Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Труды сотрудников ИФ СО РАН (36)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>R=29.19.31$<.>)

Общее количество найденных документов : 376
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/Ф 50
Заглавие : Физика полупроводников и радиоспектроскопия ионных кристаллов
Выходные данные : Свердловск: УрГУ, 1969
Колич.характеристики :186 с.: рис., табл.
Коллективы : Уральский государственный университет им. А.М. Горького
Серия: Ученые записки; № 118. Серия физическая; вып. 7 :
ГРНТИ : 29.31.26 + 29.19.31
ББК : В379я54 + В344.15я54 + В371.231я54
Предметные рубрики: Кристаллы ионные-- Спектроскопия-- Сборники
Полупроводники-- Физика-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж/Т 66
Автор(ы) : Трегулов, Вадим Викторович
Заглавие : Пористый кремний: технология, свойства, применение
Выходные данные : Рязань: Рязан. гос. ун-т, 2011
Колич.характеристики :123 с. ; 20 см
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Примечания : Библиогр.: с. 116-122
ISBN, Цена 978-5-88006-677-3: 185.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31
ББК : Ж362 + Л253.2 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Кремний-- Свойства-- Получение-- Применение
Электроника-- Материалы-- Кремний
Содержание : Технология изготовления пористого кремния ; Фотолюминесценция пористого кремния ; Электрофизические свойства пористого кремния ; Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния ; Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики ; Приборы СВЧ-диапазона ; Химические датчики на основе пористого кремния
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Т 23
Автор(ы) : Тауц Я.
Заглавие : Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра
Выходные данные : М.: Мир, 1967
Колич.характеристики :74 с
Перевод издания: Tauc J. Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges
Примечания : Библиогр.: с. 69-73 (141 назв.)
Цена : 0.23 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.31.21
ББК : В379.247
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства оптические
Содержание : Методы экспериментального определения оптических постоянных ; Теория поглощения света в твердом поле ; Обсуждение основных формул ; Правила отбора ; Приведенная плотность состояний ; Свободные носители тока ; Правило сумм сил осцилляторов ; Виртуальные переходы ; Экситоны ; Эффекты затухания ; Плазменные эффекты ; Некоторые полезные соотношения ; Экспериментальные результаты
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5/С 98
Автор(ы) : Сюше Ж. П.
Заглавие : Физическая химия полупроводников
Выходные данные : М.: Металлургия, 1964
Колич.характеристики :195 с
Перевод издания: SUCHET J. P. CHIMIE PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
Примечания : Библиогр.: с. 190-195 (196 назв.)
Цена : 0.80 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : Г523
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Повторение некоторых понятий об атоме и кристалле ; Периодическая классификация элементов ; Типы внутриатомных связей ; Орбитальные функции и гибридизация ; Кристаллическая структура и ионная координация ; Ковалентная координация и явление резонанса ; Основные механизмы полу проводимости ; Дефекты и примеси. Обозначение Риза ; Образование и свойства окрашенных центров ; Свойства легированных ковалентных кристаллов ; Электронно-дырочный переход и его практическое значение ; Общий случай неорганических соединений ; Взаимодействие между дефектами. Частные решетки ; Диффузия дефектов и примесей ; Заряженные атомные пары элементов ; Кислород в кремнии ; Взаимодействие дефектов в соединениях ; Решетки частные и решетки компенсированные ; Правила предсказания полупроводимости ; Правило Музера и Пирсона и его истоки ; Критика и распространение этого правила ; Ковалентное обозначение и правила сродства ; Общая классификация полупроводников ; Соединения переходных элементов ; Окислы переходных металлов ; Керамические полупроводниковые окислы ; Магнетит. Индукция валентности ; Полупроводниковые магнитные ферриты ; Гранулярные структуры с поверхностными слоями ; Энергия активации и ее расчет ; Энергия активации и зонная теория ; Ионные радиусы и «радиусы» ковалентные ; Электрсютрицательность и ионный характер ; Доля Е2 и расчет Е0 ; Подвижность носителей тока и ее расчет ; Расстояние носителей и ионный аспект ; Поляризация и степень модуляции ; Расчет эффективного заряда атомов ; Вычисление электронной подвижности ; Некоторые выводы ; Органические полупроводники ; Молекулярные органические кристаллы ; Двойные связи и Я-электроны ; Компенсированные органические 'решетки ; Пластические материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/В 16 рукописный текст
Автор(ы) : Вальков, Валерий Владимирович
Заглавие : Спиновые волны и переменная валентность в магнитных полупроводниках : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 19.03.1982
Выходные данные : Красноярск, 1982
Колич.характеристики :22 с
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР, Уральский научный центр АН СССР, Институт физики металлов Уральского научного центра АН СССР
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.37
ББК : В379.233я031
Предметные рубрики: Полупроводники магнитные-- Теория спин-волновая-- Исследование
Экземпляры : всего : ДС(1), Автореф.(1)
Свободны : ДС(1), Автореф.(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 56
Автор(ы) : Добровольский, Валентин Николаевич, Литовченко, Владимир Григорьевич
Заглавие : Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1985
Колич.характеристики :191 с.: рис., табл.
Коллективы : Академия наук Украинской ССР, Институт полупроводников АН Украинской ССР
Примечания : Библиогр.: с. 176-191
Цена : 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.24 + 29.19.31
ББК : В379.231 + В379.5
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Свойства электромагнитные
Содержание : Электростатическое взаимодействие между различными частями МДП структуры и его влияние на перенос носителей заряда ; Эффекты Холла и магнитосопротивления ; Эффекты, возникающие под действием перпендикулярной поверхности силы Лоренца ; Квантование энергии и перенос электронов и дырок в поверхностных каналах ; Двухмерные экситоны и неравновесная плазма ; Характеристики поверхностной области при низких плотностях носителей заряда
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 58
Автор(ы) : Довгошей Н. И.
Заглавие : Кристаллические и аморфные пленки новых сложных полупроводников
Выходные данные : Ужгород, 1986
Колич.характеристики :110 с.: ил.
Коллективы : Ужгородский государственный университет
Примечания : Библиогр.: с. 88-108
Цена : 0.30 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.16
ББК : В379.26
Предметные рубрики: Тонкие пленки полупроводниковые-- Кристаллизация
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 53
Автор(ы) : Дмитрук, Николай Леонтьевич, Стрижевский, Владимир Леонидович, Литовченко, Владимир Григорьевич
Заглавие : Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1989
Колич.характеристики :374 с.: 186 ил
Примечания : Библиогр: с. 347-371
ISBN, Цена 5-12-000503-9:
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.31 + 29.19.33
ББК : В379.212.5 + В379.312.5
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Свойства оптические
Диэлектрики-- Поверхность-- Свойства оптические
Содержание : Поверхностные поляритоны в изотопных средах ; Поверхнотсные поляритоны в анизотропных средах ; Экспериментальные методы исследования поверхностных поляритонов ; Нелинейные поверхностные поляритоны ; Поверхностные поляритоны в слоистых многокомпонентных структурах ; Спектроскопия поверхностных поляритонов как метод исследования поверхностей и границ раздела ; Поверхностные электромагнитные волны в двумерных структурах ; Поверхностные поляритоны в сверхрешетках и размерное квантование
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 46
Автор(ы) : Бродин, Михаил Семенович, Блонский И. В., Ницович Б. М., Ницович В. В.
Заглавие : Динамические эффекты в многокомпонентном газе квазичастиц
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1990
Колич.характеристики :172 с.: ил.
Коллективы : Академия наук Украинской ССР, Институт физики АН Украинской ССР
Примечания : Библиогр.: с. 157-171
ISBN, Цена 5-12-001267-1: 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В374
Предметные рубрики: Кристаллы-- Свойства оптические-- Экситоны
Содержание : Приближение линейного отклика в теории экситонов ; Нелинейное взаимодействие квазичастиц и динамика экситонов ; Особенности квазичастичных взаимодействий при больших уровнях накачки ; Оптическая спектроскопия экситон-примесного взаимодействия ; Экситонные процессы в кристаллах с трехмерным композиционным беспорядком ; Энергетический спектр и транспортные свойства экситонов в условиях одномерного структурного беспорядка и политипизма
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие