Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Труды сотрудников ИФ СО РАН (29)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Gallium<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
   В34
   A90


   Moore, Charlotte E.

    Atomic energy levels / C. E. Moore ; U.S. Department of commerce, National bureau of standards. - Washington : U.S. Government Printing Office, 1949 - . - Пер.загл.: Атомные энергетические уровни.
   Vol. 2 : The spectra of chromium, magnanese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, germanium, arsenic, selenium, bromine, krypton, rubidium, strontium, yttrium, sirconium, and niobium. - 1952. - XXXI, 229 p. - Bibliogr. in the text. - 2.25 р.
ГРНТИ
ББК В344.32я28 + В314.4я28
Рубрики:
Atomic spectra--Tables
   Energy levels(Quantum mechanics)--Tables

   Спектры атомные--Таблицы

   Атомы--Уровни энергетические--Таблицы


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
U.S. Department of commerce; National bureau of standards
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
2.
   В37
   Т 38


   
    Технология выращивания кристаллов нитрида галлия : пер. с англ. / Э. Д. Хэнсер ; ред.: . Д. Эрентраут, . В. Чалый. - М. : Техносфера, 2011. - 383 с. + 25 см. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце гл. - Пер. изд. : Technology of gallium nitride crystal growth / Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski. - Berlin; Heidelberg, 2010. - 1500 экз. - ISBN 978-5-94836-293-9 : 840.00 р.
    Содержание:
Объемные кристаллы GaN
Технология выращивания из паровой фазы
Технология выращивания из раствора
Технология выращивания из расплава
Характеристика кристаллов GaN. Оптические свойства подложек из GaN. Исследование точечных дефектов и примесей в объемном GaN с помощью спектроскопии позитронной аннигиляции
ГРНТИ
ББК В375.14
Рубрики:
Кристаллы--Рост--Технология

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Хэнсер, Эндрю; Эванс, Кейт; Коукиту, Акинори ; Кумагаи, Йошинао; Дорадзински, Р.; Двилински, Р.; Гарчински, Д.; Сиржпутовски, Л. П.; Канбара, Й.; Хасимото, Тадао; Накамура, Шуджи; Эрентраут, Дирк; Кагамитани, Юджи; Боковски, Михал; Страк, Павел; Гжегори, Изабелла; Поровски, Сильвестр; Мейсснер, Элке; Хусси, С.; Фридрих, Дж.; Чичибу, Шигефуса; Туомисто, Филип; Эрентраут, Дирк \ред.\; Мейсснер, Элке \ред.\; Боковски, Михал \ред.\; Чалый, В. П. \пер.\; Юдинцев, К. В. \пер.\; Красовицкий, Д. М. \пер.\; Ehrentraut, Dirk; Meissner, Elke; Bockowski, Michal
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
3.
   З84
   К 96


    Куэй, Р.
    Электроника на основе нитрида галлия : пер. с англ. / Р. Куэй ; пер.: Ю. А. Концевой, Е. А. Митрофанов ; ред. пер. А. Г. Васильев. - М. : Техносфера, 2011. - 587 с. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце глав - Библиогр.: с. 561-577 (159 назв.). - Предм. указ.: с. 578-587. - Пер. изд. : Gallium nitride electronics / Rudiger Quay. - Berlin ; Heidelberg, 2008. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94836-296-0 : 1011.22 р.
ГРНТИ
ББК З843.3 + В379.2
Рубрики:
Полупроводниковые приборы--Материалы--Обзоры
   СВЧ-электроника--Материалы--Обзоры


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Концевой, Юлий Абрамович \пер.\; Митрофанов, Е. А. \пер.\; Васильев, А. Г. \ред. пер.\; Quay, Rudiger
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)