1. 
|
Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Р 78
Заглавие : Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: [сб. в 2 ч.]/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. Ч. 1
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1977
Колич.характеристики :314 с.:
рис., фот.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст.
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В375.14я43 + З852я43
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Содержание : Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом/ Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур/ В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии/ М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях/ Э. Н. Хабаров. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний/ С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов/ А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. Травление германия в потоке HJ+H2/ В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния/ И. М. Скворцов, Б. В. Орион. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников/ Э Н. Киселева, С. А. Строителев. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии/ В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях/ В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках/ Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов/ И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов/ И. Сунагава. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников/ С. А. Строителев. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия/ Г. Опперман. Новые методики роста кристаллов и пленок ; Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах/ В. А. Кутвицкий. Эпитаксиальный рост кремния в Японии/ Дж. Нишизава. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла/ А. Н. Лузин. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников/ М. Р. Грейсух. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения/ В. Н. Маслов. Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы ; Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия/ Е. Буттер. Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках ; Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве ; Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках ; Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te/ Г. П. Сорокин [и др.]. Соосаждение кремния с донорами и бором/ Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2/ А. В. Родионов [и др.]. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния/ Ф. А. Кузнецов [и др.]. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы/ С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb/ А. А. Вилисов [и др.]. Получение монокристаллов фосфида германия/ Я. А. Угай [и др.]. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий/ В. А. Толомасов [и др.]. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей/ М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge/ В. М. Бабич [и др.]. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия/ В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии/ Л. В. Голубев [и др.]. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx/ В. В. Бобков [и др.]. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H/ Ю. М. Румянцев [и др.]. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As/ Ж. И. Алферов [и др.]. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36/ В. Н. Маслов [и др.]. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия/ Л. И. Дьяконов [и др.]. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы/ В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe/ Г. С. Бушмарина [и др.]. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы/ Д. И. Биленко [и др.]. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе/ Г. А. Александрова [и др.]. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы/ Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара/ А. В. Новоселова [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии/ В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно/ Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x/ Н. И. Батырев [и др.]. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута/ Э. Т. Абдукаримов [и др.]. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита/ С. И. Радауцан [и др.]. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы/ Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. Исследование роста монокристаллов AgGaS2/ В. В. Бадиков [и др.]. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки/ А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии/ А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2/ К. Б. Алейникова [и др.]. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок/ Г. А. Качурин [и др.]. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций/ Ю. В. Жиляев [и др.]. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Изучение неоднородностей легирования германия/ М. Ф. Резниченко [и др.]. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV/ Е. А. Балагурова [и др.]. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом/ Д. И. Биленко [и др.]. Свойство легированного арсенида при высоких температурах/ В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии/ Ю. Г. Сидоров [и др.]. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te/ В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара/ Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского/ Х. И. Макеев [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси/ Ю. Б. Болховитянов [и др.]. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии/ И. Е. Полозова [и др.]. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки/ Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях/ М. Родо [и др.]. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией/ Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана/ С. Фалькевич [и др.]. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава/ К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2/ ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI/ В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН