Поисковый запрос: (<.>K=Defects<.>) |
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/G42 рукописный текст
Автор(ы) : Ghaleh, Farhad
Заглавие : Characterization of surface defects produced with focused ion beams and exploration of applications for controlled growth of nanostructures
: Diss. zur Erlangung des Doktorgrades der Naturwiss.
Выходные данные : Dortmund, 2008
Колич.характеристики :140 с.
; 30 cm
Коллективы :
Technischen Universität Dortmund. Fakultät Physik
Примечания : Bibliogr.: p. 119-133
ГРНТИ : 81.13 + 29.19.22
ББК : В371.26
Предметные рубрики: Наноструктуры-- Синтез-- Исследование
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Оглавление
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/I69/М43
Заглавие : International conference on diffusion and defects in solids
: abstracts : в 2-х ч. Ч. 2
Выходные данные : Свердловск, 1991
Колич.характеристики :124 с
Коллективы :
Институт физики металлов Уральского отделения АН СССР, International conference on diffusion and defects in solids (1991 ; 26 June-4 July; USSR)
Примечания : Auth. ind.
:
ГРНТИ : 29.19.11
ББК : В371.23я431
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/I69/М43
Заглавие : International conference on diffusion and defects in solids
: abstracts : в 2-х ч. Ч. 1
Выходные данные : Свердловск, 1991
Колич.характеристики :103 с
Коллективы :
Институт физики металлов Уральского отделения АН СССР, International conference on diffusion and defects in solids (1991 ; 26 June-4 July; USSR)
:
ГРНТИ : 29.19.11
ББК : В371.23я431
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 91
Автор(ы) : Бургуэн, Жак, Ланно, Мишель
Заглавие : Точечные дефекты в полупроводниках: экспериментальные аспекты
Выходные данные : М.: Мир, 1985
Колич.характеристики :304 с.:
ил.
Перевод издания: Bourgoin J. Point defects in semiconductors/ J. Bourgoin, Michel Lannoo
Примечания : Библиогр.: с. 289-297. - Предм. указ.: с. 298-300
Цена : 2.70 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Дефекты
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Т 33
Автор(ы) : Теодосиу, Кристиан
Заглавие : Упругие модели дефектов в кристаллах
Выходные данные : М.: Мир, 1985
Колич.характеристики :352 с
Перевод издания: Teodosiu, Cristian Elastic models of crystal defects
Примечания : Библиогр.: с. 332-343. - Предм. указ.
Цена : 3.90 р.
ГРНТИ : 29.19.11
ББК : В371.231
Содержание : Основы теории упругости ; Линейные упругие поля изолированных дислокаций ; Нелинейные эффекты в упругом поле изолированных дислокаций ; Упругие поля точечных дефектов
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Л 22
Автор(ы) : Ланно, Мишель, Бургуэн, Жак
Заглавие : Точечные дефекты в полупроводниках: теория
Выходные данные : Москва: Мир, 1984
Колич.характеристики :263 с
Перевод издания: Lannoo M. Point Defects in Semiconductors. Theoretical aspects/ M. Lannoo, J. Bourgoin. -Berlin, 1981
Примечания : Библиография: с. 248-253. - Предметный указатель: с. 254-259
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В371.23
Содержание : Атомная конфигурация точечных дефектов ; Теория эффективной массы ; Простая теория глубоких уровней в полупроводниках ; Многоэлектронные эффекты и более сложные теории глубоких уровней ; Колебательные свойства и энтропия ; Термодинамика дефектов ; Миграция и диффузия дефектов
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В3/T75
Автор(ы) :
Заглавие : Glassy metalsTopics in applied physics/ ed.: H. Beck, H. -J. Güntherodt. - (Topics in applied physics). Vol. 53
Выходные данные : Berlin: Springer-Verlag; Berlin ; Heidelberg ; New York: Springer Verlag, 1983
Колич.характеристики :XIV, 395 с.:
ill.; 263 p.
; XIII p.
Примечания : Bibliogr. - Sub. Ind. - Список томов серииSubject ind.: p. 387-395. - Авт. указ. на c. XIII
ISBN, Цена 3-540-12787-9:
Идентификационный №: DOI 10.1007/3-540-12386-5
ГРНТИ : 61.35.31
ББК : В371.24
Содержание : Models for the structure of amorphous metals ; X-ray and neutron diffractions experiments on metallic glasses ; Mössbauer spectroscopy applied to amorphous metals ; Defects and atomic transport in metallic glasses ; Mechanical properties of metallic glasses ; Vibrational dynamics of metallic glasses studies by neutron inelastic ; Laser quenching ; Electron spectroscopy on metallic glasses ; Low temperature electron transport in metallic glasses ; Magnetic properties of metallic glasses
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Смотреть книгу
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания :
Автор(ы) : Lannoo, Michel, Bourgoin, Jacques
Заглавие : Point defects in semiconductors I
: theoretical aspects
Выходные данные : Berlin; Heidelberg; New York: Springer-Verlag, 1981
Колич.характеристики :265 с
Серия: Springer series in solid-state sciences; 22
Примечания : Includes bibliographical references and index.
ISBN, Цена 3-540-10518-2: 25.00 р.
ISBN, Цена 0-387-10518-2: Б.ц.
Предметные рубрики: Semiconductors-- Defects
Point defects
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/D63
Заглавие : Disorder in crystals
Выходные данные : Oxford: Clarendon Press; New York: Oxford University Press, 1978
Колич.характеристики :XXVIII с
; 926 с
Серия: International series of monographs on chemistry
Примечания : Includes bibliographies and indexes
ISBN, Цена 0-19-855604-7: 20.00 р.
ГРНТИ : 29.19.11
ББК : В371.231
Предметные рубрики: Crystals-- Defects
Кристаллы-- Дефекты
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/С 82
Автор(ы) : Стоунхэм А. М.
Заглавие : Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках: в 2 т. : пер. с англ./ А. М. Стоунхэм ; пер. С. А. Бразовский ; ред. пер. И. Е. Дзялошинский. Т. 2
Выходные данные : М.: Мир, 1978
Колич.характеристики :357 с
Перевод издания: Stoneham A. M. Theory of defects in solid
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 347-355
Цена : 2.30 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.33
ББК : В379.212.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Дефекты-- Структура электронная
Диэлектрики-- Дефекты-- Структура электронная
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Стандартный
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН