Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Труды сотрудников ИФ СО РАН (36)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>R=29.19.31$<.>)

Общее количество найденных документов : 376
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/Ф 50
Заглавие : Физика полупроводников и радиоспектроскопия ионных кристаллов
Выходные данные : Свердловск: УрГУ, 1969
Колич.характеристики :186 с.: рис., табл.
Коллективы : Уральский государственный университет им. А.М. Горького
Серия: Ученые записки; № 118. Серия физическая; вып. 7 :
ГРНТИ : 29.31.26 + 29.19.31
ББК : В379я54 + В344.15я54 + В371.231я54
Предметные рубрики: Кристаллы ионные-- Спектроскопия-- Сборники
Полупроводники-- Физика-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж/Т 66
Автор(ы) : Трегулов, Вадим Викторович
Заглавие : Пористый кремний: технология, свойства, применение
Выходные данные : Рязань: Рязан. гос. ун-т, 2011
Колич.характеристики :123 с. ; 20 см
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Примечания : Библиогр.: с. 116-122
ISBN, Цена 978-5-88006-677-3: 185.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31
ББК : Ж362 + Л253.2 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Кремний-- Свойства-- Получение-- Применение
Электроника-- Материалы-- Кремний
Содержание : Технология изготовления пористого кремния ; Фотолюминесценция пористого кремния ; Электрофизические свойства пористого кремния ; Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния ; Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики ; Приборы СВЧ-диапазона ; Химические датчики на основе пористого кремния
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Т 23
Автор(ы) : Тауц Я.
Заглавие : Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра
Выходные данные : М.: Мир, 1967
Колич.характеристики :74 с
Перевод издания: Tauc J. Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges
Примечания : Библиогр.: с. 69-73 (141 назв.)
Цена : 0.23 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.31.21
ББК : В379.247
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства оптические
Содержание : Методы экспериментального определения оптических постоянных ; Теория поглощения света в твердом поле ; Обсуждение основных формул ; Правила отбора ; Приведенная плотность состояний ; Свободные носители тока ; Правило сумм сил осцилляторов ; Виртуальные переходы ; Экситоны ; Эффекты затухания ; Плазменные эффекты ; Некоторые полезные соотношения ; Экспериментальные результаты
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5/С 98
Автор(ы) : Сюше Ж. П.
Заглавие : Физическая химия полупроводников
Выходные данные : М.: Металлургия, 1964
Колич.характеристики :195 с
Перевод издания: SUCHET J. P. CHIMIE PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
Примечания : Библиогр.: с. 190-195 (196 назв.)
Цена : 0.80 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : Г523
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Повторение некоторых понятий об атоме и кристалле ; Периодическая классификация элементов ; Типы внутриатомных связей ; Орбитальные функции и гибридизация ; Кристаллическая структура и ионная координация ; Ковалентная координация и явление резонанса ; Основные механизмы полу проводимости ; Дефекты и примеси. Обозначение Риза ; Образование и свойства окрашенных центров ; Свойства легированных ковалентных кристаллов ; Электронно-дырочный переход и его практическое значение ; Общий случай неорганических соединений ; Взаимодействие между дефектами. Частные решетки ; Диффузия дефектов и примесей ; Заряженные атомные пары элементов ; Кислород в кремнии ; Взаимодействие дефектов в соединениях ; Решетки частные и решетки компенсированные ; Правила предсказания полупроводимости ; Правило Музера и Пирсона и его истоки ; Критика и распространение этого правила ; Ковалентное обозначение и правила сродства ; Общая классификация полупроводников ; Соединения переходных элементов ; Окислы переходных металлов ; Керамические полупроводниковые окислы ; Магнетит. Индукция валентности ; Полупроводниковые магнитные ферриты ; Гранулярные структуры с поверхностными слоями ; Энергия активации и ее расчет ; Энергия активации и зонная теория ; Ионные радиусы и «радиусы» ковалентные ; Электрсютрицательность и ионный характер ; Доля Е2 и расчет Е0 ; Подвижность носителей тока и ее расчет ; Расстояние носителей и ионный аспект ; Поляризация и степень модуляции ; Расчет эффективного заряда атомов ; Вычисление электронной подвижности ; Некоторые выводы ; Органические полупроводники ; Молекулярные органические кристаллы ; Двойные связи и Я-электроны ; Компенсированные органические 'решетки ; Пластические материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/В 16 рукописный текст
Автор(ы) : Вальков, Валерий Владимирович
Заглавие : Спиновые волны и переменная валентность в магнитных полупроводниках : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 19.03.1982
Выходные данные : Красноярск, 1982
Колич.характеристики :22 с
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР, Уральский научный центр АН СССР, Институт физики металлов Уральского научного центра АН СССР
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.37
ББК : В379.233я031
Предметные рубрики: Полупроводники магнитные-- Теория спин-волновая-- Исследование
Экземпляры : всего : ДС(1), Автореф.(1)
Свободны : ДС(1), Автореф.(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 56
Автор(ы) : Добровольский, Валентин Николаевич, Литовченко, Владимир Григорьевич
Заглавие : Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1985
Колич.характеристики :191 с.: рис., табл.
Коллективы : Академия наук Украинской ССР, Институт полупроводников АН Украинской ССР
Примечания : Библиогр.: с. 176-191
Цена : 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.24 + 29.19.31
ББК : В379.231 + В379.5
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Свойства электромагнитные
Содержание : Электростатическое взаимодействие между различными частями МДП структуры и его влияние на перенос носителей заряда ; Эффекты Холла и магнитосопротивления ; Эффекты, возникающие под действием перпендикулярной поверхности силы Лоренца ; Квантование энергии и перенос электронов и дырок в поверхностных каналах ; Двухмерные экситоны и неравновесная плазма ; Характеристики поверхностной области при низких плотностях носителей заряда
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 58
Автор(ы) : Довгошей Н. И.
Заглавие : Кристаллические и аморфные пленки новых сложных полупроводников
Выходные данные : Ужгород, 1986
Колич.характеристики :110 с.: ил.
Коллективы : Ужгородский государственный университет
Примечания : Библиогр.: с. 88-108
Цена : 0.30 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.16
ББК : В379.26
Предметные рубрики: Тонкие пленки полупроводниковые-- Кристаллизация
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 53
Автор(ы) : Дмитрук, Николай Леонтьевич, Стрижевский, Владимир Леонидович, Литовченко, Владимир Григорьевич
Заглавие : Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1989
Колич.характеристики :374 с.: 186 ил
Примечания : Библиогр: с. 347-371
ISBN, Цена 5-12-000503-9:
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.31 + 29.19.33
ББК : В379.212.5 + В379.312.5
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Свойства оптические
Диэлектрики-- Поверхность-- Свойства оптические
Содержание : Поверхностные поляритоны в изотопных средах ; Поверхнотсные поляритоны в анизотропных средах ; Экспериментальные методы исследования поверхностных поляритонов ; Нелинейные поверхностные поляритоны ; Поверхностные поляритоны в слоистых многокомпонентных структурах ; Спектроскопия поверхностных поляритонов как метод исследования поверхностей и границ раздела ; Поверхностные электромагнитные волны в двумерных структурах ; Поверхностные поляритоны в сверхрешетках и размерное квантование
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 46
Автор(ы) : Бродин, Михаил Семенович, Блонский И. В., Ницович Б. М., Ницович В. В.
Заглавие : Динамические эффекты в многокомпонентном газе квазичастиц
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1990
Колич.характеристики :172 с.: ил.
Коллективы : Академия наук Украинской ССР, Институт физики АН Украинской ССР
Примечания : Библиогр.: с. 157-171
ISBN, Цена 5-12-001267-1: 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В374
Предметные рубрики: Кристаллы-- Свойства оптические-- Экситоны
Содержание : Приближение линейного отклика в теории экситонов ; Нелинейное взаимодействие квазичастиц и динамика экситонов ; Особенности квазичастичных взаимодействий при больших уровнях накачки ; Оптическая спектроскопия экситон-примесного взаимодействия ; Экситонные процессы в кристаллах с трехмерным композиционным беспорядком ; Энергетический спектр и транспортные свойства экситонов в условиях одномерного структурного беспорядка и политипизма
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие

11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 12 рукописный текст
Автор(ы) : Гавричков, Владимир Александрович
Заглавие : Многоэлектронная теория оптических и электрических свойств ферромагнитных хромовых шпинелей : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 10.03.1989
Выходные данные : Красноярск, 1988
Колич.характеристики :20 с
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР, Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.37
ББК : В379.233я031
Предметные рубрики: Полупроводники магнитные-- Свойства физические-- Исследование
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 82
Автор(ы) : Грибковский, Виктор Павлович
Заглавие : Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
Выходные данные : Минск: Наука и техника, 1975
Колич.характеристики :464 с.: граф.
Примечания : Библиогр.: с. 419-454 (801 назв.). - Предм. указ.: с. 455-459
Цена : 2.98 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.31.21
ББК : В374.247
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства оптические
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие

13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 92
Автор(ы) : Грязнов, Олег Сергеевич
Заглавие : Вычисление кинетических коэффициентов для полупроводников
Выходные данные : Л.: Наука, 1977
Колич.характеристики :168 с
Коллективы : Академия наук СССР, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Примечания : Библиогр.: с. 166-168
Цена : 1.20 р.
ГРНТИ : 29.19.15 + 29.19.31
ББК : В379.25
Предметные рубрики: Полупроводники-- Кинетические явления
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : К/Д 16
Автор(ы) : Дамаск А., Динс Дж.
Заглавие : Точечные дефекты в металлах
Выходные данные : М.: Мир, 1966
Колич.характеристики :291 с.: ил.
Перевод издания: Damask A. C. Point Defects in Metals/ A. C. Damask, G. J. Dienes
Примечания : Библиогр. в конце глав :
ГРНТИ : 29.19.11 + 29.19.31 + 53.49.07
ББК : К202
Предметные рубрики: Металлы-- Структура
Содержание : Общая теория ; Теория отжига дефектов ; Методы анализа кривых отжига ; Физические свойства металлов и точечные дефекты их строения ; Некоторые основные эксперименты
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 15
Автор(ы) : Галицкий, Виктор Михайлович, Елесин, Владимир Федорович
Заглавие : Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками
Выходные данные : М.: Энергоатомиздат, 1986
Колич.характеристики :192 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 183-189 (142 назв.)
Цена : 2.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.23
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства электромагнитные
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

16.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Г 70
Автор(ы) : Городецкий, Александр Фомич, Кравченко, Александр Филиппович, Самойлов, Евгений Михайлович
Заглавие : Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1966
Колич.характеристики :350 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце гл.
Цена : 1.98 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : З852 + В379.2
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Структура твердых тел ; Основы квантовой теории твердых тел ; Тепловые свойства твердых тел ; Несовершенства в кристаллах ; Статистика электронов в полупроводниках ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические и гальваномагнитные явления ; Контактные явления ; Полупроводниковые материалы ; Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды) ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы) ; Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах ; Приборы, основанные на явлении Холла ; Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях ; Приборы, основанные на эффекте сильного поля ; Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ф 83
Автор(ы) : Франк, Гельмар, Шнейдар, Вацлав
Заглавие : Полупроводниковые приборы
Выходные данные : Прага: Гостехиздат, 1960
Колич.характеристики :570 с.: рис., фот.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570
Цена : 1.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 + 47.01.33
ББК : З852я73 + В379
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Физические основы кристаллических приборов ; Кристаллическая структура полупроводников ; Зонная модель ; Электроны и дырки в гомогенном кристалле ; Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках ; Физические основы транзисторов ; Кристаллические фотоэлементы ; Влияние магнитного поля на полупроводник ; Влияние температуры на свойства полупроводников ; Поверхностные явления ; Полупроводниковый материал для кристаллических приборов ; Химическая очистка ; Зонная плавка ; Вытягивание монокристаллов ; Рекристаллизация (вплавление) ; Диффузия доноров и акцепторов ; Обработка германия и кремния ; Свойства германия и кремния ; Измерение основных параметров полупроводниковых материалов ; Ориентировка кристаллов ; Измерение проводимости и подвижности ; Энергетические уровни в запретной зоне ; Термоэлектрическое явление ; Измерение оптических параметров ; Измерение времени жизни основных носителей ; Двухэлектродные полупроводниковые приборы ; Кристаллические триоды и их свойства ; Основные параметры транзистора в качестве усилителя ; Дуальность транзистора и вакуумного триода ; Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах ; Измерение основных параметров транзистора ; Построение статических характеристик ; Измерение параметров rik и hik ; Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности ; Определение стабильности в режиме короткого замыкания ; Измерение предельной частоты ; Измерение емкости коллектора и эмиттера ; Измерение шума транзистора ; Определение импульсных свойств транзистора ; Кристаллические тетроды ; Обзор наиболее распространенных типов транзисторов ; Техника усилителей на транзисторах ; Цепи смещения транзисторов ; Однокаскадные низкочастотные усилители ; Многокаскадные усилители ; Высокочастотные усилители ; Основы генераторов на транзисторах ; Переключающие схемы и формирование импульсов
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Э 45
Заглавие : Электронный спиновой резонанс в полупроводниках : сб. статей
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1962
Колич.характеристики :380 с.: граф., табл.
Перевод издания: Electron spin resonance in semiconductors
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 1.48 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.233.3я43
Предметные рубрики: Полупроводники-- Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР)-- Сборники
Содержание : Электронный спиновой резонанс в полупроводниках, содержащих примеси с мелкими энергетическими уровнями ; Электронная структура доноров в кремнии, определенная с помощью метода двойного электронно-ядерного резонанса/ Дж. Феер. Эксперименты по электронному спиновому резонансу мелких доноров в германии/ Дж. Феер, Д. Уилсон, Е. Герэ. Спектр нового электронного спинового резонанса в германии, легированном сурьмой/ Р. Понтинен, Т. Сандерс. Парамагнитный резонанс акцепторов в кремнии/ Дж. Феер, Дж. Хенсел, Е. Герэ. Спиновой резонанс электронов проводимости в InSb/ Дж. Бемский. Спиновая релаксация примесных центров в полупроводниках ; Поляризация ядер и процессы спиновой релаксации примесных состояний в кремнии/ Д. Пайнс, Дж. Бардини, Ч. Слихтер. Электронная спиновая релаксация доноров в кремнии/ Е. Абрагамс. Эффекты электронной спиновой релаксации доноров в кремнии/ Д. ж. Феер, Е. Герэ. Электронная спин-решеточная релаксация в кремнии, легированном фосфором/ А. Хониг, Е. Стапп. Мелкие примесные уровни и кинетика электронных переходов в кремнии n-типа при температуре жидкого гелия/ А. Хониг, Р. Левитт. Резонансное спин-спиновое взаимодействие между донорами и акцепторами в кремнии/ Р. Леви. Электронный спиновой резонанс в полупроводниках, содержащих примеси или дефекты с глубокими энергетическими уровнями ; Электронный спиновой резонанс в германии, легированном никелем/ Дж. Людвиг, Г. Вудбери. Спиновой резонанс переходных металлов в кремнии/ Г. Вудбери, Дж. Людвиг. Электронная структура ионов переходных металлов в решетке с тетраэдрической симметрией/ Дж. Людвиг, Г. Вудбери. Взаимодействие вакансий в кремнии/ Г. Вудбери, Дж. Людвиг. Парамагнитный резонанс в кремнии, облученном электронами/ Дж. Бемский. Спиновый резонанс в кремнии, облученном электронами/ Дж. Уоткинс, Дж. Корбет, Р. Уолкер. Обнаружение захвата носителей заряда в фотопроводнике методом парамагнитного резонанса/ Р. Тайтл.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

19.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З85/Ф 63
Автор(ы) : Фистуль, Виктор Ильич
Заглавие : Сильно легированные полупроводники
Выходные данные : М.: Наука, 1967
Колич.характеристики :415 с.: рис., табл.
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 397-415
Цена : 1.49 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29
ББК : З852 + В379.212.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Энергетический спектр электронов ; Статистическая физика носителей заряда ; Кинетические явления ; Оптические свойства ; Поведение легирующих примесей ; Получение ; Некоторые применения
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Х 45
Автор(ы) : Хилсум К., Роуз-Инс А.
Заглавие : Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]]
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1963
Колич.характеристики :324 с.: рис.
Перевод издания: Hilsum C. Semiconducting III-V compounds/ C. Hilsum, A. C. Rose-Innes
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320
Цена : 1.24 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая структура и химическая связь ; Свойства структуры цинковой обманки ; Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости ; Пьезоэлектрический эффект ; "Ионность" связи ; Расположение атомов ; Скалывание ; Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки ; Спин-орбитальное расщепление ; Ширина запрещенной зоны ; Электроотрицательность. Выводы о характере связи ; Зонная структура ; Значение зонной структуры ; Теория зонной структуры ; Симметрия ; Спин-орбитальные эффекты ; Одномерная модель ; Метод возмущений Германа ; Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау ; Зонная структура антимонида индия ; Зона проводимости ; Валентная зона ; Зонная структура арсенида индия ; Зонная структура антимонида галлия ; Зонная структура арсенида галлия ; Зонная структура фосфида галлия ; Зонная структура антимонида алюминия ; Зонная структура нитрида бора ; Общий обзор энергетических схем соединений III-V ; Примеси и дефекты ; Доноры и акцепторы ; Водородоподобная модель примесей ; Антимонид индия ; Донорные примеси ; Акцепторные уровни ; Примесная зона ; Арсенид индия ; Фосфид индия ; Антимонид галлия ; Арсенид галлия ; Фосфид галлия ; Антимонид алюминия ; Смешанные кристаллы ; Диффузия ; Дислокационные трещины ; Получение соединений III-V ; Образование соединений ; Очистка элементов ; Методы получения ; Аппаратура ; Остаточные примеси ; Очистка бестигельной зонной плавкой ; Электрические свойства ; Процессы рассеяния ; Рассеяния на акустических колебаниях решетки ; Рассеяния на оптических колебаниях решетки ; Рассеяния на примесях ; Рассеяния на носителях ; Подвижность в соединениях III-V ; Характерные черты переноса носителей ; Следствия большого отношения подвижностей ; Электрических свойств от магнитного поля ; Оптические и фотоэлектрические свойства ; Край полосы поглощения ; Роль свободных носителей ; Поглощение на колебаниях решетки ; Показатель преломления ; Фотоэлектрические явления ; Механизмы рекомбинации ; Измерение времени жизни ; Эмиссия излучения ; Применения ; Применения переходов ; Диоды с переменной емкостью ; Микроволновые детекторы ; Коммутирующие диоды ; Туннельные диоды ; Транзисторы ; Применения гальваномагнитных эффектов ; Магнетометр, основанный на эффекте Холла ; Измеритель магнитной восприимчивости ; Измерение электрического тока и мощности ; Умножитель на основе на эффекте Холла ; Усилитель на основе на эффекте Холла ; Магниторезистивные генератор и усилитель ; Магниторезистивный датчик перемещения ; Оптические применения ; Инфракрасные фотоэлементы ; Солнечные батареи ; Оптические фильтры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие