260-265
Родионов, А. В. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2
/ А. В. Родионов [и др.]. -
С
.214-218
Другие авторы: Свешников Ю. Н., Белоусов В. И., Афанасьев А. К.
Кузнецов, Ф. А. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния
/ Ф. А. Кузнецов [и др.]. -
С
.34-41
Другие авторы: Буждан Я. М., Белый В. И., Смирнова Т. П., Кошечкова А. А., Кравченко В. С.
Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы
/ С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. -
С
.50-54
Вилисов, А. А. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb
/ А. А. Вилисов [и др.]. -
С
.128-131
Другие авторы: Вяткин А. П., Гермогенов В. П., Эпиктетова Л. Е.
Угай, Я. А. Получение монокристаллов фосфида германия
/ Я. А. Угай [и др.]. -
С
.198-200
Другие авторы: Соколов Л. И., Гончаров Е. Г., Лукин А. Н., Кавецкий В. С.
Толомасов, В. А. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий
/ В. А. Толомасов [и др.]. -
С
.106-110
Другие авторы: Рубцова В. А., Горшенин Г. Н., Гудкова Н. В., АбросимоваЛ. Н., Прохорова Л. М.
Круглов, М. В. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей
/ М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. -
С
.292-296
Бабич, В. М. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge
/ В. М. Бабич [и др.]. -
С
.269-272
Другие авторы: Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А.
Мигаль, В. П. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия
/ В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. -
С
.88-93
Голубев, Л. В. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии
/ Л. В. Голубев [и др.]. -
С
.124-128
Другие авторы: Геворкян В. А., Каряев В. Н., Шмарцев Ю. В.
Бобков, В. В. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx
/ В. В. Бобков [и др.]. -
С
.225-227
Другие авторы: Коваль А. Г., Климовский Ю. А., Стрельченко С. С., Шубина В. В., Бондарь С. А., Матяш А. П.
Румянцев, Ю. М. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H
/ Ю. М. Румянцев [и др.]. -
С
.41-45
Другие авторы: Демин В. М., Коковин Г. А., Федорова Т. В.
Алферов, Жорес Иванович. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As
/ Ж. И. Алферов [и др.]. -
С
.209-214
Другие авторы: Андреев В. М., Конников С. Г., Ларионов В. Р.
Маслов, В. Н. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36
/ В. Н. Маслов [и др.]. -
С
.69-74
Другие авторы: Лупачева А. Н., Коробов О. Е., Ухорская Т. А., Юрова Е. С.
Дьяконов, Л. И. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия
/ Л. И. Дьяконов [и др.]. -
С
.74-79
Другие авторы: Деменков Н. М., Кривко Л. А., Гуляева А. С., Руда Б. И.
Леонов, В. П. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы
/ В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. -
С
.66-69
Бушмарина, Г. С. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe
/ Г. С. Бушмарина [и др.]. -
С
.286-290
Другие авторы: Грузинов Б. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.
Биленко, Д. И. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы
/ Д. И. Биленко [и др.]. -
С
.21-27
Другие авторы: Галишникова Ю. Н., Лопатина Л. Б., Смирнов А. И., Тучкевич В. В., Явич Б. С.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе
/ Г. А. Александрова [и др.]. -
С
.45-50
Другие авторы: Дорская Е. Н., Лымарь Г. Ф., Марчуков Л. В., Шубин А. Е.
Акчурин, Р. Х. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы
/ Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. -
С
.152-156
Новоселова, А. В. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара
/ А. В. Новоселова [и др.]. -
С
.30-34
Другие авторы: Зломанов В. П., Масякин Е. В., Тананаева О. И.
Горемыкин, В. В. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии
/ В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. -
С
.132-135
В., Е. Ильиных Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно
/ Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. -
С
.186-190
Батырев, Н. И. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x
/ Н. И. Батырев [и др.]. -
С
.144-147
Другие авторы: Вигдорович В. Н., Нестюрина Е. Е., Селин А. А., Уфимцев В. Д., Червяков А. И., Шумилин В. П.
Абдукаримов, Э. Т. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута
/ Э. Т. Абдукаримов [и др.]. -
С
.190-193
Другие авторы: Останина К. В., Орлов А. Г., Романенко В. Н., Сидоров А. Ф.
Радауцан, С. И. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита
/ С. И. Радауцан [и др.]. -
С
.54-58
Другие авторы: Цуркан А. Е., Пасько П. Г., Кичерман Л. В.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы
/ Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. -
С
.147-152
Бадиков, В. В. Исследование роста монокристаллов AgGaS2
/ В. В. Бадиков [и др.]. -
С
.193-196
Другие авторы: Овчинникова В. А., Пивоваров О. Н., Скоков Ю. В., Скребнева О. В.
Лузин, А. Н. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки
/ А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. -
С
.233-236
Блистанов, А. А. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии
/ А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. -
С
.296-300
Алейникова, К. Б. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2
/ К. Б. Алейникова [и др.]. -
С
.200-203
Другие авторы: Зюбина Т. А., Работкина Н. С., Угай Я. А.
Качурин, Г. А. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок
/ Г. А. Качурин [и др.]. -
С
.227-230
Другие авторы: Придачин Н. Б., Романов С. И., Смирнов Л. С.
Жиляев, Ю. В. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций
/ Ю. В. Жиляев [и др.]. -
С
.79-85
Другие авторы: Конников С. Г., Румянцев В. Д., Улин В. П.
Вахрамеев, С. С. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия
/ С. С. Вахрамеев [и др.]. -
С
.169-173
Другие авторы: Гончаров Л. Г., Русин А. П., Щелкин Ю. ф.
Резниченко, М. Ф. Изучение неоднородностей
легировани
я германия
/ М. Ф. Резниченко [и др.]. -
С
.304-307
Другие авторы: Усков Е. М., Рыбин Ю. А., Вертопрахов В. Н.
Балагурова, Е. А. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV
/ Е. А. Балагурова [и др.]. -
С
.253-255
Другие авторы: Морозов В. Н., Рязанцев А. А., Хабаров Э. Н.
Биленко, Д. И. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом
/ Д. И. Биленко [и др.]. -
С
.218-222
Другие авторы: Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Смирнов А. И., Цыпленков И. Н.
Хохлов, В. И. Свойство легированного арсенида при высоких температурах
/ В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. -
С
.276-280
Сидоров, Ю. Г. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии
/ Ю. Г. Сидоров [и др.]. -
С
.272-276
Другие авторы: Васильева Л. Ф., Сидорова А. В., Сабинина И. В., Дворецкий С. А.
Иванов-Омский, В. И. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te
/ В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. -
С
.141-144
Вахрамеев, С. С. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов
/ С. С. Вахрамеев [и др.]. -
С
.162-168
Другие авторы: Мильвидский М. Г., Смирнов В. А., Щелкин Ю. Ф.
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара
/ Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. -
С
.204-209
Макеев, Х. И. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского
/ Х. И. Макеев [и др.]. -
С
.173-176
Другие авторы: Погодин А. И., Старшинов И. П., Холодовская А. А.
Болховитянов, Ю. Б. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси
/ Ю. Б. Болховитянов [и др.]. -
С
.135-138
Другие авторы: Мельников П. Л., Строителев С. А., Чикичев С. И.
Полозова, И. Е. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии
/ И. Е. Полозова [и др.]. -
С
.290-291
Другие авторы: Романычев Д. А., Тарасова И. М., Белашов Ю. Г.
Сэдед, Бахтуянг. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки
/ Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. -
С
.265-269
Родо, М. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях
/ М. Родо [и др.]. -
С
.239-248
Другие авторы: Шнейдер М., Тьерри-Мит В., Гуллауме Дж.
Нишинага, Т. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией
/ Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. -
С
.116-121
Фалькевич, С. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана
/ С. Фалькевич [и др.]. -
С
.102-106
Другие авторы: Петрик А. Г., Шварцман Л. Я., Шейхет Э. Г., Николашин Ж. П., Трайнин А. Л.
Розин, К. М. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава
/ К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. -
С
.179-182
Нишизава, ДЖ. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2
/ ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. -
С
.17-21
Вигдорович, В. Н. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI
/ В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин. -
С
.255-260
ГРНТИ
29.19.31
ББК
В375.14я43 + З852я43
Рубрики:
Кристаллы полупроводниковые--Рост--Сборники
Пленки полупроводниковые--Рост--Сборники
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Смирнов, А. И.; Тучкевич, В. В.; Явич, Б. С.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего:
1
КФ (1)
Свободны:
КФ (1)}
Найти похожие
5.
З85
И 93
Итоги науки и техники / Всесоюз. ин-т науч. и техн. информ.; гл. ред. А. С. Бучинский. - М. : ВИНИТИ. - (Электроника и её применение).
Т. 7
. - 1976. - 164 с. - Библиогр. в конце обзоров. - 1400 экз. - 1.06 р.
Серия издается с 1966 г.
Содержание:
Иноземцев, С. А. Ионное
легирование
как метод изготовления полупроводниковых приборов
: обзор / С. А. Иноземцев
Яблонский, Ф. М. Жидкокристаллические индикаторы
: обзор / Ф. М. Яблонский
Курочкин, В. А. Новые применения барьера Шоттки в полупроводниковой электронике
: обзор / В. А. Курочкин
Гулидов, Д. Н. Механизмы дефектообразования в кремнии и воздействие дефектов на параметры биполярных транзисторов
: обзор / Д. Н. Гулидов, А. И. Гулидова
ГРНТИ
47.09
47.33
ББК
З85я43
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Бучинский, А. С. \гл. ред.\; Государственный комитет Совета Министров СССР по науке и техникеАкадемия наук СССР; Всесоюзный институт научной и технической информации АН СССР
Экземпляры всего:
1
КФ (1)
Свободны:
КФ (1)}
Найти похожие
6.
Г2
Г 97
Гутман, Феликс
.
Органические полупроводники : пер. с англ. / Ф. Гутман, Л. Лайонс ; пер.: Г. А. Юрлова, Т. К. Соболева ; ред. пер. Е. Л. Франкевич. - М. : Мир, 1970. - 696 с. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ. -
Пер. изд. :
Organic semiconductors / Felix Gutmann, Lawrence E. Lyons. - New York; London; Sydney, 1967. - 6.10 р.
Содержание:
Некоторые основные положения физики твердого тела
Некоторые экспериментальные результаты
Приготовление образцов
Зонная теория молекулярных кристаллов
Возбужденные состояния молекулярных кристаллов
Ионизованные состояния
Туннельная модель и модель перескоков
Молекулярные кристаллы
Комплексные соединения, содержащие металлы
Комплексы с переносом заряда
Свободные радикалы и соли свободных радикалов
Соединения с цепочечной структурой и полимеры
Органические красители
Биологические вещества
Жидкости и стекла
Коэффициент Зеебека. Термоэлектрические эффекты
Данные по фотопроводимости
Связь полупроводниковых свойств со структурой вещества
Фазовые переходы
Плавление; аморфные структуры
Изомеризация
Легирование
Эффекты, связанные с пространственным зарядом
ГРНТИ
45.09.35
29.19.31
47.09.29
ББК
Г214 + В379 + Л719.7
Рубрики:
Полупроводники органические--Свойства физико-химические
Кристаллы молекулярные--Свойства электрические
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Лайонс, Лоуренс; Юрлова, Г. А. \пер.\; Соболева, Т. К. \пер.\; Франкевич, Е. Л. \ред. пер.\; Gutmann, Felix; Lyons, Lawrence E.
Экземпляры всего:
1
КФ (1)
Свободны:
КФ (1)}
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)