Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Труды сотрудников ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>R=47.09.29$<.>)
Общее количество найденных документов : 75
Показаны документы с 1 по 20
1.

Вид документа : Однотомное издание (Препринт)
Шифр издания : В37/О-95
Автор(ы) : Очирова В. Б., Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : База данных по структурным свойствам материалов, используемых для эпитаксиального роста пленок : препринт. № 764Ф
Выходные данные : Красноярск: ИФ СО РАН, 1996
Колич.характеристики :19 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 4 назв. :
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29 + 20.23.21
ББК : В375.14 + З852 + В379.226
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост
Пленки полупроводниковые-- Рост
Экземпляры :Препр.(1)
Свободны : Препр.(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З84/К 96
Автор(ы) : Куэй Р.
Заглавие : Электроника на основе нитрида галлия : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Техносфера, 2011
Колич.характеристики :587 с
Серия: Мир радиоэлектроники
Перевод издания: Quay Rudiger Gallium nitride electronics. -Berlin ; Heidelberg, 2008
Примечания : Библиогр. в конце глав - Библиогр.: с. 561-577 (159 назв.). - Предм. указ.: с. 578-587
ISBN, Цена 978-5-94836-296-0: 1011.22 р.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : З843.3 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы-- Материалы-- Обзоры
СВЧ-электроника-- Материалы-- Обзоры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 79
Заглавие : Кремний-2002 : совещ. по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г.: тез. докл.
Выходные данные : Новосибирск, 2002
Колич.характеристики :215 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, "Кремний-2002", совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (9-12 июля 2002 г.; Новосибирск)
Цена : 10.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29 + 29.19.04 + 29.19.11 + 29.19.16 + 61.31.47
ББК : В371.2я431 + В379.2я431 + З843.312.08я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Предметные рубрики: Кремний-- Тонкие слои-- Свойства-- Структура
Кристаллы-- Рост-- Свойства-- Структура
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ш 33
Автор(ы) : Шварц, Саймон
Заглавие : Полупроводниковые схемы : справочник
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1962
Перевод издания: Schwartz S. Selected semiconductor circuits handrook
Примечания : Предм. указ.: с. 430 - 433
Цена : 2.26 р.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : З852
Предметные рубрики: Схемотехника-- Полупроводниковые приборы-- Справочники
Содержание : Усилители постоянного тока ; Низкочастотные усилители ; Высокочастотные усилители ; Генераторы ; Нелинейные схемы при малых сигналах ; Переключательные схемы ; Логические схемы ; Магнитные и транзисторные схемы ; Источники питания ; Преобразователи мощности
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж/Т 66
Автор(ы) : Трегулов, Вадим Викторович
Заглавие : Пористый кремний: технология, свойства, применение
Выходные данные : Рязань: Рязан. гос. ун-т, 2011
Колич.характеристики :123 с. ; 20 см
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Примечания : Библиогр.: с. 116-122
ISBN, Цена 978-5-88006-677-3: 185.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31
ББК : Ж362 + Л253.2 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Кремний-- Свойства-- Получение-- Применение
Электроника-- Материалы-- Кремний
Содержание : Технология изготовления пористого кремния ; Фотолюминесценция пористого кремния ; Электрофизические свойства пористого кремния ; Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния ; Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики ; Приборы СВЧ-диапазона ; Химические датчики на основе пористого кремния
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 40
Автор(ы) : Сыноров В. Ф., Ревелева М. А., Алейников Н. М., Чистов Ю. С., Фетисова С. В.
Заглавие : МДП-структуры
Выходные данные : Воронеж: Изд-во Воронеж. ун-та, 1975
Колич.характеристики :226 с
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 0.75 р.
ГРНТИ : 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.231.5
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы-- Материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы : материалы VII Всесоюз. симпозиума. Ч. 1
Выходные данные : Львов, 1986
Колич.характеристики :204 с.: граф.
Коллективы : Львовский государственный университет им. И. Франко, "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы", всесоюзный симпозиум (7; [1986]; Львов)
Разночтения заглавия :Загл. обл.: VII Всесоюзный симпозиум
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 0.65 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.2я43
Предметные рубрики: Полупроводники узкозонные-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы : материалы VII Всесоюз. симпозиума. Ч. 2
Выходные данные : Львов, 1986
Колич.характеристики :226 с.: граф., фот.
Коллективы : Львовский государственный университет им. И. Франко, "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы", всесоюзный симпозиум (7; [1986]; Львов)
Разночтения заглавия :Загл. обл.: VII Всесоюзный симпозиум
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 0.65 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.2я43
Предметные рубрики: Полупроводники узкозонные-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В7/М 59
Заглавие : Микросенсорика (материалы и элементная база) : [сб. статей]
Выходные данные : Омск: ОмГПУ, 2000
Колич.характеристики :261 с.: ил.
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 80.00 р.
ГРНТИ : 50.09.37 + 29.19.29 + 47.09.29
ББК : В371я43 + З843.3я43
Содержание : Самоорганизация квантовых объектов ; Корреляционные эффекты в полупроводниковых соединениях типа AIIIBV ; Новые информационные технологии в медицине ; Микроэлектронные сенсорные структуры для экологического мониторинга ; Получение и исследование свойств гетеро-структур при воздействии плазмы ; Структурно-фазовые превращения и модификация свойств гетерогенных материалов пучками заряженных частиц ; Исследование высокотемпературных сверхпроводников
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полуметаллы и узкозонные полупроводники и приборы на их основе : [сб. статей]
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1983
Колич.характеристики :181 с.: ил.
Коллективы : Академия наук Молдавской ССР, Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 2.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.2я43 + З843.3я43 + З852я43
Предметные рубрики: Полупроводники узкозонные-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г2/О-64
Автор(ы) : Стильбанс Л. С., Розенштейн Л. Д., Айрапетянц А. В., Каргин В. А., Кренцель Б. А., Давыдов Б. Э., Топчиев, Александр Васильевич
Заглавие : Органические полупроводники
Выходные данные : М.: Изд-во АН СССР, 1963
Колич.характеристики :318 с.: граф., рис., табл.
Коллективы : Академия наук СССР, Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева АН СССР, Институт полупроводников АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце глав :
ГРНТИ : 31.21 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29
ББК : Г214 + В379 + Л719.7
Предметные рубрики: Полупроводники органические-- Свойства физико-химические
Содержание : Некоторые сведения из электронной теории кристаллов ; Теплопроводность полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные явления ; Внутренний фотоэффект ; Контактные явления ; Основные представления об электронном строении молекул органических полупроводниковых соединений ; Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников ; Фотопроводимость низкомолекулярных органических полупроводников ; Молекулярные комплексы ; Современные представления о полимерных веществах и возможности реализации в них проводимости ; Получение полупроводниковых полимеров ; Электрические свойства полимерных полупроводников
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Н 76
Заглавие : Новые полупроводниковые материалы. Физико-химические и технологические вопросы получения полупроводниковых соединений группы AIIIBV : сб. перевод. статей
Выходные данные : М.: Металлургиздат, 1964
Колич.характеристики :272 с
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 1.77 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29 + 47.14.07
ББК : З233я43 + В379я43 + З851я43
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Сборники
Содержание : Физико-химические исследования ; / О. Фольберт. / ван ден Дж. Бумгард, К. Шол. / К. Вейсер. / Т. Реннер. / Ж. Кэфалс, Х. Гатос, М. Баттон. Примеси и источники загрязнения ; / Ч. Хилсам. / Д. Найт. / Д. Найт. / Ч. Фрош. / Ч. Кохран. / Л. Экстром. Рост кристаллов и структурные исследования/ ч. / Д. Ричардс. / Л. Уиланд. / Е. Стамбау. / У. Оллред. / Д. Маллин. / Д. Фэйст. Технология и аппаратура/ я. / Л. В. Вейсберг. / Ч. Фрош. / Ф. Каннел. / К. Халм. / В. Оллред. / Ф. Каннел. / Т. Уикхам. Косвенные методы получения полупроводниковых соединений
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 79
Заглавие : Кремний : сборник статей : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1960
Колич.характеристики :436 с
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 1.92 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 53.41.31 + 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.2я44
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Кремний-- Сборники
Содержание : Производство и применение кремния ; Получение чистого кремния ; Структурные несовершенства монокристаллов кремния ; Свойства кремния ; Термическая обработка кремния ; Растворимость и диффузия примесей в кремнии ; Сплавы кремния с германием
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Ф 50
Заглавие : Физика полупроводников и полупроводниковая электроника : сб. ст. Вып. 2
Выходные данные : Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1968
Колич.характеристики :109 с.: граф., рис., фот.
Коллективы : Саратовский государственный университет
Примечания : Библиогр. в конце ст. :
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29 + 47.14.07
ББК : В379я43 + З851я43 + З233я43
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Сборники
Содержание : О возможности использования p-n-n+-диода для управления СВЧ мощностью в дециметровом диапазоне b-коаксильном тракте/ Л. И. Баранов. Полупроводниковый модулятор 8-миллиметрового диапазона длин волн/ Л. И. Баранов. К вопросу о распределении носителей и изменении времени жизни в базовой области p-n-n+-диода в эффектах объединения/ Л. И. Баранов. Определение электрофизических параметров полупроводниковых материалов на основе интегрального отражения в субмиллиметровом диапазоне длин волн/ Д. И Биленко, Б. А. Дворкин. Исследование однородности полупроводниковых слоев на основе интегрального поглощения/ Д. И Биленко, В. А. Лодгауз. Зависимость теплового излучения полупроводников от концентрации свободных носителей заряда/ Д. И Биленко, В. Д. Ципоруха. Получение, структура и некоторые электрические свойства пленок двуокиси титана/ О. С. Вдовин. Детектирующие свойства точечного контакта на поликристаллических пленках арсенида галлия в диапазонах СВЧ/ М. Д. Вилисова, В. К. Демидов. Исследование анизотропии электропроводности ванадиевых бронз натрия, лития, серебра и меди/ Г. Г. Капшталь, З. И Орнатская. Исследование фотоэлектрических, оптических и структурных свойств пленок CdSx, Se1-x легированных хлоридами металлов/ З. И. Кирьяшкина, А. Г. Роках. Некоторые свойства многоэлементных фоторезисторов на основе пленок CdSx, Se1-x при высоких уровнях возбуждения/ З. И. Кирьяшкина, А. Г. Роках. Исследование вольт-амперных характеристик пленочных структур металл-окись цинка-металл/ З. И. Кирьяшкина, А. М. Свердлова. Об эквивалентной схеме точечного контакта СВЧ диода/ З. И. Кирьяшкина. О влиянии ультразвука на некоторые свойства сплавных контактов металл-полупроводник/ Б. Н. Климов, В. А. Маслов.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
15.


    (Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/S78
Заглавие : Spintronics: materials, applications and devices
Выходные данные : New York: Nova science publ., 2009
Колич.характеристики :X,251 с.: ill.; 26 cm
Примечания : Bibliogr. at the end of the chapters - Ind.Ind.: p. 245-251
ISBN, Цена 978-1-60456-734-2:
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.03.05 + 47.09.29 + 53.41.37
ББК : З852-01 + В379.23
Предметные рубрики: Спинтроника-- Материалы-- Свойства электромагнитные
Spintronics-- Materials-- Properties
Экземпляры :КФ(1)
оглавление
Найти похожие
16.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Л/Б 74
Автор(ы) : Богуславский, Леонид Исаакович, Ванников, Анатолий Вениаминович
Заглавие : Органические полупроводники и биополимеры. Электропроводность и физико-химические свойства
Выходные данные : М.: Наука, 1968
Колич.характеристики :180 с.: ил., табл.
Коллективы : Академия наук СССР, Институт электрохимии АН СССР
Цена : 89.00 р.
ГРНТИ : 47.09.51 + 47.09.29
ББК : Л719.7 + Г214 + З232.6
Предметные рубрики: Полупроводники органические-- Свойства физико-химические
Содержание : Получение, конструктивные свойства и основные электрические характеристики органических полупроводников ; Фотопроводимость полупроводников ; Связь между электрическими и парамагнитными характеристиками полимерных полупроводников ; Механизм проводимости в органических полупроводниках ; Поверхность органических полупроводников ; Органические полупроводники как катализаторы ; Биология и органические полупроводники ; Перспективы применения
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
17.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З85/Ф 63
Автор(ы) : Фистуль, Виктор Ильич
Заглавие : Сильно легированные полупроводники
Выходные данные : М.: Наука, 1967
Колич.характеристики :415 с.: рис., табл.
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 397-415
Цена : 1.49 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29
ББК : З852 + В379.212.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Энергетический спектр электронов ; Статистическая физика носителей заряда ; Кинетические явления ; Оптические свойства ; Поведение легирующих примесей ; Получение ; Некоторые применения
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/H99
Заглавие : IV Школа по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники : г. Красноярск, 30 мая-12 июня 1984 г. : тезисы докл.
Выходные данные : Новосибирск, 1984
Колич.характеристики :190 с
Коллективы : Школа по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники(4;1984 ; июнь ; 30 мая- 12 июня;Красноярск/Шушенское), Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Научный совет по проблеме "Физико-химические основы полупроводникового материаловедения" АН СССР. Сибирская секция материаловедения полупроводников и твердотельных структур, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Красноярский институт цветных металлов
Цена : Б.ц.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29
ББК : В379.2я54 + З852я54
Предметные рубрики: Электроника-- Материалы-- Сборники
Содержание : Физико-химические основы новых методов получения кристаллов, пленок и многослойных структур, в том числе: сухой вакуумной литографии субмикронного разрешения, молекулярной эпитаксии, ионно-лучевых и плазмохимических ; Состояние и перспективы использования различных классов материалов и предъявляемые к ним требования ; Структура и химическое состояние веществ на границах раздела слоев многослойных структур ; Новые методы изучения физико-химических параметров материалов электронной техники: формулировка критериев и разработка методов оценки функциональной пригодности материала, учет роли дефектной структуры. Успехи в автоматизации методов комплексного изучения свойств материалов
Экземпляры : всего : КФ(1), РСФ(1)
Свободны : КФ(1), РСФ(1)
Найти похожие
19.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ф 81
Заглавие : Фотоника-2011 : тезисы докладов
Выходные данные : Новосибирск: Ин-т физ. полупровод. СО РАН, 2011
Колич.характеристики :158 с
Коллективы : Российская академия наук, Научный совет РАН по проблеме "Квантовые наноструктуры", Российский фонд фундаментальных исследований, Сибирское отделение РАН, Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых) (22-26 августа 2011 г. ; Новосибирск)
Примечания : Алф. указ.: с. 149-152 - Список участников. - Посв. памяти чл.-корр. РАН К.К. Свиташева :
ГРНТИ : 47.29.31 + 29.19.31 + 45.09.35 + 53.41.31 + 47.09.29 + 29.19.22 + 47.09.48
ББК : З854я431
Предметные рубрики: Фотоэлектроника полупроводниковая-- Сборники
Наноструктуры-- Фотоэлектроника-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Э 45
Автор(ы) : Казакова Л. П., Лебедев Э. А., Сморгонская Э. А., Цэндин К. Д.
Заглавие : Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Выходные данные : СПб.: Наука, 1996
Колич.характеристики :486 с.: ил.
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Примечания : Библиогр. в конце гл
ISBN, Цена 5-02-024812-6:
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29
ББК : В379.231 + В379.212.4 + З843.3
Содержание : Атомная и электронная структура ; Примесные и дефектные электронные состояния в легированных ХСП ; Мёссбауэровские исследования атомной и электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников ; Дрейф носителей заряда в халькогенидных стеклах ; Фотопрооводимость в халькогенидах ; Эффект переключения в ХСП ; Динамика эффекта переключения в ХСП ; Локальное легирование эффект памяти в ХСП ; Особенности оптических свойств ХСП ; Фотоиндуцированная метастабильность в ХСП ; Фотолегирование ХСП
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Смотреть книгу
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)